? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:36
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日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 (SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，你有空間受限的問(wèn)題嗎？”我問(wèn)。他承認(rèn)有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
的FemtoFET產(chǎn)品組合，。部件編號(hào)N/PVdsVgsId Cont. (A)典型的導(dǎo)通電阻 (mohm)輸入電容 (pF
2018-08-29 15:28:55
系列為例，介紹trr的高速化帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻及低柵極總電荷量特征、且進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了
2018-11-28 14:27:08
VDS由流過(guò)的電流ID與導(dǎo)通電阻的乘積來(lái)確定。為什么這個(gè)區(qū)被定義為可變電阻區(qū)呢？功率MOSFET數(shù)據(jù)表中定義的導(dǎo)通電阻都有一定的條件，特別是VGS，當(dāng)VGS不同時(shí)，溝道的飽和程度不同，因此不同的VGS
2016-12-21 11:39:07
了開(kāi)關(guān)損耗，促進(jìn)了白色家電和工業(yè)設(shè)備等電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和變頻器應(yīng)用的低功耗化發(fā)展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現(xiàn)有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻和Qg（柵極總電荷量）并
2018-12-04 10:23:36
獨(dú)創(chuàng)的小型大功率封裝，是低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開(kāi)始逐步供應(yīng)樣品；預(yù)定從2007年8月開(kāi)始以月產(chǎn)300萬(wàn)個(gè)的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過(guò)程的芯片工序在ROHM筑波株式會(huì)社（茨城縣）進(jìn)行；包裝
2018-08-24 16:56:26
超小型RGBLED驅(qū)動(dòng)電路NCP5623資料下載內(nèi)容主要介紹了：NCP5623引腳功能NCP5623內(nèi)部方框圖NCP5623極限參數(shù)NCP5623典型應(yīng)用電路
2021-04-02 07:07:24
描述超小型 USB 轉(zhuǎn) UART (TTL)此設(shè)計(jì)包含 CH340E 工作所需的必要外圍電路，并將其所有引腳引出以備將來(lái)使用。此設(shè)計(jì)還包括一個(gè)三色 LED 燈。藍(lán)色用于指示電源狀態(tài)，紅色和綠色分別
2022-08-17 06:28:29
%。是面向ADAS（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）的傳感器、攝像頭及雷達(dá)等要求可靠性和小型化的車(chē)載用模塊而開(kāi)發(fā)的全球最小*的車(chē)載LDO穩(wěn)壓器。* 截至2016年4月15日ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)具備基本功能，支持車(chē)載規(guī)格下面
2018-12-04 10:13:49
23日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)）超小型封裝，配備優(yōu)異的功能和保護(hù)功能BD70522GUL采用超小型封裝，并配備了優(yōu)異的功能。如欲了解更詳細(xì)信息，請(qǐng)參考技術(shù)規(guī)格書(shū)。?固定導(dǎo)通時(shí)間（COT）控制利用固定導(dǎo)通時(shí)間
2018-12-05 10:03:29
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻
2010-05-06 08:55:20
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導(dǎo)通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子，這是因?yàn)榫€性區(qū)的ID電流較大，同時(shí)RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊(cè)，上面提到的導(dǎo)通后RDS都是mΩ級(jí)別的，這個(gè)也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計(jì)算呢？
2018-10-25 11:14:39
PLC新一代超小型控制器(LOGO！)的編程方法與操作
2020-04-07 09:00:02
。此外，為了進(jìn)一步提高電機(jī)的效率并減小尺寸，對(duì)于MOSFET還提出了更低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)工作的要求。在這種背景下，ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開(kāi)發(fā)出在Nch
2021-07-14 15:17:34
忽略輸入開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠(yuǎn)大于外部電阻Rext，輸入開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計(jì)算？另外Vstep為什么這樣計(jì)算？
2018-08-06 07:49:37
兩方面的損耗少與效率改善密切相關(guān)。另外，損耗少的話，發(fā)熱就會(huì)少，因此也與可使用的IC封裝種類(lèi)和尺寸等息息相關(guān)。－ 這涉及到第二個(gè)課題小型化對(duì)吧。進(jìn)一步講，一般MOSFET的導(dǎo)通電阻很大程度地依賴(lài)于元件
2019-04-29 01:41:22
，SiC MOSFET可在更寬的范圍內(nèi)保持低導(dǎo)通電阻。此外，可以看到，與150℃時(shí)的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲線斜率均放緩，因而導(dǎo)通電阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車(chē)、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
說(shuō)明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來(lái)超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
通過(guò)電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗?！ iC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1.低導(dǎo)通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)了低的導(dǎo)通電阻。這有助于提升您應(yīng)用中的產(chǎn)品性能。 2.小型封裝產(chǎn)品陣容3.封裝類(lèi)型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
電氣技師和電子制造工程師用接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀驗(yàn)證電器和消費(fèi)產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當(dāng)?shù)剡B接到了其機(jī)殼底座。當(dāng)電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時(shí)，如果電器沒(méi)有適當(dāng)?shù)剡B接到已接地的機(jī)殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
