柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）等。
2024-03-13 11:41:42
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如下硅與石墨復(fù)配的負(fù)極材料的背散SEM，圓圈標(biāo)的地方是硅嗎？如果不是還請(qǐng)大佬指點(diǎn)一下，那些位置是硅？
2024-03-12 08:53:37
首先是多晶硅環(huán)節(jié)，全年全國(guó)產(chǎn)量超過143萬噸，同比增長(zhǎng)66.9%。其次是硅片環(huán)節(jié)，全年全國(guó)產(chǎn)量超622GW，同比增長(zhǎng)67.5%，更是實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品出口70.3GW的歷史性突破，同比增長(zhǎng)超過93.6%。
2024-02-29 16:21:53221 想問下硅碳/石墨復(fù)配負(fù)極300cls滿充拆解中間黑色的區(qū)域是什么？是什么原因?qū)е缕湫纬傻?
2024-02-29 13:48:15
Intel 硅光子Intel?硅光子將硅集成電路和半導(dǎo)體激光兩個(gè)重要發(fā)明結(jié)合在一起。與傳統(tǒng)電子產(chǎn)品相比，它可以實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)距離的數(shù)據(jù)傳輸。它利用了Intel?大批量硅制造的效率。特性為數(shù)據(jù)中心及其他領(lǐng)域
2024-02-27 12:19:00
人工破碎就是工人用碳化鎢錘多晶硅棒進(jìn)行錘擊達(dá)到粉碎的目的。碳化鎢的硬度僅次于鉆石，能夠保持鋒利的邊緣和形狀，即使在高強(qiáng)度使用下也不容易磨損。
2024-02-27 10:17:40181 
淺談安科瑞有源濾波器在多晶硅行業(yè)中的應(yīng)用 張穎姣 安科瑞電氣股份有限公司 上海嘉定 201801 摘要：本文結(jié)合青海黃河水電多晶硅項(xiàng)目中的有源濾波器使用效果進(jìn)行應(yīng)用分析，結(jié)果表明有源濾波器在多晶硅
2024-02-22 14:46:52120 
inFET 技術(shù)有幾個(gè)含義。最重要的是，硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的，而不是由電路設(shè)計(jì)者決定的。這意味著每個(gè)晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿過的鰭的數(shù)量而不是擴(kuò)散形狀的寬度來設(shè)置的。
2024-02-21 18:19:30172 
電力企業(yè)造成了較大的經(jīng)濟(jì)損失甚至是人身傷亡。
內(nèi)蒙東立“年產(chǎn)4.8萬噸多晶硅”項(xiàng)目，占地占地700畝畝，項(xiàng)目共分二期建設(shè)，東立光伏年產(chǎn)4.8萬噸多晶硅項(xiàng)目總投資116億元，規(guī)劃建設(shè)7500兆瓦
2024-02-20 11:04:57
提效的空間。美能光伏擁有“高效TOPCon電池研發(fā)解決方案”，其中對(duì)于柵線的高寬表征，硅片絨面金字塔形貌，薄層的電阻、方阻、接觸電阻、線電阻等表征，以及多晶硅層（PO
2024-02-19 13:11:22230 
，單晶光伏板和多晶光伏板的材料不同。單晶光伏板由高純度硅材料制成，硅材料由純凈的硅石經(jīng)過高溫熔煉而來，再經(jīng)過拉晶、切片、拋光等步驟制成單晶硅片。而多晶光伏板采用的是多晶硅材料，制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單一些，直接從熔融
2024-02-03 09:19:22651 多晶硅（polysilicon）是太陽能電池、儲(chǔ)能設(shè)備和半導(dǎo)體領(lǐng)域中廣泛使用的關(guān)鍵材料。
2024-01-23 17:16:18199 
多晶硅是一種重要的半導(dǎo)體材料，在許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。以下是多晶硅的一些主要用途。 太陽能電池板制造：多晶硅是太陽能電池板制造的關(guān)鍵材料之一。它可以通過將硅礦石熔化、形成硅棒并切割成薄片，進(jìn)而制備
2024-01-23 16:01:47666 光伏板單晶和多晶哪個(gè)發(fā)電多？ 太陽能光伏板是利用太陽光的能量轉(zhuǎn)換為電能的裝置。而光伏板的發(fā)電效率是一個(gè)衡量其性能的重要指標(biāo)。單晶和多晶是光伏電池的兩種常見制造工藝，它們?cè)诎l(fā)電效率上有所不同。在這
