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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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8.2.1 MOS靜電學(xué)回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.1MOS靜電學(xué)回顧8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》...
導(dǎo)語:海量小文件的元數(shù)據(jù)管理、存儲性能以及訪問效率等問題是目前學(xué)術(shù)界和工業(yè)界公認(rèn)的難題。杉巖海量對象存儲MOS利用包括小文件聚合功能在內(nèi)的獨(dú)特技術(shù),幫助...
2020-03-17 標(biāo)簽:MOS 752 0
降壓開關(guān)控制器70V轉(zhuǎn)5V 1A電源芯片
AH8691是一款功能強(qiáng)大、穩(wěn)定可靠的電壓降壓開關(guān)控制器芯片。它不僅具備高壓耐受和大電流輸出能力,還集成了多項(xiàng)實(shí)用的功能和保護(hù)措施,能滿足各種電路對電壓...
2023-09-13 標(biāo)簽:控制器MOS降壓開關(guān) 743 0
1T 8051 CPU指令集全兼容MCS-51的特性、集成PFG掃頻輸出、、觸摸、ADC及電源管理模塊,可實(shí)現(xiàn)高精度掃頻輸出、充電管理、升壓管理等。
士蘭微電子車規(guī)級MOS產(chǎn)品獲CIAS2024年度“最具市場力產(chǎn)品獎(jiǎng)”
2024年4月23-24日,CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會暨 CIAShow功率半導(dǎo)體、裝備與材料創(chuàng)新展在蘇州獅山國際會議中心舉辦,士蘭微...
外置MOS 開關(guān)型 PWM調(diào)光 降壓恒流驅(qū)動芯片
恒流IC,電源IC,電子IC,驅(qū)動IC,MOS管和降壓IC,升壓IC產(chǎn)品
谷峰GOFORD公司信息自1995年成立以來,Goford半導(dǎo)體已發(fā)展成為一家全球性公司
2023-09-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體消費(fèi)類電子MOS 721 0
瞄準(zhǔn)SiC MOS出貨量飆升,五大策略應(yīng)對市場挑戰(zhàn)
截至2023年,1200V碳化硅器件累計(jì)出貨超過了2400萬顆,得到了新能源汽車、消費(fèi)電子以及工業(yè)市場的客戶好評。其中SiC MOSFET營收迅速提升,...
NP2302FVR-YB(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302FVR-YB使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這個(gè)設(shè)備適用于使用作為PWM負(fù)荷開關(guān)或應(yīng)用程序。
8.2.12 MOSFET 瞬態(tài)響應(yīng)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.12MOSFET瞬態(tài)響應(yīng)8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和...
2022-03-07 標(biāo)簽:MOS 715 0
NP2102EKR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2102EKR設(shè)計(jì)最小化開態(tài)電阻(RDS(上)),但維護(hù)優(yōu)越的切換性能,使它適合高效率電源管理應(yīng)用程序。
S-MOS單元技術(shù)提高了SiC MOSFET的效率
采用 SiC 作為功率器件材料的優(yōu)點(diǎn)之一是能夠使用許多眾所周知的硅器件原理和制造程序?;酒骷?fù)浒ù怪毙ぬ鼗O管或垂直功率 MOSFET(在通過 ...
REASUNOS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOS在輔助電源上的應(yīng)用
輔助電源單開關(guān)反激式線路應(yīng)用,推薦瑞森半導(dǎo)體超高壓MOS系列,800V-1500V的研發(fā)及量產(chǎn),填補(bǔ)了國內(nèi)市場空白,打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面
遠(yuǎn)翔FP6293 異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片,可單/雙節(jié)鋰電池升壓輸出
FP6293是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置0.14Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多達(dá)6個(gè)外部組件計(jì)數(shù)...
6.3.4.2 MOS電容等效電路∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.4.2MOS電容等效電路6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征...
2022-01-07 標(biāo)簽:MOS 685 0
RS瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS在適配器上的應(yīng)用
瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS采用多層外延工藝,可對標(biāo)英飛凌C3、 P6、 P7系列產(chǎn)品,滿足不同功率的適配器應(yīng)用
【華秋×薩科微】2023年半導(dǎo)體行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)
半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概覽 ? WSTS 預(yù)測,2023年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將同比減少4.1%,降至 5,566億美元,但這一波下行周期有望在2023年下半年出...
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