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在多層集成電路中，薄的、短的局部互連提供片上連接，而厚的、長的全局互連在不同的塊之間傳輸。正如Lam Research技術總監(jiān)Larry Zhao所詳細描述的那樣，硅通孔（TSV）允許信號和功率從一層傳輸?shù)较乱粚印?..
隨著晶體管尺寸的逐步縮小，其特征尺寸也在不斷縮小，當特征尺寸到了22nm，平面晶體管由于其柵極對于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應，逐漸被一種新型的晶體管所取代，即鰭式場效應晶體管（Fin FET）。...
光刻材料一般特指光刻膠，又稱為光刻抗蝕劑，是光刻技術中的最關鍵的功能材料。這類材料具有光（包括可見光、紫外光、電子束等）反應特性，經(jīng)過光化學反應后，其溶解性發(fā)生顯著變化。...
摩爾定律是由英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來的。其內(nèi)容為;集成電路上可容納的品體管數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。這一定律揭示了信息技術進步的速度。...
芯片制造是當今世界最為復雜的工藝過程。這是一個由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個復雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個匯總，對這個復雜的過程有一個全面而概括的描述。...
刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側(cè)壁，是一種各向異性的刻蝕?？涛g后的側(cè)壁非常垂直，底部平坦。這是理想的刻蝕形態(tài)，它能夠非常精確地復制掩膜上的圖案。...
厚度的增加雖然提高了晶圓的穩(wěn)定性，但同時也帶來了新的挑戰(zhàn)，如熱管理問題和加工難度增加。更厚的晶圓意味著在制造過程中，熱量的分布可能更不均勻，這可能會影響到晶圓上芯片的制造質(zhì)量。...
芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。...
作為工業(yè)化長期積累的各類工業(yè)知識、機理模型和經(jīng)驗訣竅的結(jié)晶，工業(yè)軟件已經(jīng)從輔助工具演化為了工業(yè)化進程不可或缺的伴生物，是制造業(yè)的重中之重。...
光刻機經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機所能實現(xiàn)的最小工藝節(jié)點。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式光刻機發(fā)展到浸沒步進式投影光刻機和極紫外式光刻機。...
制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。...
光刻是集成電路（IC或芯片）生產(chǎn)中的重要工藝之一。簡單地說，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復制電路圖案的過程。...
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術是將雙極型晶體管、CMOS（互補金屬氧化物半導體）和DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）晶體管技術組合在單個芯片上的高級制造工藝。...
隨著芯片在算速與算力上的需求同步提升，當前高速信號傳輸、優(yōu)化散熱性能、實現(xiàn)更小型化的封裝、降低成本、提高可靠性以及實現(xiàn)芯片堆疊等已成為封裝領域的新追求。...
由于只有熱氧化法可以提供最低界面陷阱密度的高質(zhì)量氧化層，因此通常采用熱氧化的方法生成柵氧化層和場氧化層。...
1950年發(fā)明，早期模擬電路廣泛使用BIPOLAR工藝，BIPOALR工藝可以做到非常低的漏電，非常低的噪聲，但是BIPOLAR最大問題是實現(xiàn)數(shù)字電路比較困難，或者占用面積較大。...
襯底（substrate）是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導體器件，也可以進行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。...
在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機的縮放比為1:1，分辨率可達到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復接觸和分離，隨著曝光次數(shù)的增加，會引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。...
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