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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

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2023-03-28 17:12:54

0—60V可調(diào)電源

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30V 60V 100V 150V貼片mos管【惠海半導(dǎo)體】100v mos

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2020-11-03 15:38:19

5.5V~60V 2.5A MR16燈杯專用芯片 內(nèi)置MOS高端電流檢測(cè)降壓LED恒流驅(qū)動(dòng)器

:±3%◆寬輸入電壓:5.5V~60V◆過溫保護(hù)◆低壓差工作時(shí),可保持高穩(wěn)定性應(yīng)用領(lǐng)域◆建筑、工業(yè)、環(huán)境照明◆MR16 及LED 燈◆汽車照明電路圖
2022-03-02 14:49:29

60V FemtoFET MOSFET縮小元件占位面積的方法

(SOT)-23,漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?!霸谶@些電路板上,你有空間受限的問題嗎?”我問。他承認(rèn)有,于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25

60V Littelfuse貼片保險(xiǎn)絲

` 在純電阻電路里,導(dǎo)體中的電流跟導(dǎo)體兩端的電壓成正比,跟導(dǎo)體的電阻成反比,I=U/R由歐姆定律我們可以知道電壓、電阻越大電流越小,電壓、電阻越小電流越大。所以選型時(shí)要找60V Littelfuse
2017-08-22 10:36:50

60V 低功耗降壓DC-DC 兼容TD1466 60V降壓芯片

的峰值輸出電流 0.9Ω 的內(nèi)部功率MOSFET 可采用大輸出電容啟動(dòng) 低ESR 陶瓷電容輸出穩(wěn)定 效率高達(dá) 90% 固定 500kHz 頻率 熱關(guān)斷 逐周期過流保護(hù) 寬輸入電壓范圍:5.5~60V 采用SOT23-6 封裝應(yīng)用 電表 分布式電源系統(tǒng) 電池充電器 線性穩(wěn)壓器的預(yù)調(diào)節(jié)器典型應(yīng)用電路圖
2022-08-23 10:44:12

60V 轉(zhuǎn)5V60V轉(zhuǎn)3.3V,60V轉(zhuǎn)3V開關(guān)降壓芯片和LDO

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2020-11-18 10:00:48

60V,480KHz,0.5A 降壓型電源

產(chǎn)品概述:ZCC2459是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。以電流模式控制方式達(dá)到快速環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓(4.5 V60V)提供0.5A電流的高效率輸出
2019-10-24 09:26:59

60V/600mA 降壓DC-DC PL88101 封裝SOT23-6L 95%高效率

80V/550mΩ高側(cè)和一個(gè)80V/350mΩ低側(cè)MOSFET,可在4.5V60V的寬輸入電壓范圍內(nèi)提供600mA的連續(xù)負(fù)載電流。 峰值電流模式控制可提供快速的瞬態(tài)響應(yīng)和逐周期的電流限制。產(chǎn)品特性
2022-08-18 15:21:12

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2022-05-23 09:31:25

60V電源模塊驅(qū)動(dòng)

`本人有60V電源驅(qū)動(dòng)模塊可免費(fèi)提供,有需要的可聯(lián)系我Q576309861已出售2000多個(gè),自己DIY的,電壓穩(wěn)定,質(zhì)量保障`
2014-08-20 13:59:32

60V轉(zhuǎn)12V,60V轉(zhuǎn)9V降壓芯片,極大電流,外圍少

60V轉(zhuǎn)24V降壓芯片,60V轉(zhuǎn)20V降壓芯片,60V轉(zhuǎn)15V降壓芯片,60V轉(zhuǎn)12V降壓芯片,60V轉(zhuǎn)9V降壓芯片60V轉(zhuǎn)24V穩(wěn)壓芯片,60V轉(zhuǎn)20V穩(wěn)壓芯片,60V轉(zhuǎn)15V穩(wěn)壓芯片 ,60V轉(zhuǎn)
2020-11-18 10:58:57