2024-01-23 14:58:14349 高質(zhì)量的p型隧道氧化物鈍化觸點(diǎn)(p型TOPCon)是進(jìn)一步提高TOPCon硅太陽能電池效率的可行技術(shù)方案。化學(xué)氣相沉積技術(shù)路線可以制備摻雜多晶硅層，成為制備TOPCon結(jié)構(gòu)最有前途的工業(yè)路線之一
2024-01-18 08:32:38287 在MEMS器件設(shè)計(jì)過程中電學(xué)性能是重中之重。MEMS大多數(shù)由襯底、介質(zhì)層和金屬層組成，硅襯底、多晶硅和金屬均與電學(xué)性能密不可分。
2024-01-13 10:38:201068 
SEMI-e 第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)將持續(xù)關(guān)注產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)和發(fā)展前沿，向20多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域提供一站式采購(gòu)與技術(shù)交流平臺(tái)。
2023-12-25 16:43:54284 
粉未達(dá)到需要的細(xì)度要求，顆粒細(xì)可達(dá)納米級(jí)。適合堅(jiān)硬材料微粉（如：金剛石砂輪磨料微粉）；電子微粉（半導(dǎo)體、多晶硅微粉）；樹脂微粉；醫(yī)藥微粉；化工微粉（如：碘微粉）；食品微粉
2023-12-14 09:31:27
光伏產(chǎn)業(yè)鏈涵蓋多晶硅料、硅片、電池片、組件以及電站五個(gè)環(huán)節(jié)。產(chǎn)業(yè)鏈以硅材料為主線，具體包括：上游為高純度多晶硅料以及硅片生產(chǎn)；中游為光伏電池片及組件生產(chǎn)；下游為光伏發(fā)電的應(yīng)用端即集中式和分布式電站。
2023-12-13 09:39:08254 
金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩(wěn)定均勻的有效功函數(shù)，兩種工藝都對(duì)薄膜厚度的均勻性要求較高。另外，先柵極的工藝對(duì)金屬薄膜沒有臺(tái)階覆蓋性的要求，但是后柵極工藝因?yàn)樾枰匦绿畛湓瓉?b class="flag-6" style="color: red">多晶硅柵極的地方，因此對(duì)薄膜的臺(tái)階覆蓋 性及其均勻度要求較高。
2023-12-11 09:25:31654 
外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長(zhǎng)的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16877 
9月份，西安智多晶微電子有限公司再傳好消息，智多晶微電子完成了數(shù)億人民幣的E輪融資，此次智多晶微電子的E輪融資由尚頎資本（上汽集團(tuán)金融平臺(tái)上汽金控旗下私募股權(quán)投資機(jī)構(gòu)）在管基金、上汽金控旗下上汽
2023-11-30 17:37:25789 硅是最常見的半導(dǎo)體材料，它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式，其中單晶硅在制造集成電路方面應(yīng)用最廣泛。硅材料的主要缺點(diǎn)是它的導(dǎo)電性較差，需要摻雜其他元素來提高其導(dǎo)電性。
2023-11-30 17:21:18824 太陽能光伏板的主要材料是硅，通常采用單晶硅、多晶硅或非晶硅等不同類型的硅片制成，以吸收和轉(zhuǎn)換太陽光為電能。
2023-11-25 09:34:20849 10月份，新能源汽車產(chǎn)量達(dá)到92.7萬輛，同比增長(zhǎng)27.9%。光伏電池產(chǎn)量增長(zhǎng)62.8%，汽車用鋰離子動(dòng)力電池增長(zhǎng)57.3%，充電樁增長(zhǎng)33.5%。生物基化學(xué)纖維增長(zhǎng)70.2%，太陽能工業(yè)用超白玻璃增長(zhǎng)37.5%，多晶硅增長(zhǎng)54.1%，這些綠色材料產(chǎn)品也都保持了比較快的增長(zhǎng)。
2023-11-21 17:09:18421 多晶硅層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關(guān)鍵技術(shù)，晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅電阻率等參數(shù)與電荷俘獲性能有密切的關(guān)系；此外，由于多晶硅/硅的復(fù)合結(jié)構(gòu)，使得硅晶圓應(yīng)力極難控制。