需要具備非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率?！ D9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱(chēng)為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱(chēng)為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置
2018-12-04 10:10:43
型區(qū)。在功率MOSFET的內(nèi)部，由許多這樣的單元，也稱(chēng)“晶胞”，并聯(lián)而成。硅片的面積越大，所能加工的單元越多，器件的導(dǎo)通電阻越小，能夠通過(guò)的電流就越大；同樣，在單位的面積的硅片上，能夠加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ MOSFET”）的高速開(kāi)關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
的元件中，難于實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻及將開(kāi)關(guān)應(yīng)用的能耗降至最低。為了實(shí)現(xiàn)這些參數(shù)的高質(zhì)量組合，元件必須擁有小裸片尺寸，并帶有高單元密度及低電容和低閘極電荷。 移動(dòng)設(shè)備用MOSFET的微型化 通常情況下，有多種
2018-09-29 16:50:56
FDC6324L是一款集成負(fù)載開(kāi)關(guān) 是使用ON生產(chǎn)的半導(dǎo)體專(zhuān)有的高單元密度DMOS技術(shù)。這種非常高密度的工藝特別適合于將導(dǎo)通電阻降至最低，并提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能 這些設(shè)備特別適用于需要低導(dǎo)通損耗和簡(jiǎn)單
2021-11-27 12:14:08
”這個(gè)參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，按照同樣步驟來(lái)推導(dǎo)。右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)圖上標(biāo)出了作為開(kāi)關(guān)的MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-11-30 11:48:22
NexFET 器件可在不影響高柵極電荷的情況下，通過(guò) TO-220 封裝實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低導(dǎo)通電阻，從而可在更大電流下為設(shè)計(jì)人員提供更高的電源轉(zhuǎn)換效率。CSD19506 可在高達(dá) 80V 的輸入電壓下支持 2.0
2018-11-29 17:13:53
我的ss-8001A壞了，主要是超小型的很好玩，棄之可惜，想修復(fù)，但找不到電氣原理圖，希望那位壇友幫助，謝謝！
2015-06-18 09:26:49
求推薦一款導(dǎo)通電阻毫歐級(jí)別的常閉型固態(tài)繼電器，或者其他的導(dǎo)通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器，要求就是常態(tài)下是閉合，給電才導(dǎo)通
2021-01-09 09:50:06
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測(cè)量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開(kāi)關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
記得作者2002年做研發(fā)的時(shí)候，在熱插撥的應(yīng)用中就開(kāi)始關(guān)注到這個(gè)問(wèn)題，那時(shí)候很難找到相關(guān)的資料，最后在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中根據(jù)相關(guān)的圖表找到導(dǎo)通電阻RDS(ON)的這個(gè)違背常理的特性，然后
2016-09-26 15:28:01
小型化。然而，必須首先解決一個(gè)問(wèn)題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導(dǎo)通會(huì)造成導(dǎo)通電阻性能下降。將肖特基勢(shì)壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu)，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
我有2個(gè)很快的問(wèn)題。1。AMUX和AMUX定序器的導(dǎo)通電阻和電容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采樣電阻和電容是多少？
2019-09-10 15:18:05
請(qǐng)問(wèn)有人知道MOS管作為開(kāi)關(guān)如何仿真在開(kāi)啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實(shí)部，但是出來(lái)的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開(kāi)和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請(qǐng)問(wèn)有人知道這個(gè)是出了什么問(wèn)題嗎
2021-06-25 07:59:24
一種基于IRIG-A碼輸出的超小型GPS時(shí)鐘設(shè)計(jì)
2021-05-27 06:24:52
，Si-MOSFET在這個(gè)比較中，導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現(xiàn)更佳。平面MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFETSi-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面
2018-11-28 14:28:53
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
領(lǐng)域，MOSFET沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之以2.4-2.6次方增長(zhǎng)，其增長(zhǎng)速度使MOSFET制造者和應(yīng)用者不得不以數(shù)十倍的幅度降低額定電流，以折中額定電流、導(dǎo)通電阻和成本之間
2023-02-27 11:52:38
。本篇將以ROHM的產(chǎn)品陣容及其特征作為SJ-MOSFET的具體案例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。SJ-MOSFET的種類(lèi)以ROHM為例，SJ-MOSFET是根據(jù)噪聲、導(dǎo)通電阻、高速性及獨(dú)有結(jié)構(gòu)等進(jìn)行分類(lèi)的。首先
2018-12-03 14:27:05
超小型印刷板通訊繼電器
2009-11-30 16:21:30
20
超小型PWM DCDC升壓器電路圖
2008-05-06 23:24:413693 
超小型指示燈泡
超小型指示燈泡具有體積小、亮度高的特點(diǎn)，主要用于小型儀器儀表的照明及信號(hào)指示。表10-9 列出了一些超小型指示燈泡的主要參數(shù)，其外形如圖10
2009-09-19 17:46:15596 超小型保險(xiǎn)絲管
超小型保險(xiǎn)絲管外形尺寸小，外徑僅有φ2.4mm (如圖8-7 所示) ，可直接焊接在線路板中，特別適用于小型化電子產(chǎn)品。超小型保險(xiǎn)絲管有快速熔斷型和
2009-09-19 17:54:48654 超小型保險(xiǎn)絲管
超小型保險(xiǎn)絲管外形尺寸小，外徑僅有φ2.4mm (如圖8-7 所示) ，可直接焊接在線路板中，特別適用于小型化電子產(chǎn)品。超小型保險(xiǎn)絲管有快速熔斷型和
2009-09-19 17:55:54856 超小型萬(wàn)用表電路
