JW7112是一款小型、低RON的單通道配電開關(guān)，具有可控的開啟轉(zhuǎn)換速率。該器件包含一個N溝道MOSFET，可以在2.8V至16V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并可以支持3A的最大連續(xù)電流。外部可編程
2024-03-18 15:25:18
JW7109是一款具有可編程導(dǎo)通上升時間的低導(dǎo)通電阻雙通道負載開關(guān)，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時序的要求。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導(dǎo)通上升時間的低導(dǎo)通電阻雙通道負載開關(guān)。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 每個
2024-03-18 14:36:43
JW7106是一款具有可編程導(dǎo)通上升時間的低25毫歐電阻單通道負載開關(guān)。它包含n溝道MOSFET，可以提供6A的最大連續(xù)電流。JW7106可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 在
2024-03-18 14:30:27
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.7V、5A、14mΩ 導(dǎo)通電阻汽車負載開關(guān)TPS2295x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 10:47:54
0 近日，Littelfuse正式推出了一款顛覆性的產(chǎn)品——SM10系列壓敏電阻。這款創(chuàng)新的金屬氧化物壓敏電阻（MOV）不僅為汽車電子器件、電動汽車（EV）等關(guān)鍵領(lǐng)域提供了前所未有的瞬態(tài)浪涌保護，更在性能上實現(xiàn)了重大突破。
2024-03-13 10:46:41
217 在電子元件領(lǐng)域不斷創(chuàng)新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業(yè)應(yīng)用中的有源充放電電路帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:41502 日前，Vishay 推出了新系列浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻，名為PTCEL系列，專為浪涌限流設(shè)計。這一系列熱敏電阻在25°C時阻值范圍廣泛，能夠處理高電壓和高能量，有助于提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中有源充放電電路的性能。
2024-03-08 11:47:07262 如何區(qū)別普通電阻和保險電阻？如何檢驗保險電阻好壞？ 普通電阻和保險電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細介紹如何區(qū)分普通電阻和保險電阻，并說明如何檢驗保險電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險電阻的定義
2024-03-05 15:48:06201 TDK株式會社（TSE：6762）推出用于汽車的兩款A(yù)VRH壓敏電阻系列新產(chǎn)品。此兩款新品均具備較高的靜電放電（ESD）抗擾度，進而確保先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等安全關(guān)鍵汽車功能的安全運行。
2024-02-28 13:42:24561 Littelfuse 宣布推出SM10壓敏電阻系列，這是一款革命性的金屬氧化物壓敏電阻 (MOV)，旨在為汽車電子器件、電動汽車 (EV) 以及其他各類應(yīng)用提供卓越的瞬態(tài)浪涌保護。
2024-02-20 09:51:23257 美國柏恩 Bourns，全球知名的電源、保護和傳感解決方案電子組件制造供貨商，近日推出其創(chuàng)新的 EdgMOV? 壓敏電阻系列。這一系列產(chǎn)品在設(shè)計上追求先進與節(jié)省空間，為浪涌保護領(lǐng)域帶來了突破性的性能。
2024-02-01 16:23:51415 碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結(jié)晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的,。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好，造價低，在普通電子產(chǎn)品中應(yīng)用非常廣泛。
2024-01-21 09:58:07136 
抗浪涌電阻和普通電阻的區(qū)別? 抗浪涌電阻和普通電阻雖然都屬于電阻器件，但在功能、結(jié)構(gòu)和特性方面有很大的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地從多個方面對這兩種電阻進行比較分析。 1. 功能區(qū)別: 抗浪涌電阻
2024-01-18 16:16:58557 近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 用萬用表如何檢測普通電阻器？ 萬用表是一種多功能測量工具，用于測量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測各種類型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬用表來檢測普通電阻器的詳細步驟
2023-12-20 10:46:24669 惠斯通電橋測電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測量工具，廣泛應(yīng)用于實驗室和工業(yè)控制領(lǐng)域。本文將詳細介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說明其測量電阻的優(yōu)勢和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392754 提供驅(qū)動能力的來源，市場潛力巨大。 金升陽致力于為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案，基于自主電路平臺、IC平臺、工藝平臺，升級推出IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源QA-R3G/QAC-R3G系列產(chǎn)品，同時為結(jié)合充電樁市場應(yīng)用需求，打造了全新的滿足元器件100%國產(chǎn)化、高可靠的R3代驅(qū)動電
2023-12-13 16:36:19131 
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
ROHM 推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款 Nch MOSFET*1產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V)， 這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動以24V 、36V 、48V