2023-11-21 15:22:10410 據(jù)報(bào)道，內(nèi)蒙古鑫華半導(dǎo)體科技有限公司有關(guān)負(fù)責(zé)人表示，該項(xiàng)目投資約28億元，產(chǎn)值約24億元，可生產(chǎn)1萬噸電子級(jí)硅。鑫華是目前國(guó)內(nèi)最大的半導(dǎo)體多晶硅供應(yīng)企業(yè)。
2023-11-17 14:55:25677 ，適用于單晶硅、多晶硅、非晶薄膜、染料敏化、有機(jī)、III-V 族半導(dǎo)體等各種不同類型的太陽電池。太陽光模擬器不僅應(yīng)用于太陽能電池研究，還可用于光電響應(yīng)型器件測(cè)試，表面
2023-11-04 15:44:27
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何生產(chǎn)多晶硅太陽能電池.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-02 10:09:50
0 可以直接用光耦三極管來控制可控硅的g極嗎？之前沒用過，可以把可控硅理解為一個(gè)大功率高速開關(guān)嗎
2023-11-02 06:51:06
硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應(yīng)用？又是怎樣制造出來的呢？
2023-10-26 09:47:01501 
請(qǐng)教各位大神，如圖，這個(gè)是延遲關(guān)斷燈的電路，請(qǐng)問這個(gè)電路開始按下開關(guān)的時(shí)候，可控硅是怎么打開的，電路的上可控硅的G極我看不出來有正向的電壓啊。。。。2個(gè)穩(wěn)壓管的參數(shù)我是隨便寫的，可以的話幫忙算下穩(wěn)壓管大概多少值的。手上沒工具測(cè)。
2023-10-24 16:05:18
有沒有簡(jiǎn)單一些的辦法實(shí)現(xiàn)可控硅直流關(guān)斷技術(shù)
2023-10-10 07:21:55
儲(chǔ)能便攜電源充電的時(shí)候，有一種充電方式是太陽能板充電。這種充電方式非常適合在遠(yuǎn)離都市沒有電源的環(huán)境下利用太陽光進(jìn)行充電，身在曠野也不用擔(dān)心用電問題，這是戶外電源非常受旅友喜歡的一個(gè)原因。
2023-10-07 10:37:08431 9月26日，德國(guó)有機(jī)硅及多晶硅龍頭企業(yè)瓦克化學(xué)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“瓦克化學(xué)”）在江蘇省張家港生產(chǎn)基地舉行開工儀式，宣布將在中國(guó)擴(kuò)建特種有機(jī)硅產(chǎn)能。該擴(kuò)建項(xiàng)目計(jì)劃投資約1.5億歐元（約合人民幣
2023-09-28 15:21:18476 實(shí)用可控硅電路集合
2023-09-26 14:19:22
本書介紹了雙向可控硅的應(yīng)用實(shí)例,共計(jì)50G 例,分二十八類。每一例均給出了電路原理和應(yīng)用電路圖,涉及家用電器、娛樂,消費(fèi)、工業(yè)控制、自動(dòng)化等領(lǐng)域,對(duì)于電子愛好者仿制和產(chǎn)品開發(fā)都具有重要的參考價(jià)值。
2023-09-20 08:12:13
2023-09-18 17:04:381 太陽能電池（光伏電池）：是光伏組件的核心部分，將太陽光轉(zhuǎn)化為電能。常見的光伏電池包括單晶硅、多晶硅和薄膜硅等。
2023-09-03 10:46:53445 Mos管在芯片中放大可以看到像一個(gè)“講臺(tái)”的三維結(jié)構(gòu)，晶體管是沒有電感、電阻這些容易產(chǎn)生熱量的器件的。最上面的一層是一個(gè)低電阻的電極，通過絕緣體與下面的平臺(tái)隔開，它一般是采用了P型或N型的多晶硅用作柵極的原材料，下面的絕緣體就是二氧化硅。
2023-08-29 15:54:05457 
濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點(diǎn)的，比如價(jià)格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會(huì)用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44888 
2023 年 RISC-V 中國(guó)峰會(huì)上，倪光南院士表示，“RISC-V 的未來在中國(guó)，而中國(guó)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)也需要 RISC-V，開源的 RISC-V 已成為中國(guó)業(yè)界最受歡迎的芯片架構(gòu)”。大家怎么看呢？
2023-08-26 14:16:43
