本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設(shè)計的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽可簡化設(shè)計隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。
2015-06-12 09:51:23
4738 本文將介紹一種門極驅(qū)動器利用SiC-MOSFET的檢測端子為其提供全面保護(hù)的先進(jìn)方法。所提供的測試結(jié)果包括了可調(diào)整過流和短路檢測以及軟關(guān)斷和有源鉗位（可在關(guān)斷時主動降低過壓尖峰）等功能。
2016-11-16 11:19:578316 MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。本文探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。
2016-12-15 16:00:3417030 
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關(guān)損耗，柵極驅(qū)動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:002390 
SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應(yīng)用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關(guān)頻率高達(dá)幾百K赫茲，門極驅(qū)動的設(shè)計在應(yīng)用中就變得格外關(guān)鍵。因為在短路
2023-06-01 10:12:07998 
MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131018 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45941 
的技術(shù)、項目經(jīng)驗積累，著筆SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章，希望能給到大家一定的參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。 作為系列文章的第四篇，本文主要針對SiC MOSFET 短路Desat 保護(hù)設(shè)計做一些探討。 1.???? 什么是Desat Desat保護(hù)是功率MOSFET和IGBT保護(hù)中很重要的概念, 下面我
2022-08-01 14:39:002091 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)柵極驅(qū)動 其1柵極驅(qū)動 其2應(yīng)用要點(diǎn)緩沖電容器 專用柵極驅(qū)動器和緩沖模塊的效果Si功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的應(yīng)用實例所謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)柵極驅(qū)動 其1柵極驅(qū)動 其2
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
）可能會嚴(yán)重影響全局開關(guān)損耗。針對此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保護(hù)功能，如圖3所示，以控制米勒電流。當(dāng)電源開關(guān)關(guān)閉時，驅(qū)動器將會工作，以防止因柵極電容的存在，而出現(xiàn)感應(yīng)導(dǎo)通的現(xiàn)象。圖3
2019-07-09 04:20:19
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動的“其1”介紹柵極驅(qū)動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動的評估事項：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢.更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關(guān)電路的拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">SiC Mosfet的驅(qū)動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們設(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我們希望通過使用新型開關(guān)管以提高開關(guān)頻率，縮小設(shè)備體積，提高效率，所以急需該評估版以測試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動，望批準(zhǔn)！項目計劃1
2020-04-24 18:08:05
項目名稱：電池充放電檢測設(shè)備試用計劃：申請理由：現(xiàn)有的充放電設(shè)備的功率密度較低，打算使用SiC來提供功率密度。 使用項目：電池充放電檢測設(shè)備計劃：了解并測試demo的驅(qū)動，現(xiàn)有產(chǎn)品的的驅(qū)動是否適用于
2020-04-24 18:09:35
TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅(qū)動板Sic Mosfet驅(qū)動電路要求1. 對于驅(qū)動電路來講，最重要的參數(shù)是門極電荷
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
。設(shè)計挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來改進(jìn)的同時，也帶來了設(shè)計挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動 SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
，而且結(jié)構(gòu)簡單 ?？娠@著減少SiC MOSFET選型和柵極驅(qū)動電路調(diào)整等 設(shè)計和評估工時 。 內(nèi)置各種保護(hù)功能 ，基本上只需根據(jù)要設(shè)計的電源規(guī)格設(shè)置外置元器件的常數(shù)即可，使利用了SiC MOSFET性能
2022-07-27 11:00:52
分享功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
。準(zhǔn)諧振控制軟開關(guān)的低EMI工作，突發(fā)模式下的輕負(fù)載時低消耗電流工作，具備各種保護(hù)功能的最尖端功能組成，且搭載為SiC-MOSFET驅(qū)動而優(yōu)化的柵極箝位電路。另外，是工業(yè)設(shè)備用的產(chǎn)品，因此支持長期供應(yīng)
2018-12-04 10:11:25
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實現(xiàn)，見圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
。BD7682FJ-LB是AC/DC轉(zhuǎn)換器用的準(zhǔn)諧振控制器，是全球首款*專為驅(qū)動SiC-MOSFET而優(yōu)化的IC。（*截至2015/3/25的數(shù)據(jù)）您可能已經(jīng)注意到，開關(guān)要使用SiC-MOSFET時，需要為將
