摘要：功率半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用于多個戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，而散熱問題是影響其性能、可靠性和壽命的關(guān)鍵因素之一。氮化鋁粉體具有高熱導(dǎo)率等優(yōu)點，被廣泛認為是用于制備半導(dǎo)體功率器件用陶瓷基板的優(yōu)良材料。本文檢索
2024-03-06 08:09:08
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2023年，東芝半導(dǎo)體的功率器件銷售額估計約為1000億日元，其中35%用于汽車市場，20%用于工業(yè)市場。
2024-03-04 18:10:33301 擁有能夠在高頻下高功率運行的半導(dǎo)體固然很好，但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢，但有一個主要缺點嚴重阻礙了其在眾多應(yīng)用中替代硅的能力：缺乏 P -類型。
2024-02-29 10:26:3289 有關(guān)？
舉例說2.5的能效比，空調(diào)每耗電一度，向外界排出2.5KW的熱量，也就是說，空調(diào)排出的熱量大于消耗的電功率，也可能是我的理解有錯誤，存在誤區(qū)，或者是對熱量消耗的功率不太理解正確，空調(diào)排出的熱量
2024-02-22 14:46:48
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）充電樁市場隨著高壓直流快充的推廣，在一些400kW以上的充電樁中已經(jīng)采用了SiC功率器件。同為第三代半導(dǎo)體的GaN，由于在高頻應(yīng)用上的優(yōu)勢，一些廠商也在推動GaN進入到
2024-02-21 09:19:283847 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測標準l AEC-Q101分立器件認證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨家銷售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場。
2024-01-13 17:17:561042 功率半導(dǎo)體是一類特殊的半導(dǎo)體器件，具有高電壓、大電流和高溫等特點，廣泛應(yīng)用于電力電子、電力系統(tǒng)、新能源等領(lǐng)域。本文將對功率半導(dǎo)體的原理和功能進行詳細介紹。 功率半導(dǎo)體的工作原理 功率半導(dǎo)體的工作原理
2024-01-09 16:22:11380 
電源散熱技術(shù)，都有助于實現(xiàn)電源從組件到系統(tǒng)的全方位突破。因此，基于GaN功率器件來研究高頻、高效和輕量化的宇航電源，將引導(dǎo)新一代宇航電源產(chǎn)品實現(xiàn)性能參數(shù)的巨大飛躍，
2024-01-05 17:59:04272 
在第十四屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇上，龍騰半導(dǎo)體以其卓越的品質(zhì)、出色的市場表現(xiàn)和技術(shù)創(chuàng)新能力，榮獲了“國產(chǎn)功率器件行業(yè)卓越獎”。這一榮譽不僅是對龍騰半導(dǎo)體的肯定，更是對其在推動國產(chǎn)功率器件行業(yè)發(fā)展中的突出貢獻的認可。
2024-01-04 15:35:33257 據(jù)日經(jīng)新聞消息，日本富士電機(Fuji Electric)將在2024～2026年度的3年內(nèi)向半導(dǎo)體領(lǐng)域投資2000億日元（折合人民幣約100億元）規(guī)模。
2023-12-29 10:22:26298 富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片MB89R118C的優(yōu)點:? 抗金屬，可在金屬環(huán)境中使用。? 可耐200度高溫。? 高速數(shù)據(jù)寫入：可提高數(shù)據(jù)寫入時的效率。? 穩(wěn)定的通信距離
2023-12-27 13:53:33
功率半導(dǎo)體通過對電流與電壓進行調(diào)控實現(xiàn)電能在系統(tǒng)中的形式轉(zhuǎn)換與傳輸分配，能夠實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護、逆變（直流轉(zhuǎn)交流）和整流（交流轉(zhuǎn)直流）等作用。
2023-12-27 09:47:44221 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 2023年12月21日 ，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布 其旗下 詮鼎 推出 基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN器件-INN650TA030AH
2023-12-21 19:20:02257 
2023年12月15日，中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡化電源設(shè)計，實現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計目標。
2023-12-15 16:44:11462 半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 根據(jù)不同的誘因，常見的對半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
高性能陶瓷基板具有優(yōu)異的機械、熱學(xué)和電學(xué)性能，在電子和半導(dǎo)體領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，可以支撐和固定半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)材料。
2023-12-12 09:35:50242 
近日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“氮化鎵功率電子器件技術(shù)分論壇”上，臺灣元智大學(xué)前副校長、臺灣成功大學(xué)特聘
2023-12-09 14:49:03921 
作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢。
2023-12-07 09:44:52777 
功率半導(dǎo)體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機驅(qū)動等功率電子領(lǐng)域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個芯片上，形成一個完整的
2023-12-04 17:00:57682 功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。典型的功率處理，包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。早期的功率半導(dǎo)體器件：大功率二極管
2023-12-03 16:33:191134 