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
開關(guān)電源常用的開關(guān)管有哪些類型 開關(guān)電源的開關(guān)管是構(gòu)成開關(guān)電源的核心部分，其主要功能是對(duì)高電壓、大電流進(jìn)行開關(guān)控制，實(shí)現(xiàn)輸入電源與輸出負(fù)載之間的轉(zhuǎn)換。常見的開關(guān)管類型包括多晶硅管、背陰極場(chǎng)效應(yīng)管
2023-08-18 14:07:132241 處理；
5.化合物合金（砷化鎵、氮化物等）；
6.多晶硅退火；
7.太陽能電池片退火；
8.高溫退火；
9.高溫?cái)U(kuò)散。
2023-08-16 18:24:19448 
實(shí)際使用的材料多由多晶體組成，多晶體材料是由許多取向不同的小單晶體，即晶粒組成的。晶粒和晶粒之間的過渡區(qū)域就稱為晶界
2023-08-11 10:20:381077 
2023年上半年以多晶硅致密料、單晶硅片M10、單晶PERC電池片M10為例，價(jià)格分別下降71.43%、51.97%、34.26%。 年內(nèi)多晶硅致密料最高價(jià)位于2月，硅片最高價(jià)位于4月中旬，電池
2023-07-17 15:34:51639 
超凈高純電子級(jí)氫氟酸、電子級(jí)多晶硅都是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。記者從省工業(yè)和信息化廳了解到，半導(dǎo)體關(guān)鍵材料是我省的優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)，在硅片、濕化學(xué)品、電子特氣、超純銅等方面有較好技術(shù)積淀并不斷有新突破，部分產(chǎn)品還打破了國(guó)外壟斷。
2023-07-14 16:54:30563 多晶硅 本周多晶硅復(fù)投料價(jià)格61-70元/千克，致密料價(jià)格58-67元/千克，多晶硅價(jià)格大穩(wěn)小動(dòng)。 隨著6月底多筆萬噸大單簽訂多晶硅生產(chǎn)企業(yè)庫(kù)存壓力顯著減少，市場(chǎng)價(jià)格觸底言論盛行，多家貿(mào)易商進(jìn)場(chǎng)囤貨
2023-07-14 16:15:57191 從市場(chǎng)形勢(shì)來看，“硅片雙寡頭”紛紛大舉調(diào)降硅片報(bào)價(jià)，也在業(yè)界意料之中。畢竟，上游多晶硅價(jià)格在5-6月份再次出現(xiàn)大幅下跌，僅6月份的跌幅就超過40%。光伏產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品價(jià)格全線下滑，硅片實(shí)際上成交均價(jià)也低于公示的報(bào)價(jià)。因此，下調(diào)報(bào)價(jià)也是情理之中的事情。
2023-07-13 16:15:55315 
2023年上半年，國(guó)內(nèi)光伏市場(chǎng)“劇烈動(dòng)蕩”，在市場(chǎng)各個(gè)主材環(huán)節(jié)過剩的大背景下，光伏上游價(jià)格出現(xiàn)“雪崩”，SMM價(jià)格追蹤顯示截至6月30日，國(guó)內(nèi)多晶硅價(jià)格較上半年高點(diǎn)跌幅達(dá)到72.2%，182mm硅片
2023-07-13 15:02:291519 
硅是最常見的半導(dǎo)體材料，它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式，其中單晶硅在制造集成電路方面應(yīng)用最廣泛。硅材料的主要缺點(diǎn)是它的導(dǎo)電性較差，需要摻雜其他元素來提高其導(dǎo)電性。
2023-07-13 10:55:484352 
IGBT單胞結(jié)構(gòu)參數(shù)：溝道長(zhǎng)度4.3μm，溝道寬度2E4μm，多晶硅區(qū)半寬度13μm，窗口區(qū)半寬度12μm
2023-07-05 10:40:22585 
編者注：TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項(xiàng)技術(shù)是目前唯一的垂直電互連技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2023-07-03 09:45:342001 
在DRAM生產(chǎn)中，離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 09:59:27317 
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
