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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>《華林科納-半導體工藝》化學品對硅片上金屬污染的影響

《華林科納-半導體工藝》化學品對硅片上金屬污染的影響

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2019-03-27 17:14:4625491

張汝京對我國半導體產業(yè)提出三大建議

近日,芯恩(青島)集成電路有限公司董事長張汝京博士在談到中國半導體材料現(xiàn)狀時表示,國內光刻膠、特種化學品以及光掩膜版是缺少的。但國產硅片和特種氣體發(fā)展得很好。
2019-09-18 14:28:344870

化學品包裝防水透氣膜在化學品包裝中應用的優(yōu)點

化學品在儲存或者運輸?shù)倪^程中一般是需要使用到專用的容器,為了防止化學品發(fā)生泄露, 那么按照正常的標準來說就需要嚴格做到良好的容器密封性,就可以保證化學品在儲存或者運輸?shù)倪^程中會安全穩(wěn)定,其實不然
2020-08-11 10:25:05631

90%半導體產品使用硅基材料制造 國產份額卻不到5%

還是集中在200mm(8英寸)或以下尺寸,300mm半導體硅片幾乎全部依賴進口。 半導體的材料主要包括硅片、電子氣體、光掩膜、光刻膠配套化學品、拋光材料、光刻膠、濕法化學品與濺射靶材等。其中硅片約占半導體制造材料的三分之一,90%以上的半導體
2021-01-29 12:17:402251

半導體工藝化學原理

半導體工藝化學原理。
2021-03-19 17:07:23111

臭氧在半導體晶片清洗工藝中的應用

近年來,在半導體工業(yè)中,逐漸確立了將臭氧運用于晶圓清洗工藝中,這主要是利用了臭氧在水相中氧化有機污染物和金屬污染物的性能。
2021-09-27 17:39:032292

《炬豐科技-半導體工藝金屬氧化物半導體的制造

書籍:《炬豐科技-半導體工藝》 文章:金屬氧化物半導體的制造 編號:JFKJ-21-207 作者:炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設計規(guī)則 ? 互補金屬氧化物
2023-04-20 11:16:00248

酸性化學品供應控制系統(tǒng)

[技術領域] 本實用新型涉及半導體制造技術領域,具體地說是一種酸性化學品供應控制系 統(tǒng)。 由于半導體行業(yè)中芯片生產線的工作對象是硅晶片,而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質、微粒子的化學品
2023-04-20 13:57:0074

減少硅片金屬污染的方法是什么

本方法一般涉及半導體的制造,更具體地說,涉及在生產最終半導體產品如集成電路的過程中清洗半導體或 硅晶片,由此中間清洗步驟去除在先前處理步驟中沉積在相關硅晶片表面上的污染物。
2021-12-20 17:21:051171

KOH硅濕化學刻蝕—江蘇華林科納半導體

氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物,是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說,它們在某些方向上的蝕刻速率比在其他方向上的蝕刻速率
2022-01-11 11:50:332152

半導體晶圓清洗站多化學品供應系統(tǒng)的討論

半導體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過使用高純化學品清洗或蝕刻來去除晶片上的顆?;蛉毕?。擴散、光和化學氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉擦洗之前有預清潔作為濕法清潔/蝕刻工藝
2022-02-22 13:47:511696

華林科納-半導體工藝》光刻膠剝離清洗

摘要 提供了清潔覆蓋半導體襯底的金屬區(qū)域的方法。文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁從金屬區(qū)域去除材料的方法包括加熱金屬區(qū)域,由包含氫氣和二氧化碳的氣體形成等離子體,以及將金屬區(qū)域暴露于等離子體
2022-02-24 13:45:53946

顆粒清洗技術—《華林科納-半導體工藝

摘要 處理納米級顆粒污染仍然是半導體器件制造過程中的主要挑戰(zhàn)之一。對于越來越多的關鍵處理步驟而言尤其如此,在這些步驟中,需要去除顆粒物質的殘留物而不會對敏感器件圖案造成機械損壞,同時實現(xiàn)盡可能
2022-03-01 14:35:08364

化學清洗過程中重金屬污染的監(jiān)測方法

本文通過繪制少數(shù)載流子擴散長度、體中鐵濃度和表面污染(表面電荷和表面重組),介紹了表面光電電壓(SPV)在監(jiān)測化學清洗和化學品純度方面的應用。新的SPV方法和精密儀器的非接觸性、晶片級的特性使該技術
2022-03-09 14:38:22715

化學品供應系統(tǒng)在濕法站的應用

半導體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過使用高純化學品清洗或蝕刻來去除晶片上的顆?;蛉毕?。擴散、光和化學氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉擦洗之前有預清潔作為濕法清潔/蝕刻工藝
2022-04-21 12:27:43589