2023-11-20 01:30:56189 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10459 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 全球被動元件領(lǐng)導(dǎo)廠商-國巨集團，推出新款薄膜氮化鉭晶片電阻-NT系列。 NT系列產(chǎn)品具備抗?jié)瘛⒖沽?、高精密度、高穩(wěn)定表現(xiàn)的特性，外殼尺寸從0402到1206 ，電阻范圍為100Ω-481KΩ，具有
2023-11-08 11:08:37369 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導(dǎo)通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個常見的元件，它被用來控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個主要類別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細介紹
2023-10-29 11:21:55933 電力MOSFET的反向電阻工作區(qū) 電力MOSFET在很多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用，例如電源、驅(qū)動電路、LED控制等。MOSFET是一種基于場效應(yīng)管的晶體管，其主要功能是根據(jù)輸入電壓控制輸出電流。然而
2023-10-26 11:38:19435 Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計能滿足汽車應(yīng)用的嚴苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 羅姆半導(dǎo)體推出了雙 MOSFET，該器件在單個封裝中集成了兩個 100V 芯片，使其適用于驅(qū)動通信基站和工業(yè)設(shè)備中的風(fēng)扇電機。這五款新型號已添加到HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch
2023-10-23 15:44:02482 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 過流/過熱保護，適用于各種應(yīng)用。這些低電阻自恢復(fù)PPTC包括表面貼裝低Rho SMD系列、表面貼裝LoRho系列以及電池疊片型SL系列。這些元件無鹵、無鉛、符合R
2023-10-18 17:31:17
AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)。0.5Ω（典型值）超低導(dǎo)通電阻以及只需要單電源供電即可支持負擺幅信號的特性使其非常適合應(yīng)用于音頻領(lǐng)域。
2023-10-18 09:21:40786 
AS7202是一種次級側(cè)同步整流器回程轉(zhuǎn)換器。它集成了超低導(dǎo)通狀態(tài)電阻45V功率MOSFET，即可替代肖特基二極管的高效率。AS7202支持高側(cè)和低側(cè)應(yīng)用。AS7202內(nèi)置高壓電源的VDD電容器
2023-10-17 17:53:58
穩(wěn)壓，不是本帖的討論范圍，我要探究的，是普通電阻與非線性電阻 對運放狀態(tài)的影響。
2023-10-10 23:32:52
? 1、超級結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
導(dǎo)通電阻測試就是用來檢測導(dǎo)線或連線情況是否正常的一種方法，是指兩個導(dǎo)體間在一定電壓下通過的電流所引起的電壓降之比，通俗的說就是導(dǎo)線通電后的電阻值。芯片引腳導(dǎo)通性測試是一個必要的步驟，用于驗證和檢測芯片引腳之間的連接是否正確，以確保芯片的正常工作。
2023-09-28 14:52:341152 
DC即Direct Current，直流電，電流方向不隨時間發(fā)生改變；IR Drop中的I指電流，R指電阻，I與R相乘即為電壓，IR Drop就是電壓降；
2023-09-28 11:34:263177 
與徑向磁通電機（radial flux motors）相比，軸向磁通電機（Axial flux motors）具有許多電動汽車設(shè)計優(yōu)勢。比如，軸向磁通量電機（Axial flux motors）可改變動力傳動系統(tǒng)的設(shè)計方式，將電機從車軸移至車輪內(nèi)部。
2023-09-22 10:22:49243 
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:24
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:22
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:09:45
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:44:11
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:42:05
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 07:30:53
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 06:56:21
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:47:35
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:28:58
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:55
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:44
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:08:07
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:07:42
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superp&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 08:12:36
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 07:55:12
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 07:17:57
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:12:49
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:06:08
