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  字節(jié)跳動(dòng)的進(jìn)與退：低調(diào)發(fā)起MR市場攻勢，TikTok國際市場受阻

  電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）通過擴(kuò)大投資版圖，尋找第二增長曲線是不少上市公司的策略。3月13日，天眼查顯示字條跳動(dòng)投資

  2024-03-15 標(biāo)簽： 虛擬現(xiàn)實(shí) MR reram 5593 0

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  ReRAM與DB HiTek的BCD工藝集成的關(guān)鍵優(yōu)勢

  通過ReRAM和BCD技術(shù)的協(xié)同作用，通關(guān)鍵目標(biāo)之一是實(shí)現(xiàn)單片集成，讓模擬、數(shù)字和功率組件能夠無縫地共存于同一芯片上，不

  2024-01-02 標(biāo)簽： BCD 電源芯片 reram 472 0

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  存儲芯片是什么 存儲芯片的分類及發(fā)展歷史

  存儲芯片是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品，我們?nèi)粘Ｋ械碾娮釉O(shè)備基本都會用到存儲器。據(jù)WSTS預(yù)測，2023年全球存儲芯

  2023-07-07 標(biāo)簽： fpga asic 存儲芯片 13525 0

• 分享一種ReRAM在助聽器中的成功案例

  ReRAM代表電阻式隨機(jī)存取存儲器，是一種非易失性存儲器，具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取

  2023-03-25 標(biāo)簽： 助聽器 EEPROM reram 1328 0

• 新型存儲MRAM 技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

  全新的存儲器MRAM，ReRAM，PCRAM，相對于傳統(tǒng)存儲器來說，具有很多方面獨(dú)特的優(yōu)勢，能夠在計(jì)算系統(tǒng)層級實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的

  2023-03-20 標(biāo)簽： 存儲器 MRAM reram 1703 0

• 全面介紹新型存儲技術(shù)：PCM/MRAM/RRAM/ReRAM

  MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域，該

  2023-01-07 標(biāo)簽： DRAM 存儲器 Nand flash 5188 0

• 國產(chǎn)存算一體超速前進(jìn) 存算一體架構(gòu)有機(jī)會解決很多AI面臨的問題

  僅僅在五、六年前，人工智能還只存在于人們的想象。雷峰網(wǎng)雷峰網(wǎng) 短短幾年間AI快速擴(kuò)張，AI算力和運(yùn)算數(shù)據(jù)量每年都在以指數(shù)

  2022-11-25 標(biāo)簽： reram AI芯片 AI算力 2130 0

• 億鑄存算一體AI大算力芯片：存算一體架構(gòu)

  在傳統(tǒng)的馮·諾依曼架構(gòu)中，處理與存儲單元是分離的。由于存算分離，AI計(jì)算的數(shù)據(jù)搬運(yùn)量非常大，會導(dǎo)致功耗大大增加，也就是存

  2022-11-24 標(biāo)簽： 存儲器 sram AI 2042 0

• 芯片架構(gòu)師需要考慮哪些問題

  面向?qū)ο笙到y(tǒng)的采用，以及限制類型轉(zhuǎn)換的強(qiáng)類型語言和對程序員的一些限制，可以使執(zhí)行流程可預(yù)測并避免對單個(gè)連續(xù)內(nèi)存空間的需求

  2022-10-18 標(biāo)簽： CMOS 晶體管 機(jī)器學(xué)習(xí) 935 0

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  ReRAM在內(nèi)存計(jì)算方面的潛力

  隨著對人工智能 (AI) 和內(nèi)存計(jì)算的興趣顯著增加，電阻式隨機(jī)存取存儲器 (ReRAM) 可能成為解鎖其模仿人腦能力的關(guān)

  2022-07-14 標(biāo)簽： 存儲器 cpu 內(nèi)存計(jì)算 1611 0

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