VDMOS

Cool-MOS的定義、優(yōu)勢(shì)及實(shí)際應(yīng)用問(wèn)題分析

對(duì)于常規(guī)VDMOS 器件結(jié)構(gòu)， Rdson 與BV 這一對(duì)矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI 參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EP...

2017-11-29 標(biāo)簽：vdmoscoolmos 9278 0

RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹

IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動(dòng)和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身，因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。

2023-11-24 標(biāo)簽：MOSFETVDMOSIGBT 2604 0

金屬封裝功率器件管殼鍍金層腐蝕機(jī)理研究

金屬封裝形式的氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ VDMOS ）， 在經(jīng)歷篩選試驗(yàn)后，管殼表面的金屬層出現(xiàn)了腐蝕形貌， 通過(guò)顯微鏡觀察、 掃描電鏡、 EDS 能...

2024-06-20 標(biāo)簽：VDMOS封裝功率器件 1501 1

如何提高開(kāi)關(guān)電源芯片MOSFET雪崩可靠性？

當(dāng)功率器件PN結(jié)的反向電壓增大到某一數(shù)值后，半導(dǎo)體內(nèi)載流子通過(guò)碰撞電離開(kāi)始倍增，這一現(xiàn)象與宏觀世界中高山雪崩是很像的，所以我們稱之為雪崩擊穿。

2023-11-23 標(biāo)簽：MOSFET示波器VDMOS 1076 0

VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹

如圖1所示，VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴(kuò)散形成P型區(qū)和N+型區(qū)，在硅表面P型區(qū)和N+型區(qū)之間形成溝道，在柵極加壓后溝道開(kāi)啟，電流在溝道內(nèi)...

2024-10-08 標(biāo)簽：二極管VDMOS柵極 434 0

超結(jié)結(jié)構(gòu)工藝實(shí)現(xiàn)方式

在過(guò)去的二十年，MOSFET主要用作開(kāi)關(guān)器件，得到了長(zhǎng)足的發(fā)展，由于它是多子器件，有相對(duì)較小的開(kāi)關(guān)損耗，但其通態(tài)功耗較高，要降低通態(tài)功耗，導(dǎo)通電阻受擊穿...

2024-10-15 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體VDMOS 215 0

LDMOS和VDMOS

DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管VDMOSFET和橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管LDMOSFET。

2011-12-01 標(biāo)簽：VDMOSLDMOS 3.6萬(wàn) 0

大功率VDMOS(200V)的設(shè)計(jì)研究

本文分別從管芯的靜態(tài)參數(shù)設(shè)計(jì)方面，介紹了VMDOS(200 V)設(shè)計(jì)的方法以及仿真的結(jié)果，并對(duì)流片結(jié)果進(jìn)行了比較。

2011-12-20 標(biāo)簽：VDMOS 4842 0

200V/100A的VDMOS器件開(kāi)發(fā)

詳細(xì)論述了器件制造過(guò)程中的關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，包括柵氧化、光刻套準(zhǔn)、多晶硅刻蝕、P 阱推進(jìn)等。流水所得VDMOS 實(shí)測(cè)結(jié)果表明，該器件反向擊穿特性良好

2011-12-02 標(biāo)簽：VDMOS 3257 0