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 06:17:30
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 06:09:58
波動，起到開關(guān)作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權(quán)衡關(guān)系的導(dǎo)通電阻也會提高，效率會變差，因此，如何同時兼顧更高耐壓和更低導(dǎo)通電阻，是一個很大的挑戰(zhàn)。風(fēng)扇電機通常會使用多個MOSFET進行驅(qū)動，為了節(jié)
2023-09-14 19:12:41305 
美甲燈殺菌燈專用升壓恒壓驅(qū)動芯片！
2.5V~5.0V輸入升壓芯片外圍超簡單！可鋰電池供電消費電子產(chǎn)品專用升壓芯片
低功耗 PFM DC-DC 升壓芯片
概述
AP8105 系列產(chǎn)品是一種高效率、低
2023-09-14 11:10:42
相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
：IFNNY）推出采用TO無鉛封裝的新一代超低電阻高邊開關(guān)家族系列Power PROFET? + 12V。 ? ? Power PROFET? + 12V系列產(chǎn)品支持全新的安裝位置和外殼選擇，助力實現(xiàn)新一代
2023-09-05 16:08:10343 
射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進步和應(yīng)用范圍的擴大，射頻技術(shù)在越來越多領(lǐng)域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實際應(yīng)用需要
2023-08-18 08:32:56513 
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
、甚至斷裂等現(xiàn)象，導(dǎo)致接地引下線與主接地網(wǎng)連接點電阻增大，從而不能滿足電力規(guī)程的要求，使設(shè)備在運行中存在不安全隱患，嚴重時會造成設(shè)備失地運行。因此在《防止電力生產(chǎn)
2023-08-01 10:41:40
極海宣布正式推出首款高性能、高可靠性、高性價比的電機控制專用芯片—APM32F035系列MCU，覆蓋多種電機應(yīng)用。
2023-07-28 17:13:431015 
了 “R60xxVNx系列” （含7款機型）。 此外，高速開關(guān)型600V耐壓Super Junction MOSFET產(chǎn)品陣容中也新增了導(dǎo)通電阻更低的 “R60xxYNx系列” （含2款機型
2023-07-12 12:10:08437 為什么有時候需要MOSFET柵極電阻？它應(yīng)該是什么價值？它應(yīng)該在下拉電阻之前還是之后？事實上，有許多電路是在沒有柵極電阻的情況下工作的，但添加一個可以防止一些潛在的問題。1000Ω很可能會起作用。
2023-07-06 11:10:48948 
采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結(jié)構(gòu)，對其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021448 
什么是IR-drop？其實，IR這個詞并不是什么縮寫，這里的I就是指電流，R是指電阻，他們放在一起相乘，得出來的結(jié)果就是電壓。
2023-06-16 09:26:262660 
高速公路服務(wù)區(qū)的重要基礎(chǔ)設(shè)施，確保電動汽車在日常駕駛和長途旅行中有地方充電。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列產(chǎn)品，通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設(shè)計，采用先進的工藝制造技術(shù)，進一步提高了產(chǎn)品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
高品質(zhì)抗硫化汽車級晶片電阻器NS系列-阻容1號
2023-06-10 11:14:31492 
【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車和航空航天等領(lǐng)域。
2023-06-02 15:33:151180 Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的擊穿電壓強度，更低的損耗和
2023-05-29 10:16:48
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動設(shè)備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護電路。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-05-22 14:33:12512 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡稱“Toshiba”）推出了“SSM14N956L”，這是一款額定電流為20A的12V
2023-05-19 10:20:07718 近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系列
2023-05-17 13:35:02471 
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
新產(chǎn)品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
高速風(fēng)筒專用電機驅(qū)動芯片是一款高壓、高速功率
MOSFET 高低側(cè)驅(qū)動芯片。具有獨立的高側(cè)和低側(cè)參
考輸出通道。高速風(fēng)筒專用電機驅(qū)動芯片采用高低壓
兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動電路可以單芯片集成
2023-05-10 10:05:20
高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級相應(yīng)增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進一步提高了總導(dǎo)通電阻。
2023-05-04 09:43:181393 
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
電阻、片式電阻、厚膜電阻、薄膜電阻、合金電阻、高功率電阻、汽車級電阻、抗硫化電阻）品類齊全，能夠滿足客戶各種需求。
廣大客戶現(xiàn)可通過華秋商城購買富捷電子系列產(chǎn)品！
2023-04-28 11:31:47
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電阻
2023-04-11 15:29:18
硅二極管的死區(qū)電壓和導(dǎo)通電壓分別為多少？反向飽和電流為多少數(shù)量級？
2023-03-31 11:45:58
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