零點(diǎn)熱漂移是影響85-015G-XX壓力傳感器性能的一個(gè)重要指標(biāo)，得到了廣泛的重視。在國(guó)際之上，一般認(rèn)為零點(diǎn)熱漂移只與力敏電阻的不等式及其溫度非線性有關(guān)。實(shí)際上，零點(diǎn)熱漂移也與力敏電阻的反向泄漏有關(guān)。在這方面，多晶硅可以吸收襯底中的重金屬雜質(zhì)，從而減少力敏電阻的反向漏，改善零點(diǎn)熱漂移。
2023-06-13 14:14:27359 
什么是單晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別，多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面，主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423975 當(dāng)晶體管尺寸縮小時(shí)，多晶硅內(nèi)摻雜物的擴(kuò)散效應(yīng)可能會(huì)影響器件的性能。
2023-06-11 09:09:19727 
在代理模式（Proxy Pattern）中，一個(gè)類代表另一個(gè)類的功能。這種類型的設(shè)計(jì)模式屬于結(jié)構(gòu)型模式。
2023-06-09 15:27:56562 
單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型，其主要區(qū)別在于材料。
單晶硅光伏板是由單個(gè)晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性，因此在太陽能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是，制造過程成本較高，價(jià)格較貴。
2023-06-08 16:04:414914 BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā)，推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程，然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二維和三維情況，包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。
2023-06-08 09:01:57860 
定義對(duì)象之間的一種一對(duì)多依賴關(guān)系，使得每一個(gè)對(duì)象發(fā)生狀態(tài)的變化時(shí)，其相關(guān)依賴對(duì)象皆得到通知并被自動(dòng)更新，又稱為發(fā)布-訂閱模式、模型-視圖模式、源-監(jiān)聽器模式或從屬者模式。
2023-06-07 16:56:58435 
在狀態(tài)模式（State Pattern）中，類的行為是基于它的狀態(tài)改變的。這種類型的設(shè)計(jì)模式屬于行為型模式。
2023-06-07 11:20:41349 
在策略模式（Strategy Pattern）中，一個(gè)類的行為或其算法可以在運(yùn)行時(shí)更改。這種類型的設(shè)計(jì)模式屬于行為型模式。
2023-06-07 11:18:47401 
這位叫做 Sam Zeloof 的美國(guó)大學(xué)生，最終打造出1200個(gè)晶體管的CPU！ 在10微米的多晶硅柵極工藝上實(shí)現(xiàn)，命名為Z2。 重點(diǎn)是，與英特爾上世紀(jì)70年代聞名于世的處理器4004使用了相同技術(shù)。
2023-06-06 11:46:111084 
硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011596 多晶硅 晶7元/千克，多晶硅致密料主流價(jià)格110-123元/千克，多晶硅價(jià)格指數(shù)106.23元/千克。 多晶硅價(jià)格再度走跌，多晶硅庫(kù)存持續(xù)走高目前已經(jīng)逼近13萬大關(guān)，硅片價(jià)格的走跌一定程度加速
2023-06-05 09:53:13918 審核編輯?黃宇
2023-06-05 09:52:18153 
審核編輯?黃宇
2023-06-01 09:38:20245 
審核編輯?黃宇
2023-05-31 10:04:53149 
近年來，隨著光伏產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大，技術(shù)迭代升級(jí)不斷加快，智能制造迅速推廣，中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛。中國(guó)在全球清潔能源產(chǎn)品供應(yīng)鏈中占據(jù)有重要地位，太陽能光伏制造業(yè)中，中國(guó)擁有全球90%以上的晶圓產(chǎn)能、2/3的多晶硅產(chǎn)能和72%的組件產(chǎn)能。