功率半導(dǎo)體有多種類型，我們可以使用它們的應(yīng)用甚至更多?；旧希?b class="flag-6" style="color: red">功率半導(dǎo)體器件都可以分為三類：二極管、晶閘管和晶體管。
2023-11-27 13:24:26240 功率半導(dǎo)體器件是電子電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的核心元器件，廣泛應(yīng)用于變頻、整流、逆變、放大等電路。封裝工藝對于功率半導(dǎo)體器件的性能、可靠性和成本具有重要影響。本文將介紹功率半導(dǎo)體器件的典型封裝工藝，包括引腳插入、塑封、散熱設(shè)計等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2023-11-23 11:12:13375 
作為電子系統(tǒng)中的最基本單元，半導(dǎo)體功率器件在包括汽車電子、消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備、航空航天、武器裝備、儀器儀表、工業(yè)自動化、醫(yī)療電子等各行業(yè)都起著至關(guān)重要的作用。本文辰達行將介紹功率器件的定義和分類。
2023-11-14 10:16:42683 
電子電力器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，在世界上已經(jīng)得到了極為廣泛的運用，主要是作為開關(guān)和放大器來使用。它出現(xiàn)在社會生活中的各個方面，如醫(yī)療、教育、能源、環(huán)境和航空航天，甚至涉及到了現(xiàn)代化國防武器裝備
2023-11-10 10:15:031964 
硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開關(guān)中，如電源、電機控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些應(yīng)用中，更高的擊穿電壓和更低的導(dǎo)通電阻是使功率
2023-11-09 11:26:43438 
一、功率器件在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的位置功率半導(dǎo)體器件，簡稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動芯片
2023-11-08 17:10:15822 
功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件，主要用作電路和系統(tǒng)中的開關(guān)或整流器。如今，功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類活動的各個行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體，電動汽車包括功率半導(dǎo)體，飛機和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體。
2023-11-07 10:54:05459 
功率半導(dǎo)體，作為現(xiàn)代電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組成部分，扮演著將電能轉(zhuǎn)化、控制和分配到各種設(shè)備的重要角色。專門設(shè)計用于處理高功率電信號和控制電力流動的半導(dǎo)體器件，與低功率應(yīng)用中使用的小信號半導(dǎo)體不同，功率半導(dǎo)體經(jīng)過優(yōu)化可以處理高電壓、高電流和高溫。
2023-11-06 15:10:27490 
半導(dǎo)體材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導(dǎo)體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 寬
2023-11-03 12:10:02273 
氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽半導(dǎo)體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 ，已得到廣泛應(yīng)用 ;而以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石等寬禁帶為代表的第3代半導(dǎo)體材料，由于其較第1代、第2代材料具有明顯的優(yōu)勢，近年來得到了快速發(fā)展。
2023-10-25 15:10:27278 
使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。
2023-10-20 09:59:40707 
解更多公司，建議查詢相關(guān)網(wǎng)站。 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化 SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化可以通過以下途徑實現(xiàn)： 與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)合作：尋找現(xiàn)有的使用SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的企業(yè)，與他們合作，共同研究開發(fā)新產(chǎn)品，將技術(shù)轉(zhuǎn)化為商業(yè)化
2023-10-18 16:14:30586 功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計的時候，需要多一塊區(qū)域，來承擔外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點之一。
2023-10-18 11:16:21878 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:44544 10月13日，譽鴻錦半導(dǎo)體在深圳國際會展中心（寶安新館) 正式舉辦氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會，暨譽鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會活動。發(fā)布會由譽鴻錦品牌戰(zhàn)略官張雷主持，首次向行業(yè)
2023-10-13 14:05:1188 英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
與此同時，富士通還積極投身到全球各項可持續(xù)發(fā)展及碳中和行動項目當中。就在本月，富士通宣布通過參與世界可持續(xù)發(fā)展工商理事會(WBCSD)的碳足跡數(shù)據(jù)共享倡議行動(PACT)，成功實現(xiàn)了整個供應(yīng)鏈中二氧化碳排放量的可視化。
2023-09-22 17:12:49653 機構(gòu)Yole數(shù)據(jù)顯示，2022年GaN功率器件在總功率半導(dǎo)體（功率芯片、功率分立器件和模塊）市場中的占比僅為0.3%。盡管GaN功率率器件的復(fù)合年增長率很高（59%），Yole預(yù)計到2027
2023-09-21 17:39:211626 
