提升功率密度 飛兆半導體改進Dual Cool封裝技術

DC-DC轉(zhuǎn)換應用的設計人員正面臨提升功率密度的同時節(jié)省電路板空間和降低熱阻的挑戰(zhàn)。飛兆半導體公司（Fairchild Semiconductor）全新的中壓PowerTrench? MOSFET采用Dual Cool?封裝技術，非常適合解決這些設計難題。

飛兆半導體已擴展和改進了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合，這種封裝屬于業(yè)界標準引腳排列封裝，帶有頂側(cè)冷卻，適用的產(chǎn)品中包括40-100V中壓產(chǎn)品系列。硅技術的進步結合Dual Cool技術，可提供卓越的開關性能以及低結至環(huán)境熱阻，其數(shù)值比標準5mm x 6mm MLP塑封封裝低四倍。

中壓系列產(chǎn)品包括：40V FDMS8320LDC、60V FDMS86500DC、80V FDMS86300DC和100V FDMS86101DC。這些器件屬于同步整流MOSFET，適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、通信電源次級端整流和高端服務器/工作站應用。

特色及優(yōu)勢：

FDMS8320LDC （40V）

·最大RDS（ON） = 1.1mΩ（當VGS = 10V，ID = 44A時）

·最大RDS（ON） = 1.5mΩ（當VGS = 4.5V，ID = 37A時）

FDMS86500DC （60V）

·最大RDS（ON） = 2.3mΩ（當VGS = 10V，ID = 29A時）

·最大RDS（ON） = 3.3mΩ（當VGS = 8V，ID = 24A時）

FDMS86300DC （80V）

·最大RDS（ON） = 3.1mΩ（當VGS = 10V，ID = 24A時）

·最大RDS（ON） = 4.0mΩ（當VGS = 8V，ID = 21A時）

·具有業(yè)內(nèi)最低的RDS（ON），在額定電壓相同的條件下，與競爭對手的解決方案相比該數(shù)值低35%左右

FDMS86101DC （100V）

最大RDS（ON） = 7.5mΩ（當VGS = 10V，ID = 14.5A時） 最大RDS（ON） = 12mΩ（當VGS = 6V，ID = 11.5A時）

封裝和定價信息 （1000片起訂，價格單位：美元）：

按請求提供樣品。交貨期：收到訂單后8-12周內(nèi)

該系列產(chǎn)品中的所有器件均采用PQFN 5x6 8L封裝，定價為：

·FDMS8320LDC （40V）： $1.09

·FDMS86500DC （60V）： $1.16

·FDMS86300DC （80V）： $1.16

·FDMS86101DC （100V）： $1.09

采用Dual Cool封裝的MOSFET屬于飛兆半導體業(yè)界領先的MOSFET產(chǎn)品組合?？臻g受限型應用要求DC-DC電源的尺寸更小、電流更高，基于對這一需求的理解，飛兆半導體可量身定制獨特的結合了功能、工藝和創(chuàng)新封裝技術的解決方案，從而使您的電子設計與眾不同。