60V轉(zhuǎn)24V,60V轉(zhuǎn)20V,60V轉(zhuǎn)15V的幾款降壓芯片,外圍超簡單

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2020-11-18 10:53:17

60V轉(zhuǎn)5V芯片,60V轉(zhuǎn)12V,60V轉(zhuǎn)15V降壓芯片

60V轉(zhuǎn)24V,60V轉(zhuǎn)20V,60V轉(zhuǎn)15V ,60V轉(zhuǎn)12V,60V轉(zhuǎn)9V,60V轉(zhuǎn)5V,60V轉(zhuǎn)3.3V,60V轉(zhuǎn)3V,60V轉(zhuǎn)24V芯片,60V轉(zhuǎn)20V芯片,60V轉(zhuǎn)15V芯片 ,60V轉(zhuǎn)
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2022-06-14 09:37:05

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FemtoFET MOSFETs比沙粒含硅量更高?

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2021-11-16 09:36:36

Vishay SQ2361 汽車P 溝道 60V 功率 MOSFET

`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39

[求助]哪些開關(guān)電源管理芯片能輸出60V以上的電壓

之前xl6009芯片資料說能升到60V,然而實(shí)際做出來只能到38V,比較郁悶,問一下有其他芯片能升壓到60V或以上嗎?
2017-04-02 16:45:35

具有60V故障的RS485收發(fā)器

RS485收發(fā)器支持參考設(shè)計(jì),具有60V故障,適用于半雙工RS485網(wǎng)絡(luò)操作60V DC,15kV ESD保護(hù)
2020-05-15 09:23:17

創(chuàng)新型MOSFET封裝:大大簡化您電源的設(shè)計(jì)

`目前,電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是,隨著功能的日益增多,商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小,留給電源電路的空間越來越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過在更小尺寸
2013-12-23 11:55:35

單片式線性電池充電器采用高達(dá)60V的輸入運(yùn)作

型”系統(tǒng)或后備電池充電器中必需的低電流來說,開關(guān)模式解決方案往往就是“殺雞用牛刀”了。此外,適合高達(dá) 60V 之汽車和工業(yè)應(yīng)用的解決方案實(shí)在少之又少。LTC?4079 是一款寬輸入范圍獨(dú)立型充電器,其
2018-10-30 11:53:11

開關(guān)電源220v60v

=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 如何把輸入220v的開關(guān)電源 (手機(jī)充電器)改成60v輸入。很對(duì)不起!我沒有懸賞積分。只能表達(dá)我的謝意!
2019-05-18 10:35:39

怎么產(chǎn)生60V電壓并且是方波1KHZ~2KHZ

怎么產(chǎn)生60V電壓并且是方波1KHZ~2KHZ,如果用5V怎么變成12V電壓?,并且控制輸出方波脈寬。
2017-07-12 17:52:19

求一個(gè)LMR16010輸入60V輸出5V的電路圖

輸入60V,輸出5V,元器件最好有參數(shù),類似下圖
2020-09-21 17:08:43

求一個(gè)過放保護(hù)電路,電池60V,過放到54v的時(shí)候截止,電路越簡單越好。謝謝

求一個(gè)過放保護(hù)電路,電池60V,過放到54v的時(shí)候截止,電路越簡單越好。謝謝
2023-03-17 10:28:57

測(cè)量高精度60V電量監(jiān)測(cè)計(jì)

測(cè)量高精度60V電量監(jiān)測(cè)計(jì)
2019-09-18 08:56:50

電壓是60V,其中 C4B 和 R5B 是吸收尖峰電壓嗎?

三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的一相,電壓是60V,其中 C4B 和 R5B 是吸收尖峰電壓嗎? 要如何選擇型號(hào)呢 ?
2018-09-10 17:30:11

示波器測(cè)量的電源60V的紋波太大求解決

我這邊用示波器測(cè)的60V的電源,輸出紋波好大,不知道是測(cè)試問題還是電源的問題,示波器圖片如下:
2014-12-30 18:35:44

耐壓60V,ZCC2459替代MP2459

產(chǎn)品概述:ZCC2459是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。以電流模式控制方式達(dá)到快速環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓(4.5 V60V)提供0.5A電流的高效率輸出
2020-12-17 14:47:30

英飛凌40V60V MOSFET

,高輸出功率下?lián)p耗的降低,會(huì)導(dǎo)致低負(fù)載范圍內(nèi)損耗的升高。 英飛凌通過推出阻斷電壓為40V60V新型MOSFET,為在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)大幅降低各種損耗創(chuàng)造了條件。 通過對(duì)測(cè)量曲線進(jìn)行直接比對(duì),結(jié)果顯示
2018-12-06 09:46:29

請(qǐng)問如何簡化48V60V直流饋電三相逆變?

