大電流應(yīng)用中SiC MOSFET模塊的應(yīng)用

參考來源：Exploiting SiC MOSFET Modules in High Current Applications 報告作者：Stephen Finney

編輯：黃飛

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MOSFET(209664) MOSFET(209664)
SiC(61351) SiC(61351)

SiC Mosfet管特性及其專用驅(qū)動電源

本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設(shè)計的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點，推薦了金升陽可簡化設(shè)計隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。

2015-06-12 09:51:23

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如何實現(xiàn)SiC MOSFET的短路檢測及保護？

過程中SiC MOSFET的高短路電流會產(chǎn)生極高的熱量，因此SiC MOSFET需要快速的短路檢測與保護。同時，電流關(guān)斷速率也需要控制在一定范圍內(nèi)，防止關(guān)斷時產(chǎn)生過高的電壓尖峰。

2023-06-01 10:12:07

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SiC MOSFET模塊串擾問題及應(yīng)用對策

針對SiC MOSFET模塊應(yīng)用過程中出現(xiàn)的串擾問題，文章首先對3種測量差分探頭的參數(shù)和測量波形進行對比，有效減小測量誤差；然后詳細分析串擾引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負向峰值過大的原因

2023-06-05 10:14:21

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談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的短路能力

談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的短路能力

2023-08-25 08:16:13

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SiC MOSFET和SiC SBD的優(yōu)勢

下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹

2023-11-01 14:46:19

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SiC MOSFET模塊串擾應(yīng)用對策

SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。

2024-02-19 16:29:22

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貿(mào)澤開售Microchip AgileSwitch相臂功率模塊兼具SiC MOSFET與二極管之長

貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開始備貨Microchip Technology的全新AgileSwitch?相臂SiC MOSFET模塊。

2020-10-15 14:17:12

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SIC MOSFET

有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。

2021-04-02 15:43:15

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點。與Si-MOSFET的區(qū)別：驅(qū)動電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層

2018-11-30 11:34:24

SiC-MOSFET體二極管特性

。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準向漏極施加負電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體

2018-11-27 16:40:24

SiC-MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在

2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征

通過電導率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗?！　?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件漂移層的阻抗

2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么優(yōu)點

電導率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低

2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的可靠性

的SiC-MOSFET由于寄生雙極晶體管的電流放大倍數(shù)hFE較低，因而不會發(fā)生電流放大，截至目前的調(diào)查中，即使在50kV/μs左右的工作條件下，也未發(fā)生這種損壞模式。關(guān)于體二極管快速恢復時的dV/dt，一般認為

2018-11-30 11:30:41

SiC-MOSFET的應(yīng)用實例

SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實例。SiC-MOSFET應(yīng)用實例1：移相DC/DC轉(zhuǎn)換器下面是演示機，是與功率Power Assist Technology Ltd.聯(lián)合制

2018-11-27 16:38:39

SiC MOSFET DC-DC電源

`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`

2018-11-09 11:21:45

SiC MOSFET SCT3030KL解決方案

與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET

2019-07-09 04:20:19

SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢

可以很快期待Littelfuse和英飛凌的產(chǎn)品。　　圖5：各供應(yīng)商的SiC MOSFET開發(fā)活動現(xiàn)狀?！　《嘈酒β?b class="flag-6" style="color: red">模塊也是SiC世界中客戶和供應(yīng)商之間的熱門話題。圖6也摘自Yole的D

2023-02-27 13:48:12

SiC MOSFET：經(jīng)濟高效且可靠的高功率解決方案

家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性

2019-07-30 15:15:17

SiC功率模塊的柵極驅(qū)動其1

的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，該信息也非常有用?！皷艠O誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊

2018-11-30 11:31:17

SiC功率模塊的特征與電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾

2019-03-25 06:20:09

GaN和SiC區(qū)別

寄生效應(yīng)過多，它們的性能可能會下降到硅器件的性能，并可能會導致電路故障。傳導EMI會伴隨SiC MOSFET產(chǎn)生的快速電壓和電流開關(guān)瞬變，內(nèi)部和外部SiC寄生效應(yīng)會受到這些開關(guān)瞬變的影響，并且是EMI

2022-08-12 09:42:07

Microsem美高森美用于SiC MOSFET技術(shù)的極低電感SP6LI封裝

) MOSFET功率模塊的極低電感封裝這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列而開發(fā)，經(jīng)設(shè)計提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時實現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國

2018-10-23 16:22:24

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology

2023-03-29 15:06:13

Si-MOSFET與IGBT的區(qū)別

時的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過尾電流，因此相應(yīng)的開關(guān)損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復二極管）的關(guān)斷損耗Eoff相比

