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摘要： 隨著科技的發(fā)展，空調(diào)日漸普及，但是吊扇依舊受到眾多消費(fèi)者的青睞。英飛凌的永磁同步電機(jī)吊扇解決方案由非隔離的15 V、700 mA高壓（HV）降壓轉(zhuǎn)換器ICE5BR2280BZ和單片集成NPN型電壓調(diào)節(jié)器TLE4284供電，采用IM241系列CIPOSTM Micro IPM作為驅(qū)動(dòng)。XMC系...
?摘要 如今，Class D功率放大器在音頻系統(tǒng)中被廣泛使用。 然而，在放大器啟動(dòng)或關(guān)閉時(shí)，以及在靜音 / 取消靜音 切換期間，揚(yáng)聲器中經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)爆裂聲或點(diǎn)擊聲。這些 噪音可能會(huì)被聽(tīng)到，并使用戶(hù)感到不適。在音頻系統(tǒng)中 靜音功率放大器是避免在啟動(dòng)或關(guān)閉期間出現(xiàn)爆裂聲的 有效方法。此外，音頻系統(tǒng)有時(shí)播放...
雖然DUVL機(jī)器可以通過(guò)多重曝光技術(shù)將線寬縮小到7-5納米，但如果要獲得更小的線寬，DUVL已經(jīng)達(dá)到了極限。采用EUV作為光源的極紫外光刻（EUVL）成為研究的重點(diǎn)，其波長(zhǎng)為13.5納米。...
在半導(dǎo)體工藝中，“鍵合”是指將晶圓芯片連接到襯底上。粘接可分為兩種類(lèi)型，即傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法。傳統(tǒng)的方法包括晶片連接(或晶片連接)和電線連接，而先進(jìn)的方法包括IBM在60年代末開(kāi)發(fā)的倒裝芯片連接。...
晶圓測(cè)試的對(duì)象是晶圓，而晶圓由許多芯片組成，測(cè)試的目的便是檢驗(yàn)這些芯片的特性和品質(zhì)。為此，晶圓測(cè)試需要連接測(cè)試機(jī)和芯片，并向芯片施加電流和信號(hào)。...
PDK 提供了開(kāi)發(fā)平面芯片所需的適當(dāng)詳細(xì)程度，將設(shè)計(jì)工具與制造工藝相結(jié)合，以實(shí)現(xiàn)可預(yù)測(cè)的結(jié)果。但要讓該功能適用于具有異構(gòu)小芯片的PDK，要復(fù)雜很多倍。...
CP（Chip Probing）測(cè)試也叫晶圓測(cè)試(wafer test)，也就是在芯片未封裝之前對(duì)wafer進(jìn)行測(cè)試，這樣就可以把有問(wèn)題的芯片在封裝之前剔除出來(lái)，節(jié)約封裝和FT的成本。...
凸點(diǎn)金屬化是為了將半導(dǎo)體中P-N結(jié)的性能引出，其中熱壓倒裝芯片連接最合適的凸點(diǎn)材料是金，凸點(diǎn)可以通過(guò)傳統(tǒng)的電解鍍金方法生成，或者采用釘頭凸點(diǎn)方法，后者就是引線鍵合技術(shù)中常用的凸點(diǎn)形成工藝。...
WLP 可以有效提高封裝集成度，通常采用倒裝(FC)互連技術(shù)，是芯片尺寸封裝 CSP 中空間占用最小的一種。...
WAT需要標(biāo)注出測(cè)試未通過(guò)的裸片（die），只需要封裝測(cè)試通過(guò)的die。 FT是測(cè)試已經(jīng)封裝好的芯片（chip），不合格品檢出。WAT和FT很多項(xiàng)目是重復(fù)的，F(xiàn)T多一些功能性測(cè)試。WAT需要探針接觸測(cè)試點(diǎn)（pad）...
在自然界中，獲取成本最低的半導(dǎo)體就是硅。而硅料的提取是熔煉砂子。提到這里可能有朋友想到“光伏電池片用的也是硅片”。...
微納加工的高精度和精確度，可以在微米和納米尺度上精確控制材料的形狀和結(jié)構(gòu)，這使得制造微小器件和結(jié)構(gòu)成為可能。...
先看一些晶圓的基本信息，和工藝路線。 晶圓主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前對(duì)8吋，12吋硅片的應(yīng)用在不斷擴(kuò)大。這些直徑分別為100mm、150mm、200mm、300mm。硅片直徑的增大可降低單個(gè)芯片的制造成本。...
封裝的主要生產(chǎn)過(guò)程包括：晶圓切割，將晶圓上每一晶粒加以切割分離。粘晶，（Die-Attach）將切割完成的晶粒放置在導(dǎo)線架上。焊線，（WireBond）將晶粒信號(hào)接點(diǎn)用金屬線連接至導(dǎo)線架上。...
光刻機(jī)有很多種類(lèi)型，但有時(shí)也很難用類(lèi)型進(jìn)行分類(lèi)來(lái)區(qū)別設(shè)備，因?yàn)橛行┓诸?lèi)僅是在某一分類(lèi)下的分類(lèi)。...
用于定義晶圓表面特性的 TTV、彎曲和翹曲術(shù)語(yǔ)通常在描述晶圓表面光潔度的質(zhì)量時(shí)引用。首先定義以下術(shù)語(yǔ)以描述晶圓的各種表面。...
目前最先進(jìn)的黃光微影制程中，使用ArF準(zhǔn)分子雷射（λ=193nm）作為光源。nm為nano-meter，代表10的負(fù)九次方。...
當(dāng)?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時(shí)，電子密度處于最低水平。一般來(lái)說(shuō)，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過(guò)調(diào)整脈沖的占空比，可以將時(shí)間平均離子能量分布函數(shù)進(jìn)行調(diào)整。...
封裝可行性審查應(yīng)在封裝開(kāi)發(fā)初期進(jìn)行，審查結(jié)果需要提交給芯片和產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員做進(jìn)一步反饋。完成可行性研究后，須向封裝制造商下訂單，并附上封裝、工具、引線框架和基板的設(shè)計(jì)圖紙。...
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