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標(biāo)簽 > nvsram
NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫,即為非易失性SRAM。
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Everspin MRAM不影響系統(tǒng)性能下取代nvSRAM
nvSRAM使用傳統(tǒng)的捕獲電荷技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲(chǔ)。由于溫度和過多的寫入周期會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)損耗,因此數(shù)據(jù)可能會(huì)泄漏。
關(guān)于非易失性NV-SRAM的簡介,它的用途是什么
盡管閃存和其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)已廣泛用于實(shí)現(xiàn)嵌入式文件系統(tǒng),但對(duì)于某些嵌入式應(yīng)用程序來說可能太復(fù)雜了。在許多情況下的內(nèi)存可以最有效地用作已預(yù)先初始化的數(shù)...
賽普拉斯為其領(lǐng)先業(yè)界的F-RAM和nvSRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷售支持
賽普拉斯的F-RAM是業(yè)內(nèi)能效最高的NVRAM技術(shù),具有近乎無限的100萬億次讀寫耐久性。F-RAM 存儲(chǔ)單元中的鐵電材料可抵御由輻射或磁場(chǎng)導(dǎo)致的數(shù)據(jù)...
賽普拉斯針對(duì)掉電數(shù)據(jù)保存推出1Mb nvSRAM
非易失性RAM解決方案簡化了設(shè)計(jì),無需電池并減少了管腳數(shù) 用于RAID存儲(chǔ)、工業(yè)自動(dòng)化和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用
賽普拉斯推出串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM),該存儲(chǔ)器具有I2C和SPI接口,可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用
Cypress推出新款序列非揮發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(nv
Cypress Semiconductor公司推出新款序列非揮發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(nvSRAM),可支持儀表、工業(yè)以及汽車等應(yīng)用所常用的I2C與SPI界面
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