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標(biāo)簽 > SiO2
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SiO?薄膜在集成電路中扮演著至關(guān)重要的角色,其作用主要包括以下幾個(gè)方面: 絕緣層 :SiO?薄膜作為良好的絕緣材料,被廣泛應(yīng)用于集成電路中作為絕緣層。...
SiO?膜層鍍膜過程中出現(xiàn)的膜裂問題,可以通過多種方法來解決。以下是一些主要的解決策略: 1. 優(yōu)化鍍膜工藝 蒸發(fā)速度控制 :蒸發(fā)速度的設(shè)置對膜層厚度有...
二氧化硅薄膜應(yīng)用領(lǐng)域及特性的詳細(xì)資料說明立即下載
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2020-03-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiO2 4213 0
接觸孔工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵工藝,也是技術(shù)難度最高的工藝之一。接觸孔的尺寸是集成電路工藝中最小的尺寸之一,是決定芯片面積的關(guān)鍵尺寸。
硅(Si)具有4200mAh/g的理論比容量,超高的理論比容量賦予其極大的電池應(yīng)用潛力。
針對硅導(dǎo)電性差、電化學(xué)反應(yīng)中體積變化大以及形成的SEI膜不穩(wěn)定等缺點(diǎn),科研人員提出用碳材料對納米硅進(jìn)行改性(即制備納米硅/碳復(fù)合材料(Nano-Si/C...
中空結(jié)構(gòu)材料具有密度低、比表面積大等特點(diǎn),被廣泛用于納米能源材料、生物醫(yī)藥等領(lǐng)域。Si在鋰化過程中可產(chǎn)生約300%的體積變化,中空Si/C核-殼結(jié)構(gòu)可以...
3D多孔結(jié)構(gòu)在電極載體方面的應(yīng)用
多孔材料具有多孔和高比表面積的特點(diǎn),在電極載體方面有著重要的應(yīng)用。
對于火力發(fā)電廠,主要有輸煤系統(tǒng)作業(yè)場所漂浮的煤塵;鍋爐運(yùn)行中產(chǎn)生的;鍋爐檢修中接觸的鍋爐塵;干式除塵器運(yùn)行;干灰輸送系統(tǒng)及粉煤灰綜合利用作業(yè)場所的粉塵;...
2021-11-05 標(biāo)簽:激光制粉系統(tǒng)SiO2 921 0
揭秘如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量又可靠的高壓信號隔離
電路隔離也稱為電流隔離,可防止直流 (DC) 和干擾交流 (AC)信號從系統(tǒng)的一個(gè)區(qū)域傳遞到需要保護(hù)的另一區(qū)域。 隔離的其中一個(gè)用途是,通過防止高頻噪聲...
所謂的鉛晶、硅能、還有什么高分子、納米等等都是屬于膠體電池的系列,只是所用材料的不同,在國內(nèi)膠體電池從最早的硅酸鹽(水玻璃)開始到現(xiàn)在已經(jīng)有20年左右。...
該文近期發(fā)表于npj Computational Materials 6: 25 (2020),英文標(biāo)題與摘要如下,點(diǎn)擊左下角“閱讀原文”可以自由獲取論...
2020-06-04 標(biāo)簽:機(jī)器學(xué)習(xí)玻璃材料SiO2 3672 0
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