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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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直流充電樁基本構(gòu)成包括:功率單元、控制單元、計(jì)量單元、充電接口、供電接口及人機(jī)交互界面等。功率單元是指直流充電模塊,控制單元是指充電樁控制器。
2023-11-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBTMOS 2390 0
DC-DC內(nèi)置MOS降壓恒流IC——FP8013開關(guān)穩(wěn)壓器,便攜式照明
FP8013是一種高效電流模式同步降壓調(diào)節(jié)器。主(P通道MOSFET)和同步(N通道MOSFET)開關(guān)都建立在內(nèi)部。在電流模式運(yùn)行時(shí),PWM占空比由誤差...
2023-10-31 標(biāo)簽:IC開關(guān)穩(wěn)壓器DC-DC 561 0
半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體工業(yè)(九)
在之前眾多技術(shù)的量變積累之上,終于觸發(fā)質(zhì)變效應(yīng),仙童半導(dǎo)體公司引入了平面化技術(shù),將之前的這些點(diǎn)技術(shù)集合到了一起。
NMOS我們通常都能看到比較好的Snap-back特性,但是實(shí)際上PMOS很難有snap-back特性,而且PMOS耐ESD的特性普遍比NMOS好,這個(gè)...
2023-10-26 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻IC設(shè)計(jì)靜電放電 1862 0
什么是軟開關(guān)?LLC電路是如何實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)的?
與傳統(tǒng)PWM(脈寬調(diào)節(jié))變換器不同,LLC是一種通過(guò)控制開關(guān)頻率(頻率調(diào)節(jié))來(lái)實(shí)現(xiàn)輸出電壓恒定的諧振電路。它的優(yōu)點(diǎn)是:實(shí)現(xiàn)原邊兩個(gè)主MOS開關(guān)的零電壓開...
當(dāng)IC穩(wěn)定工作后,復(fù)位電容E1已充滿電荷,其兩端電壓=VCC。當(dāng)電源掉電時(shí),因復(fù)位電容僅通過(guò)復(fù)位電阻R1放電,其電壓下降較慢,若當(dāng)RESET端電壓較高時(shí)...
2023-10-23 標(biāo)簽:芯片場(chǎng)效應(yīng)管緩沖器 497 0
分析MOSFETs 中電荷的產(chǎn)生和傳輸建立它們與各端電壓之間的函數(shù)關(guān)系。推導(dǎo)出I/V特性方程。這樣就能夠?qū)⒊橄蠹?jí)別從器件物理級(jí)提升到電路級(jí)。
輸出端相當(dāng)于三極管的集電極。 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行。適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi))。
開關(guān)電容的噪聲仿真通常有三種方法:基本的.ac/.noise Spice仿真,周期穩(wěn)態(tài)仿真,瞬態(tài)噪聲。
2023-10-13 標(biāo)簽:電路圖電路設(shè)計(jì)adc 4922 0
IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響
在IGBT模塊的使用過(guò)程中,關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓,特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對(duì)于模塊電壓尖峰要求更高
2023-10-10 標(biāo)簽:IGBTMOS驅(qū)動(dòng)電路 1445 0
碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應(yīng)用和發(fā)展
在碳化硅電力電子器件的研究中,SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天,SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點(diǎn)...
如何用MOS管實(shí)現(xiàn)防反接電路以及降壓電路呢?
在我們?nèi)粘4蚪坏赖碾娮赢a(chǎn)品中,基本上所有的電子元件都是用的直流電,因此當(dāng)我們的電源線插反時(shí),極易容易燒壞電子產(chǎn)品。
電平轉(zhuǎn)換電路和電源轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)
電平及電源轉(zhuǎn)換電路是硬件設(shè)計(jì)中的常見電路,用于將一個(gè)電平/電源轉(zhuǎn)換為另一個(gè)不同電平/電源,確保外設(shè)之間可以正常通信和工作。
2023-09-20 標(biāo)簽:仿真MOS電平轉(zhuǎn)換 4828 0
MOS檢測(cè)電路原理圖 自制一個(gè)簡(jiǎn)易的MOS檢測(cè)電路
很多小伙伴都說(shuō)MOS不好檢測(cè)。下面我?guī)Т蠹襾?lái)做一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS檢測(cè)電路。使用的材料很簡(jiǎn)單。一個(gè)管腳插座。一個(gè)100歐電阻。一個(gè)USB輸入插頭。一塊敷銅板...
mosfet的三個(gè)電極怎么區(qū)分 mos管三個(gè)極電壓關(guān)系
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)有三個(gè)主要電極,分別是柵極(Gate)、漏極(Source)和源極(Drain)。這三個(gè)電極的區(qū)分方法如下
三極管的基本原理 三極管如何實(shí)現(xiàn)電子開關(guān)功能
三極管有兩種類型,NPN型和PNP型,其結(jié)構(gòu)示意圖如下圖所示??梢钥闯觯龢O管是由兩個(gè)PN結(jié)經(jīng)過(guò)特殊的工藝技術(shù)處理形成的。三極管有三個(gè)極:基極、集電極和...
用最簡(jiǎn)單的方式帶你了解 MOS 管的七大封裝類型!
在制作 MOS 管之后,需要給 MOS 管芯片加上一個(gè)外殼,這就是 MOS 管封裝。MOS 管封裝不僅起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用,同時(shí)還可以為芯片提供電...
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