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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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開(kāi)關(guān)電源的整流橋并聯(lián),浮地驅(qū)動(dòng)等十條基本電路原理圖分析
在小功率設(shè)計(jì)中,一般很少用到整流橋的并聯(lián),但在某些大功率輸出的情況下,不想增添新的器件單個(gè)整流橋電流又不滿足輸入功率要求,就需要用到整流橋的并聯(lián)了,整流...
2018-09-24 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS驅(qū)動(dòng)電路 2.5萬(wàn) 0
SGT-MOS結(jié)構(gòu)及轉(zhuǎn)移特性詳解
MOS器件第一個(gè)深溝槽(Deep Trench)作為“體內(nèi)場(chǎng)板”在反向電壓下平衡漂移區(qū)電荷,這樣可以降低漂移區(qū)的電阻率,從而降低器件的比導(dǎo)通電阻(RSP...
逆變器,別稱為變流器、反流器,是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件,由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成,主要包括輸入接口、電壓?jiǎn)?dòng)回路、MOS開(kāi)關(guān)管...
2022-09-14 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管逆變器MOS 2.2萬(wàn) 0
萬(wàn)事開(kāi)頭難,開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)就應(yīng)該這樣一步一步來(lái)
針對(duì)開(kāi)關(guān)電源很多人覺(jué)得很難,其實(shí)不然。設(shè)計(jì)一款開(kāi)關(guān)電源并不難,難就難在做精,等你真正入門(mén)了,積累一定的經(jīng)驗(yàn),再采用分立的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)就簡(jiǎn)單多了。萬(wàn)事開(kāi)頭...
2018-01-07 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源pwmmos 2.2萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為...
EMC 整改常用對(duì)策如下:CE1. 在頻率 9KHz-1MHz, 電源輸入端加 X 電容和電感 (共模、差模 ) 或更換電容和電感的參 數(shù);2. 在頻率...
制的區(qū)別:首選,要清楚的是:三極管是電流驅(qū)動(dòng)的,較低的電壓就可以驅(qū)動(dòng)三極管,但是三極管需要較大的控制電流; 而MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)的,驅(qū)動(dòng)電壓較高,但是驅(qū)...
有刷電機(jī)和無(wú)刷電機(jī)應(yīng)該如何接線
電機(jī),一個(gè)簡(jiǎn)單的詞匯,在實(shí)際生活中卻具備廣泛應(yīng)用。對(duì)于電機(jī),我們應(yīng)該都挺熟悉。往期文章中,小編對(duì)有刷電機(jī)、無(wú)刷電機(jī)之間的性能差異有所探討。為增進(jìn)大家對(duì)有...
MOS的C-V曲線與襯底濃度以及GOX特性的關(guān)系
隨著半導(dǎo)體制程越來(lái)越復(fù)雜,我們最關(guān)鍵的參數(shù)Vt的控制越來(lái)越重要,有的時(shí)候我們的Vt如果單純是襯底濃度影響我們自然可以通過(guò)長(zhǎng)溝和短溝以及NMOS和PMOS...
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件,因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常??墒荕OS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很,...
對(duì)于咱們電源工程師來(lái)講,我們很多時(shí)候都在波形,看輸入波形,MOS開(kāi)關(guān)波形,電流波形,輸出二極管波形,芯片波形,MOS管的GS波形,我們拿開(kāi)關(guān)GS波形為例...
LV HV P-Well BCD技術(shù)的芯片與制程剖面結(jié)構(gòu)的資料概述
LV/HV P-Well BCD技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)低壓 5 V 與高壓 100~700 V(或更高)兼容的 BCD 工藝。為了便于高低壓 MOS 器件兼容集成...
外延工藝是指在襯底上生長(zhǎng)完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來(lái)講,外延工藝是在單晶襯底上生長(zhǎng)一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造,...
對(duì)于速度飽和所引起的電流飽和情況,一般說(shuō)來(lái),當(dāng)電場(chǎng)很強(qiáng)、載流子速度飽和之后,再進(jìn)一步增大源-漏電壓,也不會(huì)使電流增大。因此,這時(shí)的飽和電流原則上是與源-...
關(guān)于MOS應(yīng)用設(shè)計(jì),這些要點(diǎn)不可忽視
這是網(wǎng)上評(píng)價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識(shí)別,到極性的分辨,再到常用
2017-12-15 標(biāo)簽:mos高功率因數(shù) 1.2萬(wàn) 0
學(xué)習(xí)場(chǎng)效應(yīng)管 這篇文章管夠
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述。
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