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SiO2

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sio2技術(shù)

sio2薄膜在集成電路中的作用

SiO?薄膜在集成電路中扮演著至關(guān)重要的角色,其作用主要包括以下幾個(gè)方面: 絕緣層 :SiO?薄膜作為良好的絕緣材料,被廣泛應(yīng)用于集成電路中作為絕緣層。...

2024-09-27 標(biāo)簽:集成電路晶體管SiO2 542 0

sio2膜層鍍膜如何解決膜裂

SiO?膜層鍍膜過程中出現(xiàn)的膜裂問題,可以通過多種方法來解決。以下是一些主要的解決策略: 1. 優(yōu)化鍍膜工藝 蒸發(fā)速度控制 :蒸發(fā)速度的設(shè)置對膜層厚度有...

2024-09-27 標(biāo)簽:參數(shù)鍍膜SiO2 357 0

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硅在暴露在空氣中時(shí)會(huì)形成一層氧化硅(SiO2)層。在許多制程步驟中,如在熱處理過程之前,需要移除這層氧化硅。氫氟酸是唯一能夠有效清洗硅片表面氧化硅的化學(xué)...

2023-08-02 標(biāo)簽:晶圓熱處理SiO2 1229 0

全方位剖析光纖光纜3

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2023-02-14 標(biāo)簽:光纖光纖通信SiO2 1171 0

全方位剖析光纖光纜2

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2023-02-14 標(biāo)簽:光纖光纖通信SiO2 907 0

硅和SiO2的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理

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蝕刻機(jī)理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強(qiáng)含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(O...

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接觸孔工藝(Contact Process)

接觸孔工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵工藝,也是技術(shù)難度最高的工藝之一。接觸孔的尺寸是集成電路工藝中最小的尺寸之一,是決定芯片面積的關(guān)鍵尺寸。

2022-11-22 標(biāo)簽:集成電路SiO2CVD 7000 0

納米硅的制備方法

硅(Si)具有4200mAh/g的理論比容量,超高的理論比容量賦予其極大的電池應(yīng)用潛力。

2022-07-10 標(biāo)簽:納米硅儀器設(shè)備SiO2 8626 0

如何用碳材料對納米硅進(jìn)行改性

針對硅導(dǎo)電性差、電化學(xué)反應(yīng)中體積變化大以及形成的SEI膜不穩(wěn)定等缺點(diǎn),科研人員提出用碳材料對納米硅進(jìn)行改性(即制備納米硅/碳復(fù)合材料(Nano-Si/C...

2022-07-10 標(biāo)簽:納米硅鋰離子電解質(zhì) 1859 0

Si在鋰化過程中體積變化的緩沖作用

中空結(jié)構(gòu)材料具有密度低、比表面積大等特點(diǎn),被廣泛用于納米能源材料、生物醫(yī)藥等領(lǐng)域。Si在鋰化過程中可產(chǎn)生約300%的體積變化,中空Si/C核-殼結(jié)構(gòu)可以...

2022-07-10 標(biāo)簽:電流SiO2 1180 0

3D多孔結(jié)構(gòu)在電極載體方面的應(yīng)用

多孔材料具有多孔和高比表面積的特點(diǎn),在電極載體方面有著重要的應(yīng)用。

2022-07-10 標(biāo)簽:3D電極納米 1483 0

芯片表面SiO2薄膜

芯片表面SiO2薄膜

在微電子技術(shù)以及在微結(jié)構(gòu)、微光學(xué)和微化學(xué)傳感器中,需要在由不同材料構(gòu)成的大面積的薄膜層中構(gòu)造功能完善的結(jié)構(gòu)。

2022-03-29 標(biāo)簽:傳感器SiO2 4725 0

粉塵檢測儀對火力發(fā)電廠粉塵危害的檢測

對于火力發(fā)電廠,主要有輸煤系統(tǒng)作業(yè)場所漂浮的煤塵;鍋爐運(yùn)行中產(chǎn)生的;鍋爐檢修中接觸的鍋爐塵;干式除塵器運(yùn)行;干灰輸送系統(tǒng)及粉煤灰綜合利用作業(yè)場所的粉塵;...

2021-11-05 標(biāo)簽:激光制粉系統(tǒng)SiO2 921 0

揭秘如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量又可靠的高壓信號隔離

電路隔離也稱為電流隔離,可防止直流 (DC) 和干擾交流 (AC)信號從系統(tǒng)的一個(gè)區(qū)域傳遞到需要保護(hù)的另一區(qū)域。 隔離的其中一個(gè)用途是,通過防止高頻噪聲...

2021-06-12 標(biāo)簽:電路DCAC 2061 0

你不知道的電瓶修復(fù)小知識之鉛晶電池是否神奇

所謂的鉛晶、硅能、還有什么高分子、納米等等都是屬于膠體電池的系列,只是所用材料的不同,在國內(nèi)膠體電池從最早的硅酸鹽(水玻璃)開始到現(xiàn)在已經(jīng)有20年左右。...

2021-04-07 標(biāo)簽:納米膠體電池SiO2 2070 0

預(yù)測SiO2基玻璃的密度和彈性模量

該文近期發(fā)表于npj Computational Materials 6: 25 (2020),英文標(biāo)題與摘要如下,點(diǎn)擊左下角“閱讀原文”可以自由獲取論...

2020-06-04 標(biāo)簽:機(jī)器學(xué)習(xí)玻璃材料SiO2 3672 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力,將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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