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      標(biāo)簽　>　nvsram

      nvsram

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      　　NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫，即為非易失性SRAM。

      文章：13個 瀏覽：18328次 帖子：8個

      nvsram資訊

      賽普拉斯針對掉電數(shù)據(jù)保存推出1Mb nvSRAM

      非易失性RAM解決方案簡化了設(shè)計，無需電池并減少了管腳數(shù) 用于RAID存儲、工業(yè)自動化和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用

      2015-08-04 標(biāo)簽：賽普拉斯SRAMnvSRAM 2114 1

      關(guān)于非易失性NV-SRAM的簡介，它的用途是什么

      盡管閃存和其他非易失性存儲技術(shù)已廣泛用于實現(xiàn)嵌入式文件系統(tǒng)，但對于某些嵌入式應(yīng)用程序來說可能太復(fù)雜了。在許多情況下的內(nèi)存可以最有效地用作已預(yù)先初始化的數(shù)...

      2020-09-11 標(biāo)簽：存儲器nvSRAM 1868 0

      賽普拉斯推出串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器

      賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(nvSRAM)，該存儲器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用

      2011-04-06 標(biāo)簽：賽普拉斯存儲器非易失性 1608 0

      賽普拉斯為其領(lǐng)先業(yè)界的F-RAM和nvSRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷售支持

      　賽普拉斯的F-RAM是業(yè)內(nèi)能效最高的NVRAM技術(shù)，具有近乎無限的100萬億次讀寫耐久性。F-RAM 存儲單元中的鐵電材料可抵御由輻射或磁場導(dǎo)致的數(shù)據(jù)...

      2016-01-25 標(biāo)簽：賽普拉斯F-RAMnvSRAM 1555 0

      Cypress推出新款序列非揮發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(nv

      Cypress Semiconductor公司推出新款序列非揮發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(nvSRAM)，可支持儀表、工業(yè)以及汽車等應(yīng)用所常用的I2C與SPI界面

      2011-03-29 標(biāo)簽：Cypress存取內(nèi)存nvSRAM 1316 0

      Timing Considerations When Usi

      Timing Considerations When Usi

      Timing Con

      2009-04-24 標(biāo)簽：NVSRAM 820 0

      Everspin MRAM不影響系統(tǒng)性能下取代nvSRAM

      nvSRAM使用傳統(tǒng)的捕獲電荷技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲。由于溫度和過多的寫入周期會導(dǎo)致數(shù)據(jù)損耗，因此數(shù)據(jù)可能會泄漏。

      2023-07-25 標(biāo)簽：存儲器nvSRAMMRAM 389 0

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        　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個可擴(kuò)展處理平臺Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計算性能水平。
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