2018-11-27 16:54:24
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計要求；計算了MOSFET驅(qū)動器的功
2012-03-05 15:56:44
134 分析了對功率MOSFET器件的設(shè)計要求；設(shè)計了基于EXB841驅(qū)動模塊的功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單，實用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在電渦流測功機(jī)勵磁線圈驅(qū)動電路中的實
2012-03-14 14:23:48221 功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計要求；計算了MOSFET驅(qū)動器的功
2012-10-10 16:32:583880 
功率MOSFET驅(qū)動和保護(hù)電路，以及其的相關(guān)應(yīng)用。
2016-04-26 16:01:467 SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異，以英飛凌CoolSiC? 系列為例，全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力?？梢岳闷骷旧淼倪@一特性，在驅(qū)動設(shè)計中考慮短路保護(hù)功能，提高系統(tǒng)可靠性。
2018-06-15 10:09:3825116 
如何驅(qū)動碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性
2018-08-20 01:10:008382 近年來，寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件得到了廣泛重視與發(fā)展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現(xiàn)出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應(yīng)力下會產(chǎn)生閾值漂移現(xiàn)象。本文闡述了如何通過調(diào)整門極驅(qū)動負(fù)壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 PI的SIC1182K和汽車級SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。 SCALE-2門極驅(qū)動核和其他SCALE-iDriver門極驅(qū)動器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓，允許使用SiC MOSFET進(jìn)行安全有效的設(shè)計。
2020-08-13 15:31:282476 查看SiC-MOSFET-柵極驅(qū)動光耦合器的參考設(shè)計。 http://ttokpm.com/soft/有成千上萬的參考設(shè)計，可幫助您使項目栩栩如生。
2021-01-14 10:15:0221 今天我們繼續(xù)講解 ? 《淺談SiC MOSFET體二極管雙極性退化問題》 ? 機(jī)制 在雙極性運(yùn)行（PN結(jié)，比如MOSFET的體二極管，在導(dǎo)電時）條件下，任何類型的SiC器件都可能出現(xiàn)雙極退化效應(yīng)
2021-02-08 09:36:008422 ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
速度較慢，開關(guān)損耗較大。SiC MOSFET的高耐壓、高開關(guān)速度能有效提升電機(jī)驅(qū)動器的功率和效率，但更高的開關(guān)速度和更大的功率對驅(qū)動器的快速響應(yīng)能力和故障快速保護(hù)能力提出了更高的要求。此外，舵機(jī)控制器
2022-04-29 16:34:103559 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532944 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:421114 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 
本文描述了使用 SiC MOSFET 的一般接線圖，并解釋了如何將其整合到仿真中。
2022-08-04 09:32:481030 
SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
驅(qū)動器和 SiC MOSFET 打開電源開關(guān)的大門
2023-01-03 09:45:06433 
在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進(jìn)行解說。
2023-02-08 13:43:23491 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032100 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:102935 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:57736 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時導(dǎo)通，設(shè)置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:58737 
3.1 驅(qū)動電源SiC MOSFET開啟電壓比Si IGBT低，但只有驅(qū)動電壓達(dá)到18V～20V時才能完全開通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對比 Cree的產(chǎn)品手冊
2023-02-27 14:41:099 如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驅(qū)動電路保護(hù) SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個應(yīng)用場合替換 Si MOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 09:52:33462 
MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件對它的影響 ，作為安森美提供的全方位
2023-06-25 14:35:02377 
則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特
2023-07-18 19:05:01462 
首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071102 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓
2023-11-02 19:10:01361 
SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作
2023-12-07 15:52:38185 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)是一個復(fù)雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686
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