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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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模擬開關(guān),是利用JFET或MOS的特性實現(xiàn)控制信號通路的開關(guān),主要用來完成信號鏈路連接或斷開的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無機械觸點、體積小和使...
2023-02-09 標(biāo)簽:JFET模擬開關(guān)MOS 3333 0
bms怎么區(qū)分充放電mos? BMS(電池管理系統(tǒng))是控制和監(jiān)測電池的重要組成部分,其中包括充放電MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體),用于控制電池的充電和放電過...
2024-03-27 標(biāo)簽:電池管理系統(tǒng)充放電MOS 3132 0
HC085N10L-B特性 100V貼片MOS管15N10低壓MOS 低結(jié)電容低內(nèi)阻
型號:HC085N10L 參數(shù):100V 15A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻71mR 低結(jié)電容436pF? 封裝:貼片(SOT89-3) 低開啟電壓1...
2021-01-15 標(biāo)簽:led場效應(yīng)管MOS管 3132 0
HG5511D參數(shù)特性 60V低壓MOS 40A結(jié)電容低 手機快充專用MOS管
MOS管型號:HG5511D 參數(shù):60V 40A? 封裝:DFN3333 內(nèi)阻:11mR(Vgs=10V) ? ? ? ? ? 14mR(Vgs=4....
2021-01-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 3097 0
據(jù)CNBC報道,特斯拉汽車公司已經(jīng)起訴其前雇員馬丁·特里普(Martin Tripp),后者涉嫌侵入其MOS(制造操作系統(tǒng))工廠軟件,將幾個GB公司數(shù)據(jù)...
100v低壓MOS管HG1006D參數(shù) DFN3X3
參數(shù):100V 25A? 封裝:DFN3333 內(nèi)阻:25mR(Vgs=10V) 30mR(Vgs=4.5V) 結(jié)電容:839pF 開啟電壓:1.7V ...
2021-01-15 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 3064 0
MOS管在音響功放上的應(yīng)用MOS管在音響數(shù)字化的市場上,使用的頻率已經(jīng)越來越高了。目前應(yīng)用于音響領(lǐng)域的場效應(yīng)管包括結(jié)型管(JFET)和絕緣棚場效應(yīng)管(M...
TECH PUBLIC(臺舟電子)簡介 臺舟電子股份有限公司是2009年建立,公司的精英設(shè)計團隊均來自于國內(nèi)外知名企業(yè),團隊主管曾任職于美國硅谷著名IC...
8A30V耐壓MOS管 n溝道 場效應(yīng)管(MOSFET)HC3600M介紹
型號:HC3600M 參數(shù):30V 8A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻22mR 低結(jié)電容445pF? 封裝:貼片(SOT23-3) 低開啟電壓1.5V ...
2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 3003 0
電容的使用環(huán)境還分電路內(nèi)部環(huán)境和電路外部環(huán)境,電路內(nèi)部環(huán)境包括頻率、電壓值、電流值、電容在電路中的主要作用等;根據(jù)電路頻率可以確定電容種類;根據(jù)電壓值可...
2022-12-14 標(biāo)簽:電容器開關(guān)電源MOS 2965 0
H012N06L參數(shù)特性 替代PAO4264E 貼片MOS管SOP-8
MOS管參數(shù):60V50A 內(nèi)阻:14mR(VGS=4.5V) 結(jié)電容:550pF 類型:SGT工藝NMOS 開啟電壓:1.8V 封裝:TO-252 H...
2021-01-19 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 2929 0
嵌入式源漏選擇性外延(Embedded Source and Drain Selective Epitaxy)
源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層,利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長,僅在曝露出硅的源漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)外延生長。
電力電子變換器的功率等級覆蓋范圍非常廣泛,包括小功率范圍:如筆記本電腦、冰箱、洗衣機、空調(diào)等;中功率范圍電氣傳動、新能源發(fā)電等;大功率范圍:如高壓直流輸...
MOS管漲價最新消息mosfet價格走勢長紅 Diodes 士蘭微等陸續(xù)發(fā)布漲價通知
受上游晶圓供應(yīng)緊缺情況的持續(xù)影響,近日,國內(nèi)外多家金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)廠商發(fā)布漲價通知,目前已累計四家MOS管廠商已經(jīng)啟動漲價,漲...
品佳推出基于NXP,Nexperia和Infineon產(chǎn)品的15W無線充電解決方案
大聯(lián)大控股宣布,其旗下品佳推出基于NXP,Nexperia和Infineon產(chǎn)品的15W無線充電解決方案,該方案包含了基于NXP MWCT1012CFM...
半導(dǎo)體公司的漲價函再次襲來 10家半導(dǎo)體公司7月1日起漲價
半導(dǎo)體公司的漲價函再次襲來,包括晶豐明源、必易微、集創(chuàng)北方等在內(nèi)的多家半導(dǎo)體公司都發(fā)布了漲價函,漲價函生效日期多為7月1日。 1、晶豐明源:7月1日起,...
納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車規(guī)級驅(qū)動芯片
納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車規(guī)級驅(qū)動芯片,該系列產(chǎn)品包含NSD8308(8通道)和NSD8306(6通道)兩款產(chǎn)品,內(nèi)部均集成多通...
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