中國半導體濕電子化學品市場情況分析

濕電子化學品是微電子制造技術的關鍵性材料,在顯影、蝕刻、清洗等工藝中必不可少,直接關系到下游產品質量。由于處于精細化工和電子信息行業(yè)交叉的領域,其專業(yè)跨度大,技術門檻高,被德國、美國和日本的知名企業(yè)占據(jù)著高端市場大部分份額。
2022-06-06 10:46:334767

全球半導體硅片市場發(fā)展趨勢分析

硅片是芯片的起點,2021年全球半導體硅片市場規(guī)模達140億美元,行業(yè)高度集中,CR5市場份額接近90%。硅片是用量最大的半導體材料, 90%以上半導體產品使用硅片制造。隨著5G、新能源、AIoT
2022-10-09 16:10:212128

一文讀懂半導體硅片

單晶硅錠經過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延(如有)、鍵合(如有)、清洗等工藝步驟,制造成為半導體硅片。在生產環(huán)節(jié)中,半導體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷,保持極高的平整度與表面潔凈度,以保證集成電路或半導體器件的可靠性。
2022-11-02 09:26:274255

半導體工藝金屬布線工藝介紹

本篇要講的金屬布線工藝,與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨立的工藝不同。在半導體制程中,光刻、刻蝕等工藝,其實是為了金屬布線才進行的。在金屬布線過程中,會采用很多與之前的電子元器件層性質不同的配線材料(金屬)。
2023-04-25 10:38:49986

抓出半導體工藝中的魔鬼-晶圓表面金屬污染

晶圓表面的潔凈度對于后續(xù)半導體工藝以及產品合格率會造成一定程度的影響,最常見的主要污染包括金屬、有機物及顆粒狀粒子的殘留,而污染分析的結果可用以反應某一工藝步驟、特定機臺或是整體工藝中所遭遇的污染
2023-06-06 10:29:151093

半導體工藝金屬互連工藝

半導體同時具有“導體”的特性,因此允許電流通過,而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質添加到純硅中,使其具有導電性能。我們可以根據(jù)實際需要使半導體導電或絕緣。 重復光刻、刻蝕和離子注入步驟會在
2023-07-03 10:21:572170

華林科納的半導體光伏行業(yè)專用高純PFA擴口接頭

的影響。高純PFA擴口接頭采用高度純凈的PFA材料制造,確保管道系統(tǒng)中的流體不受雜質污染。這種高純度的材料選擇有助于維持制程的穩(wěn)定性,降低產物缺陷率,從而提高光伏器件的性能和效率。 其次,半導體光伏工藝涉及許多化學反應和腐蝕性
2023-08-14 16:51:29276

半導體工藝里的濕法化學腐蝕

濕法腐蝕在半導體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705

化學品酸堿輸送供應管道為什么要選擇華林科納PFA管?

很多半導體、光伏行業(yè)的制造企業(yè)在選擇化學品酸堿輸送供應管道時,都喜歡選擇華林科納的高純PFA管,選擇華林科納生產的高純PFA管作為化學品酸堿輸送供應管道有以下幾個重要原因: 1、優(yōu)異的化學穩(wěn)定性
2023-09-13 17:29:48266

華林科納PFA管在半導體和太陽能光伏領域的應用與優(yōu)勢

管在半導體和太陽能光伏領域的應用與優(yōu)勢備受關注。 華林科納是一家專注于生產高性能氟化共聚物材料的公司。其生產的PFA管具有優(yōu)異的耐化學腐蝕、耐高溫、低摩擦系數(shù)和高絕緣性能等特性。在半導體和太陽能光伏領域,華林科納的PFA管具
2023-10-17 10:19:25199

華林科納PFA管在半導體清洗工藝中的卓越應用

隨著科技的不斷發(fā)展,半導體技術在全球范圍內得到了廣泛應用。半導體設備在制造過程中需要經過多個工藝步驟,而每個步驟都需要使用到各種不同的材料和設備。其中,華林科納的PFA管在半導體清洗工藝中扮演著
2023-10-16 15:34:34258

半導體硅片行業(yè)深度報告.zip

半導體硅片行業(yè)深度報告
2023-01-13 09:06:496

半導體前端工藝:第六篇(完結篇):金屬布線 —— 為半導體注入生命的連接

半導體前端工藝:第六篇(完結篇):金屬布線 —— 為半導體注入生命的連接
2023-11-27 16:11:35254

晶圓表面金屬污染半導體工藝中的隱形威脅

晶圓表面的潔凈度對于后續(xù)半導體工藝以及產品合格率會造成一定程度的影響,最常見的主要污染包括金屬、有機物及顆粒狀粒子的殘留,而污染分析的結果可用以反應某一工藝步驟、特定機臺或是整體工藝中所遭遇的污染程度與種類。
2024-02-23 17:34:23323

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