2009-11-22 00:15:121424 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011090 TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開(kāi)關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開(kāi)關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)
2009-12-18 09:26:06681 TI發(fā)布具備更低導(dǎo)通電阻的集成負(fù)載開(kāi)關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開(kāi)關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (RON) 比同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低
2009-12-21 08:45:27478 TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開(kāi)關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474914 超小型肖特基二極管
特瑞仕半導(dǎo)體推出了世界上最小級(jí)別的 0603尺寸 超小型肖特基二極管。
特瑞仕半導(dǎo)體針對(duì)便攜式儀器市場(chǎng)向小型化、薄型化進(jìn)步的需要、
2010-03-31 10:34:311338 IR推出汽車(chē)專(zhuān)用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出首款汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類(lèi)SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183330 超小型光控繼電器: TLP3312
2012-08-10 13:53:322027 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過(guò)最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲(chǔ)存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10939 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44886 2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 推出其N(xiāo)exFET? 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。
2015-01-22 15:33:263065 德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開(kāi)關(guān)低90%，同時(shí)，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負(fù)載開(kāi)關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。
2016-07-18 17:12:361476 ）-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS（ON）通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，您有遇到過(guò)空間受限的問(wèn)題嗎？”我問(wèn)。他確實(shí)碰到過(guò)，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息。
2016-10-24 16:33:37939 哪個(gè)含硅量更高：一粒沙子還是TI最新的FemtoFET產(chǎn)品？坐在沙灘椅上，看著大西洋的浪潮拍打著澤西海岸，我的腦海中反復(fù)縈繞著這個(gè)問(wèn)題。TI新發(fā)布的F3 FemtoFET，聲稱(chēng)其產(chǎn)品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm（見(jiàn)圖1），但含硅量卻輕松超過(guò)大西洋城人行板道下飛揚(yáng)的沙礫。
2017-04-18 07:49:54958 
MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0012631 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:403728 對(duì)于功率半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:12771 超小型齊平膜片壓力傳感器。
2021-03-24 11:31:1912 對(duì)于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對(duì)于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區(qū)域的電阻起到?jīng)Q定作用。
2021-05-01 17:26:0014838 
產(chǎn)品CSD15380F3在內(nèi)的FemtoFET產(chǎn)品組合，。
部件編號(hào)
N/P
Vds
Vgs
Id Cont. (A)
典型的導(dǎo)通電阻
2021-11-10 09:39:17498 
在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開(kāi)關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒(méi)有競(jìng) 爭(zhēng)對(duì)手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之
2022-03-17 09:35:332873 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《6111超小型管緩沖器.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-04 09:48:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超小型USB轉(zhuǎn)UART開(kāi)源分享.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-28 10:54:441 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超小型40w反激式開(kāi)關(guān).zip》資料免費(fèi)下載
2022-08-09 14:36:279 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超小型jlink下載器開(kāi)源.zip》資料免費(fèi)下載
2022-08-09 09:30:501 借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:250 ROHM | 開(kāi)發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來(lái)的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱(chēng)為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來(lái)的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021461 
實(shí)現(xiàn)了封裝面積減半的超小型尺寸
2023-08-15 14:34:40377 
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:51:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可控接通功能的超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22912 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 13:46:040
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