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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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超結(jié)MOS管65R380的特點(diǎn)及應(yīng)用領(lǐng)域
超結(jié)MOS也叫COOlMOS,是在普通MOS基礎(chǔ)上使用新型超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的MOS管。超結(jié)MOS管主要在500V、600V、650V及以上高電壓場(chǎng)合使用。
NP2302DVR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302D使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2302CVR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302C使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2302DHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302DHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2300VR-M(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300VR-M使用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門(mén)電荷和高密度細(xì)胞設(shè)計(jì)超低導(dǎo)通電阻。本設(shè)備適用于作為負(fù)載 在PWM開(kāi)關(guān)或應(yīng)用程序。
NP2300MR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2300BHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300BHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2300HR(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300HR-G使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這個(gè)設(shè)備 適合作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
在實(shí)際應(yīng)用中如果要說(shuō)哪款又便宜又可靠的MOS管當(dāng)屬2N7002,2N7002屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管。具有抗沖擊能力強(qiáng),輸出效率高,成本低等特點(diǎn)。仁懋電...
NP2012(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2012使用先進(jìn)的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門(mén)和收費(fèi) 操作門(mén)電壓2.5 v。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2312AMR(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2312A使用先進(jìn)的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和收費(fèi) 操作門(mén)電壓2.5 v。這 設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2018DR(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2018DR使用先進(jìn)的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和收費(fèi) 操作門(mén)電壓2.5 v。這 設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
根據(jù)Boost架構(gòu)類(lèi)型不同,Boost可分為同步和異步兩個(gè)大類(lèi),實(shí)際應(yīng)用的時(shí)候,會(huì)結(jié)合工作電壓和應(yīng)用場(chǎng)景不同來(lái)選型,因此在此基礎(chǔ)上,微源Boost會(huì)有更...
2022-07-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器BoostMOS 4283 0
基于EDA仿真驗(yàn)證進(jìn)行IGBT芯片研發(fā)的方法使用
IGBT是綜合MOS管和雙極型晶體管優(yōu)勢(shì)特征的一種半導(dǎo)體復(fù)合器件,作為功率半導(dǎo)體分離器件的代表,廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、消費(fèi)電子、工業(yè)控制領(lǐng)域,所涉及領(lǐng)域...
詳解功率半導(dǎo)體器件的常見(jiàn)分類(lèi)
電力電子變換器的功率等級(jí)覆蓋范圍非常廣泛,包括小功率范圍:如筆記本電腦、冰箱、洗衣機(jī)、空調(diào)等;中功率范圍電氣傳動(dòng)、新能源發(fā)電等;大功率范圍:如高壓直流輸...
CRE6255ME開(kāi)關(guān)電源芯片的功能特點(diǎn)
CRE6255ME 是一款內(nèi)置高壓 MOS 功率開(kāi)關(guān)管的高性能多模式原邊控制的開(kāi)關(guān)電源芯片。該產(chǎn)品方便用戶(hù)以較少的外圍元器件、較低的系統(tǒng)成本設(shè)計(jì)出高性能...
2022-07-03 標(biāo)簽:電源MOS開(kāi)關(guān)電源芯片 3929 0
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