2018-12-03 14:29:26

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】SiC MOSFET元器件性能研究

項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要

2020-04-24 18:09:12

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】SiC開發(fā)板主要電路分析以及SiC Mosfet開關(guān)速率測試

SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關(guān)電路的拓撲。SiC Mosfet的驅(qū)動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊

2020-06-07 15:46:23

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】基于SIC-MOSFET評估板的開環(huán)控制同步BUCK轉(zhuǎn)換器

40mR導通電阻Ron的SIC-MOSFET來說，17A的電流發(fā)熱量還是挺大，在實際應(yīng)用中需要加強散熱才可以。不過，1200V的SIC-MOSFET并不適合做低壓大電流的應(yīng)用，這里才是48V的測試，屬于

2020-06-10 11:04:53

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器

項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我

2020-04-24 18:08:05

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】開箱報告

封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V

2020-05-09 11:59:07

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】電池充放電檢測設(shè)備

SiC模塊，對比相同充放電功率情況下SiC與MOSFET或者IGBT的溫升。預計成果：在性能滿足要求，價格可接受范圍內(nèi)，后續(xù)適用到產(chǎn)品中

2020-04-24 18:09:35

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET（之一）

，Mosfet管的柵極輸入端相當于是一個容性網(wǎng)絡(luò)，因此器件在穩(wěn)定導通時間或者關(guān)斷的截止時間并不需要驅(qū)動電流，但是在器件開關(guān)過程中，柵極的輸入電容需要充電和放電，此時柵極驅(qū)動電路必須提供足夠大的充放電脈沖電流

2020-07-16 14:55:31

【論文】基于1.2kV全SiC功率模塊的輕型輔助電源

。另一方面，全SiC功率模塊由SiC的MOSFET和SiC的SBD (Schottky Barrier Diode)組成，具有低損耗、高工作溫度等特點，如果將其用于APS中，有助于提高產(chǎn)品的效率，實現(xiàn)

2017-05-10 11:32:57

為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)

和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。

2023-06-16 06:04:07

為何使用 SiC MOSFET

要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關(guān)斷

2017-12-18 13:58:36

使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計更容易

業(yè)內(nèi)先進的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用一體化封裝，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于小型表貼封裝（TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率

2022-07-27 11:00:52

全SiC模塊應(yīng)用要點之緩沖電容器

本文將介紹全SiC模塊的應(yīng)用要點—緩沖電容器。在高速開關(guān)大電流的電路中，需要添加緩沖電容器。什么是緩沖電容器緩沖電容器是為了降低電氣布線的寄生電感而連接在大電流開關(guān)節(jié)點的電容器。寄生電感會使開關(guān)

2018-11-27 16:39:33

全SiC模塊柵極誤導通的處理方法

和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況

2018-11-27 16:41:26

全SiC功率模塊介紹

從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC

2018-11-27 16:38:04

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進一步降低ROHM在行業(yè)中率先實現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)

2018-11-27 16:37:30

在通用PWM發(fā)電機中，可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎？

在通用PWM發(fā)電機中，我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎？

2024-03-01 06:34:58

如何使用電流源極驅(qū)動器BM60059FV-C驅(qū)動SiC MOSFET和IGBT？

IGBT和SiC MOSFET的電壓源驅(qū)動和電流源驅(qū)動的dv/dt比較。VSD中的柵極電阻表示為Rg，控制CSD柵極電流的等效電阻表示為R奧特雷夫。　　從圖中可以明顯看出，在較慢的開關(guān)速度（dv/dt

2023-02-21 16:36:47

如何用碳化硅(SiC)MOSFET設(shè)計一個高性能門極驅(qū)動電路

對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。

2018-08-27 13:47:31

開關(guān)損耗更低，頻率更高，應(yīng)用設(shè)備體積更小的全SiC功率模塊

SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD

2018-12-04 10:14:32

汽車類雙通道SiC MOSFET柵極驅(qū)動器包括BOM及層圖

和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動 SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動能力，適用于驅(qū)動 SiC

2018-10-16 17:15:55

溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品

本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極

2018-12-05 10:04:41

淺析SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)

2019-09-17 09:05:05

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項

SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介

2022-09-20 08:00:00

用于PFC的碳化硅MOSFET介紹

MOSFET中的開關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進行測試（圖

2023-02-22 16:34:53

羅姆成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復導致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電

2019-03-18 23:16:12

設(shè)計中使用的電源IC：專為SiC-MOSFET優(yōu)化

SiC-MOSFET用作開關(guān)的準諧振轉(zhuǎn)換器IC。在使用電源IC的設(shè)計中，要使用SiC-MOSFET需要專用的電源IC設(shè)計中使用的電源IC是ROHM的“BD7682FJ-LB”這款I(lǐng)C

2018-11-27 16:54:24

采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴充產(chǎn)品陣容

損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品

2018-12-04 10:11:50

驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

2019-07-31 10:13:38

羅姆試制出漏電流減少95%的SiC制MOSFET

姆與大阪大學研究生院工學研究科助教細井卓治、京都大學研究生院工學研究科教授木本恒暢及東電電子合作試制出了新的SiC制MOSFET。特點是將透過柵極絕緣膜的漏電流減小了90％，并將

2012-12-17 09:03:36

962

何謂全SiC功率模塊?

羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。

2018-05-17 09:33:13

13514

為何使用SCALE門極驅(qū)動器來驅(qū)動SiC MOSFET？

PI的SIC1182K和汽車級SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。 SCALE-2門極驅(qū)動核和其他SCALE-iDriver門極驅(qū)動器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓，允許使用SiC MOSFET進行安全有效的設(shè)計。

2020-08-13 15:31:28

2476

派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。

2021-12-08 15:55:51

1670

如何有效地測量SiC MOSFET

和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開關(guān)。這里的重點是如何有效地測量 SiC MOSFET。

2022-07-27 11:03:45

1512

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。

2022-08-01 09:51:15

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具有集成3相SiC MOSFET的液冷模塊

CISSOID 最近發(fā)布了專為降低開關(guān)損耗或提高功率而定制的新型液冷模塊，屬于其三相碳化硅（SiC） MOSFET 智能功率模塊（IPM）產(chǎn)品系列。

2022-08-04 15:38:38

737

全SiC MOSFET模塊實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化

SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備

2022-11-06 21:14:51

956

SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？

SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？

2022-12-28 09:51:20

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Ameya360：SiC模塊的特征 Sic的電路構(gòu)造

一、SiC模塊的特征電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT

2023-01-12 16:35:47

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剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實例。

2023-02-06 14:39:51

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SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT

2023-02-07 16:48:23

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SiC-MOSFET的應(yīng)用實例

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。

2023-02-08 13:43:21

366

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。

2023-02-08 13:43:21

685

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極源極間電壓的動作-SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。

2023-02-08 13:43:23

340

低邊SiC MOSFET導通時的行為

本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。

2023-02-09 10:19:20

301

低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為

通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...

2023-02-09 10:19:20

335

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。

2023-02-10 09:41:08

1333

SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

　　在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。

2023-02-12 15:29:03

2100

采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴充產(chǎn)品陣容

2023-02-13 09:30:04

331

SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)及特性

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，

2023-02-16 09:40:10

2935

SiC·IGBT/SiC·二極管/SiC·MOSFET動態(tài)參數(shù)測試

EN-1230A可對各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項動態(tài)參數(shù)如開通時間、關(guān)斷時間、上升時間、下降時間

2023-02-23 09:20:46

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點。

2023-02-23 11:27:57

736

溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品

在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。

2023-02-24 11:48:18

426

SiC-MOSFET的應(yīng)用實例

2023-02-24 11:49:19

481

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應(yīng)用案例和使用方法。

2023-02-24 11:51:08

430

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)及柵極驅(qū)動電路

下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導通的，為了防止HS和LS同時導通，設(shè)置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。

2023-02-27 13:41:58

737

SiC MOSFET學習筆記(五)驅(qū)動電源調(diào)研

3.1 驅(qū)動電源SiC MOSFET開啟電壓比Si IGBT低，但只有驅(qū)動電壓達到18V～20V時才能完全開通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對比 Cree的產(chǎn)品手冊

2023-02-27 14:41:09

SiC MOSFET學習筆記(三)SiC驅(qū)動方案

驅(qū)動芯片，需要考慮如下幾個方面：驅(qū)動電平與驅(qū)動電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開關(guān)場合，其面對的由于寄生參數(shù)所帶來的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開啟電壓較

2023-02-27 14:42:04

SiC MOSFET學習筆記(四)SiC MOSFET傳統(tǒng)驅(qū)動電路保護

時，由于較高的 di/dt 與 du/dt 容易產(chǎn)生電壓電流尖峰、振蕩、上下管直通或超過負向安全電壓，干擾驅(qū)動電路輸出電壓等問題。因此為了保障 SiC MOSFET 安全可靠性的運行，需從驅(qū)動側(cè)對 S

2023-02-27 14:43:02

SiC MOSFET的設(shè)計和制造

首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

2023-08-06 10:49:07

1102

SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀分析

對于SiC功率MOSFET技術(shù)，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。

2023-08-08 11:05:57

428

ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

? 全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊

2023-09-14 19:15:14

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車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法

2023-10-27 11:00:52

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SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討

SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討

2023-12-05 17:10:21

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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

2023-12-07 16:00:26

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怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)？

怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)？提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)是一個復雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)，并提供一些

2023-12-21 11:15:52

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