cmos工藝

CMOS欠壓保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案分析

本文設(shè)計(jì)了一種CMOS工藝下的欠壓保護(hù)電路，首先分析了電路的工作原理，而后給出了各MOS管的參數(shù)計(jì)算，并給出pspice仿真的結(jié)果。此電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，工藝...

2014-08-14 標(biāo)簽：保護(hù)電路CMOS工藝 5534 0

放大電路的基礎(chǔ)—單級(jí)放大器（1）

放大是模擬電路的基本功能之一，是運(yùn)算放大器、功率放大器、低噪聲放大器等模塊的主要功能。

2023-09-18 標(biāo)簽：功率放大器運(yùn)算放大器MOS管 4819 0

CMOS工藝兼容的熱電堆紅外探測(cè)器

本文實(shí)現(xiàn)了一種正面開口的熱電堆結(jié)構(gòu)，采用XeF2作為工作氣體干法刻蝕工藝釋放器件。相對(duì)于刻蝕硅，XeF2氣體對(duì)鋁等材料的刻蝕速率極小，這樣就可以采用標(biāo)準(zhǔn)...

2012-05-02 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器CMOS工藝熱電堆 3810 0

什么是運(yùn)放的軌至軌特性？軌到軌還有哪些細(xì)節(jié)需要注意？

前級(jí)采樣電阻上的采樣電壓 VI_AMP_IN 經(jīng) U6 的跟隨作用 VI_AMP_OUT 送至 ADC 進(jìn)行A/D 轉(zhuǎn)換。

2023-10-12 標(biāo)簽：二極管運(yùn)放電源電壓 3442 0

N阱CMOS工藝版圖

CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。

2023-07-06 標(biāo)簽：集成電路晶體管CMOS工藝 3355 0

聊聊芯片中的負(fù)壓產(chǎn)生機(jī)理及其應(yīng)用

SRAM是目前最成熟的易失性高速存儲(chǔ)器，通常由6管（6T）實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀寫，可以用做CPU和內(nèi)存（DRAM）之間的高速緩存。

2023-10-31 標(biāo)簽：放大器NandCMOS工藝 3026 0

具有眼睛交互功能的透視式OLED顯示器

基于有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）的微顯示器已經(jīng)達(dá)到了很高的光學(xué)性能，不僅具有優(yōu)異的對(duì)比度和大的動(dòng)態(tài)范圍，而且具有很低的功耗。它們采用直接發(fā)光機(jī)制，無(wú)需額外...

2014-07-30 標(biāo)簽：OLED技術(shù)CMOS工藝 2695 0

講解一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響

SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。

2023-08-11 標(biāo)簽：fpgasramCMOS工藝 2025 0

IEDM 2022上的新型存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

在筆者看來(lái)，市場(chǎng)對(duì)新興存儲(chǔ)器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計(jì)算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器。

2023-02-14 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器CMOS工藝 1903 0

AD9361和AD9371里接收機(jī)的性能有哪些不同呢？

話說(shuō)，如果使用CMOS工藝的話，零中頻的閃爍噪聲會(huì)比較大，如果使用SiGe和BiCMOS工藝的話，閃爍噪聲就會(huì)小很多[1]。所以，我就打算看看AD936...

2024-04-17 標(biāo)簽：接收機(jī)SNRCMOS工藝 1463 0

運(yùn)放穩(wěn)定性，你真的懂了嗎？

一個(gè)運(yùn)放，使用電阻接成負(fù)反饋的形式，閉環(huán)放大倍數(shù)為-1。進(jìn)行環(huán)路stb仿真，有些corner下相位曲線從0開始，但其他corner正常。這種是什么原因？...

2023-11-07 標(biāo)簽：仿真器STBCMOS工藝 1298 0

為什么我們需要SERDES？SERDES的優(yōu)點(diǎn)有哪些？

盡管設(shè)計(jì)和驗(yàn)證很復(fù)雜，SERDES 已成為 SoC 模塊不可或缺的一部分。隨著 SERDES IP 模塊現(xiàn)已推出，它有助于緩解任何成本、風(fēng)險(xiǎn)和上市時(shí)間問(wèn)題。

2023-10-23 標(biāo)簽：HDMI接口串行器CMOS工藝 1235 0

555型集成時(shí)基電路及其基本應(yīng)用

555時(shí)基電路是一種數(shù)字、模擬混合型的中規(guī)模集成電路，其電路類型有雙極型和CMOS型兩大類，結(jié)構(gòu)與工作原理類似。

2023-10-11 標(biāo)簽：示波器電源電壓施密特觸發(fā)器 1215 0

淺談阻抗匹配（七）傳輸線的端接技術(shù)

仿真驗(yàn)證結(jié)果表明，端接技術(shù)可以有效抑制傳輸線上的反射噪聲，改善高速電路的性能。

2023-11-03 標(biāo)簽：阻抗匹配TTL電路傳輸線 1195 0

前端工程師應(yīng)該知道的一些layout技能

數(shù)字電路中，可能會(huì)有上萬(wàn)個(gè)互聯(lián)的反相器，而在模擬電路中卻看不到上萬(wàn)個(gè)放大器。

2023-10-31 標(biāo)簽：NMOS反相器Layout 1078 0

雙通道鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

傳統(tǒng)PLL大都采用單通道控制技術(shù)，其結(jié)構(gòu)框圖和調(diào)諧曲線如圖1所示。

2023-10-30 標(biāo)簽：鎖相環(huán)壓控振蕩器CMOS工藝 971 0

為什么消耗相同電流的情況下有電感的電路帶寬高？

從之前域域轉(zhuǎn)化系列中，我們可以知道頻域的帶寬高，到時(shí)域上體現(xiàn)就是信號(hào)變化快。

2023-09-20 標(biāo)簽：放大器電感器MOS管 927 0

模擬IC入門：MOS器件物理基礎(chǔ)知識(shí)

擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：由熱運(yùn)動(dòng)引起的隨機(jī)運(yùn)動(dòng)，一般由高濃度向低濃度轉(zhuǎn)移，直到均勻分布。

2023-10-02 標(biāo)簽：MOS管硅晶圓NPN晶體管 883 0

相位問(wèn)詢型全介質(zhì)BIC超表面的新型折射率傳感器件

2023年10月，浙江大學(xué)何賽靈研究團(tuán)隊(duì)在《Nano Letters》期刊在線發(fā)表了題為“Phase Interrogation Sensor Base...

2023-10-18 標(biāo)簽：傳感器BiC微流控芯片 818 0

用于分離模式MEMS陀螺儀的低閃爍噪聲自動(dòng)幅度控制的ASIC

本文介紹了一種用于分離式MEMS陀螺儀的全差分、低閃爍噪聲、自動(dòng)幅度控制（AAC）的ASIC。

2023-10-17 標(biāo)簽：斬波器電源電壓CMOS工藝 802 0