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TSV 指 Through Silicon Via，硅通孔技術(shù)，是通過(guò)硅通道垂直穿過(guò)組成堆棧的不同芯片或不同層實(shí)現(xiàn)不同功能芯片集成的先進(jìn)封裝技術(shù)。TSV 主要通過(guò)銅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充完成硅通孔的垂直電氣互連，減小信號(hào)延遲，降低電容、電感，實(shí)現(xiàn)芯片的低功耗、高速通信，增加帶寬和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化需求。...
金絲鍵合技術(shù)是微電子領(lǐng)域的封裝技術(shù)，一般采用金線，利用熱、壓、超聲共同作用，完成微電子器件中電路內(nèi)部連接，即芯片和電路或者引線框架之間的互連。本文在深入了解鍵合機(jī)理后，選用 25μm 金絲，基于正交試驗(yàn)方法，研究鍵合壓力、超聲功率、鍵合時(shí)間等參數(shù)對(duì)楔焊鍵合及球焊鍵合后金絲拉力及焊點(diǎn)形貌的影響，根據(jù)鍵...
半導(dǎo)體封裝方法，大致可以分為兩種：傳統(tǒng)封裝和晶圓級(jí)（Wafer-Level）封裝。傳統(tǒng)封裝首先將晶圓切割成芯片，然后對(duì)芯片進(jìn)行封裝；而晶圓級(jí)封裝則是先在晶圓上進(jìn)行部分或全部封裝，之后再將其切割成單件。...
氣態(tài)前驅(qū)體在晶圓上反應(yīng)，形成所需的薄膜沉積在晶圓表面。CVD可用于沉積多種金屬，如鎢、銅、鈦等。...
芯片上的集成，封裝內(nèi)的集成，PCB板級(jí)集成，是電子集成的三個(gè)層次。每一個(gè)層次的集成，都分為不同的環(huán)節(jié)。這篇文章，我們從層次-Level和環(huán)節(jié)-Step兩個(gè)方面來(lái)剖析現(xiàn)代電子集成技術(shù)。...
NPI是New Product Introduction的英文縮寫，意思是“新產(chǎn)品導(dǎo)入”。NPI工藝工程師主要職責(zé)是：制工接單；分析可行性；分派任務(wù)給零件單位；零件單位設(shè)計(jì)模具；給模具廠加工；完后試制零件給裝配；裝配后送樣給客戶；OK就量產(chǎn)；NG就對(duì)制程進(jìn)行改良或與客戶商量改變。...
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？...
基本焊接條件：熱壓超聲波焊接用于金線鍵合，所需的溫度、壓力、超聲波功率及時(shí)間視不同機(jī)型、不同材料有很大不同，具體根據(jù)機(jī)型、材料特性科學(xué)設(shè)定。...
封裝材料大致可分為原材料和輔助材料。原材料是構(gòu)成封裝本身的一部分，直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。而輔助材料則不屬于產(chǎn)品的本身構(gòu)成部分，它們僅在封裝過(guò)程中使用，隨后將被移除。...
而增材制造之所以被稱作劃時(shí)代的技術(shù)，是因?yàn)樗袷恰按罘e木”的過(guò)程，用粉末狀的材料為原料，通過(guò)逐層打印的方式來(lái)構(gòu)造我們需要的物體。...
納米壓印是微納工藝中最具發(fā)展?jié)摿Φ牡谌饪坦に嚕亲钣邢Ｍ〈鷺O紫外光的新一代工藝。最近，海力士公司從佳能購(gòu)買了一套奈米壓印機(jī)，進(jìn)行了大規(guī)模生產(chǎn)，并取得了不錯(cuò)的效果。...
中國(guó)5G、云計(jì)算、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等數(shù)字科技突飛猛進(jìn)，為數(shù)字經(jīng)濟(jì)廣泛輻射滲透提供了關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力量，正在不斷顛覆和重塑著傳統(tǒng)制造模式、生產(chǎn)組織方式和產(chǎn)業(yè)形態(tài)。...
在芯片制程中，互連、接觸、通孔和填充是常見(jiàn)術(shù)語(yǔ)，這四個(gè)術(shù)語(yǔ)代表了金屬化中不同的連接方式。那么互連、接觸、通孔和填充塞分別代表了什么？有什么作用呢？...
如何對(duì)系統(tǒng)和組件進(jìn)行可靠的封裝是微系統(tǒng)工業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)，因?yàn)槲⑾到y(tǒng)的封裝技術(shù)遠(yuǎn)沒(méi)有微電子封裝技術(shù)成熟。微系統(tǒng)封裝在廣義上講有三個(gè)主要的任務(wù)：裝配、封裝和測(cè)試，縮寫為AP&T. AP&T在整個(gè)生產(chǎn)成本中占有很大的比例。...
實(shí)現(xiàn)Chiplets封裝集成的動(dòng)機(jī)有很多。為了滿足不斷增長(zhǎng)的性能需求，芯片面積不斷增加，有些設(shè)計(jì)甚至?xí)鲅谀０婷娣e的限制，比如具有數(shù)百個(gè)核心的多核 CPU，或扇出非常大的交換[曹1] 電路（Switch）。...
摩爾定律到底是什么，封裝技術(shù)和摩爾定律到底有什么關(guān)系？1965年起初，戈登·摩爾表示集成電路上可容納的元器件數(shù)量約18個(gè)月便會(huì)增加一倍，后在1975年將這一定律修改為單位面積芯片上的晶體管數(shù)量每?jī)赡昴軐?shí)現(xiàn)翻番。...
在設(shè)計(jì)過(guò)程的早期階段，需要參與系統(tǒng)和封裝的分析，將設(shè)計(jì)劃分為各種芯片片段，并評(píng)估在計(jì)算、數(shù)據(jù)傳輸和制造成本方面的必要權(quán)衡。設(shè)計(jì)和驗(yàn)證工具（例如SystemVerilog）需要整合封裝設(shè)計(jì)和規(guī)劃知識(shí)，以支持協(xié)同設(shè)計(jì)工作流程。...
隨著工藝節(jié)點(diǎn)不斷變小，掩模版制造難度日益增加，耗費(fèi)的資金成本從數(shù)十萬(wàn)到上億，呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，同時(shí)生產(chǎn)掩模版的時(shí)間成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保證其設(shè)計(jì)有足夠高的品質(zhì)，重新優(yōu)化設(shè)計(jì)并再次制造一批掩模版將增加巨大的資金成本和時(shí)間成本。...
工業(yè) 4.0 工廠幾乎在每個(gè)制造過(guò)程中都將電子控制和監(jiān)控與有線或無(wú)線連接相結(jié)合。在多數(shù)情況下，需要將電子模塊安裝到狹小空間內(nèi)，而這些空間最初并非出于容納設(shè)計(jì)，因此極其緊湊的電子模塊必不可少。...
均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。...
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