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓撲，效率在開關(guān)頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25889 GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25657 
氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍色發(fā)光器件中具有重要應(yīng)用價值的半導(dǎo)體。。GaN材料的研究和應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，是發(fā)展微電子器件和光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。
2023-09-07 17:07:551783 
調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場正在穩(wěn)步擴大。
2023-09-04 15:13:24364 
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
來源：光明日報 據(jù)光明日報消息，近日，本源量子計算科技（合肥）股份有限公司的研發(fā)團隊成功研制出第一代商業(yè)級半導(dǎo)體量子芯片電路載板，成功填補了國內(nèi)此前在該領(lǐng)域的空白，打破國際上的技術(shù)壁壘。 據(jù)悉
2023-08-14 18:03:06706 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mode（增強型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。
2023-08-09 16:10:10555 
? 點擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國” ， 關(guān)注我們 ???????? 文末有福利 如今，開發(fā)電子電力器件的難度不斷飆升，如何在滿足綠色低碳和和持續(xù)發(fā)展的要求下既不斷提升效率和功率性能，同時又不
2023-08-03 08:05:01369 
貞光科技從車規(guī)微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號處理芯片、存儲芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車電子元器件為客戶提供全產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)解決方案?！?b class="flag-6" style="color: red">功率半導(dǎo)體的定義功率半導(dǎo)體，又稱電力
2023-07-27 16:20:04415 
功率半導(dǎo)體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護、逆變（直流轉(zhuǎn)交流）和整流（交流轉(zhuǎn)直流）等作用。
2023-07-27 16:17:151630 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
友尚基于ST產(chǎn)品的GaN電源轉(zhuǎn)換器方案的實體圖 近年來，以氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料在消費電子領(lǐng)域的滲透率不斷提升，其能夠以高能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換，在快充時代備受歡迎。針對此趨勢，大聯(lián)大友尚基于ST ViperGaN50器件推出了GaN電源轉(zhuǎn)換器方案，能夠優(yōu)化電
2023-07-20 18:05:06499 
在此方向上，青桐資本項目伙伴「量芯微半導(dǎo)體（GaNPower）」（以下簡稱「量芯微」）在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn)，并于近日與泰克科技（Tektronix Inc.）合作進行了器件測試。
2023-07-19 16:37:301366 
半導(dǎo)體功率器件在全球
半導(dǎo)體市場中占有重要的位置，其在新能源、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。然而，中國的
半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)與全球領(lǐng)先的
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國家相比，還存在一定的差距。本文將探討中國的
半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，與國際先進水平的差距以及未來的發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2023-07-19 10:31:11603 
點擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ （本文轉(zhuǎn)載自公眾號： 功率器件顯微鏡 ，分享給大家交流學(xué)習(xí)） GaN HEMT功率器件實測及其測試注意事項。氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開關(guān)
2023-07-17 18:45:02711 
三星詳細介紹了他們的2納米制造工藝量產(chǎn)計劃和性能水平，并宣布從2025年開始提供8英寸氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體代工服務(wù)，以滿足人工智能技術(shù)的需求。這種半導(dǎo)體具有高性能低功耗的特點，在消費類電子、數(shù)據(jù)中心和汽車等領(lǐng)域?qū)⒌玫綇V泛應(yīng)用。
2023-06-29 14:48:15753 GaN開始為人所知是在光電LED市場，廣為人知則是在功率半導(dǎo)體的消費電子快充市場。但實際上，GaN最初在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標據(jù)說是新能源汽車市場，而非消費電子市場。
2023-06-29 11:43:49398 
功率半導(dǎo)體器件，簡稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動芯片】等，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的集成電路。
2023-06-27 11:36:36806 
據(jù)藍色空港消息，先進半導(dǎo)體制造項目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計、研發(fā)、制造、功率器件clip先進工程包裝、電力驅(qū)動產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項目總投資8億元，分三期建設(shè)，一期投資2億元，計劃建設(shè)6條clip先進包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602 。GaN器件尤其在高頻高功率的應(yīng)用領(lǐng)域體現(xiàn)了其獨特的優(yōu)勢，其中，針對GaN功率器件的性能特點，該器件可被用于適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換、無線充電、激光雷達等應(yīng)用場合。
