飛兆半導體小體積低導通阻抗單一P溝道PowerTrench MOSFET

　　飛兆半導體公司（Fairchild Semiconductor） 現(xiàn)為手機和其它超便攜應用的設計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開關解決方案的需求。

　　FDMA905P和FDME905PT是具有低導通阻抗的MOSFET，這些器件具有出色的散熱性能和小占位尺寸，也非常適合線性模式應用。

　　特性和優(yōu)勢

　　FDMA905P：

　　· 采用2mm x 2mm MicroFET 封裝，器件高度 – 最大0.8mm

　　· 確保低RDS（ON） （MAX RDS（ON） = 16mΩ at VGS = -4.5V， ID = -10A）

　　· 具有出色的散熱性能（RΘJA = 52 ℃/W）

　　FDME905PT：

　　· 采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封裝，器件高度 – 最大0.55mm

　　· 確保低 RDS（ON） （MAX RDS（ON） = 22mΩ at VGS = -4.5V， ID = -8A）

　　· 具有出色的散熱性能（RΘJA = 60 ℃/W）

　　FDMA905P和FDME905PT不含鹵化物和氧化銻，滿足RoHS標準的要求。兩款器件均可在低電壓下安全運作，適用于手機和超便攜設備。

　　飛兆半導體是便攜技術的領先廠商，提供可定制的豐富的模擬和功率IP產品系列以滿足特定的設計需求，以實現(xiàn)“解決方案助您成功”的目標。通過將先進的電路技術集成在微型高級封裝中，飛兆半導體為便攜產品用戶提供了重要的優(yōu)勢，同時能夠減小設計的尺寸、成本和功率。飛兆半導體的便攜IP業(yè)已用于現(xiàn)今大部分手機中。