簡化48V60V直流饋電三相逆變的方法
2020-11-27 06:43:34

調(diào)光比高達(dá)3000:1的60V大電流LED控制器實(shí)現(xiàn)方案

的一些功能也使其適用于給電池和超級(jí)電容器充電。LT3761 的4.5V60V的輸入電壓范圍使該器件適用于多種應(yīng)用,包括汽車、工業(yè)和建筑照明。LT3761 采用一個(gè)外部 N 溝道 MOSFET,可用一個(gè)
2012-12-12 17:01:33

降壓恒流芯片AP5103_輸入電壓范圍:5V~60V

的亮度。產(chǎn)品特點(diǎn): 內(nèi)置溫度保護(hù) 輸出短路保護(hù) 關(guān)斷時(shí)間可調(diào) 內(nèi)置電流采樣前沿消隱電路 高效率:可高達(dá) 95% 最大工作頻率:300kHz 寬輸入電壓范圍:5V~60V峰值電流采樣電壓:250mV內(nèi)置
2018-07-26 10:11:50

MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無鉛型

MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無鉛型Zetex 新款無鉛型 MOSFET占位面積減半模擬信號(hào)處理及功率管理方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02484

通過無線RF集成減少元件數(shù)量縮小線路板面積

通過無線RF集成減少元件數(shù)量縮小線路板面積 如今的無線設(shè)備中,線路板上一半以上的元件都是模擬RF器件,因此要縮小線路板面積和功耗一個(gè)有效方法就是進(jìn)行更大規(guī)
2009-12-26 14:39:56394

小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET

小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET  日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441421

Diodes MOSFET H橋節(jié)省50%占位面積

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對(duì)MOSFET H橋,DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產(chǎn)品通過減少元件數(shù)量及縮減50%的印刷電路板占位面積,簡化電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電感無線充電電路。
2015-03-03 10:43:401459

TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管,電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低,比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%,同時(shí),使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝,其負(fù)載開關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。
2016-07-18 17:12:361476

新型60V FemtoFET MOSFET減少您的元件占用面積

在中國深圳,我最近遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師。你碰巧在你的設(shè)計(jì)中用過60V的負(fù)載開關(guān)嗎?我問。他說用過,并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形尺寸晶體管(SOT)-23,漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100m左右。
2017-04-18 07:52:11784

TI 超小型 FemtoFET MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

關(guān)鍵詞:MOSFET , FemtoFET 小信號(hào) MOSFET 晶體管為移動(dòng)設(shè)備節(jié)省電源,延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電
2018-10-13 11:03:01308

60V轉(zhuǎn)5V,60V轉(zhuǎn)12V的降壓芯片規(guī)格書,0.1A-10A

60V轉(zhuǎn)5V,60V轉(zhuǎn)12V的降壓芯片規(guī)格書,0.1A-10A
2020-11-25 17:54:4238

現(xiàn)貨推薦 | Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211274

60V零漂移

60V零漂移
2021-05-14 21:27:110

60V電池煤氣表

60V電池煤氣表
2021-05-16 15:54:071

你碰巧在你的設(shè)計(jì)中用過60V的負(fù)載開關(guān)嗎

有,于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息,RDS(ON)不到60mΩ,占位面積5mm × 0.8mm (1.2mm2) (參見圖1),是專為諸如信息
2022-01-27 14:51:08684

NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:341560

12V至60V輸入36W工業(yè)PoE隔離式反激參考設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《12V至60V輸入36W工業(yè)PoE隔離式反激參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-06 16:53:352

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:250

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP061-60YE

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP061-60YE
2023-02-17 18:45:550

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE
2023-02-17 18:46:150

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:270

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E
2023-02-20 19:14:442

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:030

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:430

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E
2023-02-20 20:03:400

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:170

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E
2023-02-23 19:05:270

60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA

60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480

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