圖1 半導(dǎo)體材料特性對比
傳統(tǒng)的D類
2023-06-25 15:59:21
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
用于無線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級6.78 MHz功率放大器設(shè)計
2023-06-21 11:45:06
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
為了滿足數(shù)據(jù)中心快速增長的需求，對電源的需求越來越大更高的功率密度和效率。在本文中，我們構(gòu)造了一個1.5 kW的LLC諧振變換器模塊，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01:43
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計、驅(qū)動設(shè)計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
OBC和低壓DC/DC的集成設(shè)計可以減小系統(tǒng)的體積;提高功率密度，降低成本。寬帶隙半導(dǎo)體器件GaN帶來了進一步發(fā)展的機遇提高電動汽車電源單元的功率密度
2023-06-16 06:22:42
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
功率電子器件即功率半導(dǎo)體器件（power electronic device），通常是指用于控制大功率電路的電子器件（數(shù)十至數(shù)千安培的電流，數(shù)百伏以上的電壓）以及轉(zhuǎn)換電力設(shè)備間電能的器件。功率半導(dǎo)體
2023-06-09 15:49:241816 
半導(dǎo)體制冷片是電子器件中重要的輔助元件，用于控制器件的溫度，從而保證器件的穩(wěn)定性和可靠性。在半導(dǎo)體制冷片的制造過程中，半導(dǎo)體制冷片的基板材料選擇是非常關(guān)鍵的，因為基板材料的性能會直接影響到制冷片的性能。
2023-06-08 11:34:191244 
第三代半導(dǎo)體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發(fā)展推動了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進，對封裝基板性能提升起到了很大的促進作用。為加強陶瓷基板及其封裝行業(yè)上下游交流聯(lián)動，艾邦建有陶瓷基板產(chǎn)業(yè)群，歡迎產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)加入。
2023-06-05 16:10:184149 
國際半導(dǎo)體市場研究機構(gòu)Yole預(yù)測，到2027年，全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到約63億美元，其中新能源汽車碳化硅市場空間有望達到近50億美元，占比近80%，是碳化硅功率器件下游第一大應(yīng)用市場。
2023-05-30 12:25:52500 功率半導(dǎo)體分立器件的應(yīng)用十分廣泛，幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè)，傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機等。近年來，新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、航空航天及武器裝備等也逐漸成為了功率半導(dǎo)體分立器件的新興應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-05-26 09:51:40573 功率半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過 60 余年發(fā)展，器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關(guān)系已逐漸逼近硅基材料物理極限，因此寬禁帶材料與器件越來越受到重視，尤其是以碳化硅（SiC）和氮化鎵 (GaN) 為代表的第 3 代半導(dǎo)體材料為大功率半導(dǎo)體技術(shù)及器件帶來了新的發(fā)展機遇。
2023-05-09 14:27:552716 
據(jù)統(tǒng)計，IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲能逆變器里占比高、數(shù)量多，是必不可少的半導(dǎo)體器件。
2023-05-08 15:46:30862 
貞光科技從車規(guī)微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號處理芯片、存儲芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車電子元器件為客戶提供全產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)解決方案。功率半導(dǎo)體概況功率半導(dǎo)體介紹及分類功率
2023-05-06 18:01:01577 
GaN基功率開關(guān)器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:00793 
富士通電子芯片MB89R118C使用CLRC66301HN只讀取數(shù)據(jù)區(qū)不寫入數(shù)據(jù)，請告知
2023-04-23 07:19:24
GaN是第三代半導(dǎo)體材料，具有許多傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體所不具備的優(yōu)良特性，因此被視為新一代半導(dǎo)體技術(shù)，具有非常廣闊的應(yīng)用前景。隨著 GaN功率器件技術(shù)的成熟， GaN功率器件已廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、通訊基站
2023-04-21 14:05:42831 摘要半導(dǎo)體技術(shù)的進步使得芯片的尺寸得以不斷縮小，倒逼著封裝技術(shù)的發(fā)展和進步，也由此產(chǎn)生了各種各樣的封裝形式。當前功率器件的設(shè)計和發(fā)展具有低電感、高散熱和高絕緣能力的屬性特征，器件封裝上呈現(xiàn)出模塊化
2023-04-20 09:59:41710 及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計2021年我國半導(dǎo)體分立器件市場規(guī)模將達到3,229億元。就國內(nèi)市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
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