2023-05-29 17:31:31716 單晶爐，全自動(dòng)直拉單晶生長(zhǎng)爐，是一種在惰性氣體（氮?dú)?、氦氣為主）環(huán)境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長(zhǎng)無錯(cuò)位單晶的設(shè)備。
2023-05-16 09:48:515624 
LTC?3524 是一款集成 BIAS 和白光 LED 功率轉(zhuǎn)換器解決方案，以用于中小尺寸的多晶硅薄膜晶體管 (TFT) 液晶 (LCD) 顯示屏。該器件采用單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池或任何 2.5V
2023-05-15 17:04:32
勵(lì)磁功率單元和勵(lì)磁可控硅作用一樣嗎？求解答
2023-04-13 10:12:53
首先我們要知道光伏發(fā)電的原理是什么，光伏發(fā)電是利用半導(dǎo)體界面的光生伏特效應(yīng)而將光能直接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N技術(shù)。這種技術(shù)的關(guān)鍵元件是太陽能電池，太陽能光伏發(fā)電的最基本元件是太陽能電池（片），有單晶硅、多晶硅、非晶硅和薄膜電池等。
2023-04-11 15:32:1027720 光伏電站的光伏板電壓是變化的，因?yàn)樗艿蕉鄠€(gè)因素的影響。一般來說，標(biāo)準(zhǔn)的單晶或多晶硅太陽能電池板的額定電壓為大約 30 ～ 40 伏特。
2023-04-11 15:28:0422607 如圖所示：1.單片機(jī)給IO口發(fā)送一個(gè)高電平后光耦3063會(huì)立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過零點(diǎn)導(dǎo)通2.如果光耦在輸入電壓的過零點(diǎn)導(dǎo)通，是否可以認(rèn)為可控硅兩端的電壓為零，此時(shí)可控硅不導(dǎo)通，那如果是這樣請(qǐng)問這個(gè)電路可控硅是何時(shí)導(dǎo)通的，又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控硅T2和G極之間的電壓為多少，怎么理解
2023-04-10 21:59:00
、華人電池網(wǎng)、桿塔網(wǎng)、鋰電網(wǎng)、光電巴巴、光伏測(cè)試網(wǎng)、光伏電力網(wǎng)、光伏交易網(wǎng)、光伏商貿(mào)網(wǎng)、光伏系統(tǒng)網(wǎng)、光伏英才網(wǎng)、硅業(yè)在線贏硅網(wǎng)、《東方照明》、《中國(guó)路燈》、《電源工業(yè)》雜志等國(guó)內(nèi)外上千家媒體報(bào)道。參展
2023-04-08 10:36:29
DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162195 硅料是光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心原材料。 光伏硅料，即太陽能級(jí)多晶硅（SoG-Si），是光伏產(chǎn)業(yè)鏈中最上游的原材料，為帶有金屬光澤的灰黑色固體，具有熔點(diǎn)高（1410℃）、硬度大、有脆性、常溫下化學(xué)性質(zhì)不活潑等特性，且具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，被稱為光伏產(chǎn)業(yè)鏈中的“黑金”。
2023-04-04 10:30:4718886 下圖顯示了Intel的第6代晶體管（6T）SRAM尺寸縮小時(shí)間表，以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖。可以看出，SRAM的布局從65nm節(jié)點(diǎn)已發(fā)生
2023-04-03 09:39:402451 法國(guó)松尼克蓄電池（中國(guó)）有限公司-松尼克蓄電池 Power-sonic Battery法國(guó) Power-sonic蓄電池（中國(guó)）有限公司是法國(guó) Power-sonic
2023-03-27 13:54:33
1.可控硅簡(jiǎn)介 可控硅，也叫晶閘管，廣泛應(yīng)用于交流控制系統(tǒng)中，可實(shí)現(xiàn)小功率控制大功率設(shè)備。 可控硅分單向可控硅和雙向可控硅，雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，可以實(shí)現(xiàn)雙向
2023-03-23 15:19:30
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