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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片

英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片

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目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別:IGBT可控硅的區(qū)別:IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì):1、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)2、IGBT驅(qū)動(dòng)器的選擇3、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT和MOS管的區(qū)別:  IIGBT
2021-09-09 08:05:31

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英飛凌IGBT:BSM150GB60DLC怎么樣

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2021-03-04 13:57:12

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2021-05-14 06:07:09

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2021-01-07 14:59:07

本公司長(zhǎng)期回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT模塊

洛陽(yáng)回收富士IGBT價(jià)格 回收富士模塊 本公司長(zhǎng)期回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT,回收功率模塊,回收個(gè)人剩余IGBT三菱IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,富士IGBT模塊
2021-09-16 14:19:49

江蘇省高價(jià)大量上門回收IGBT模塊可控硅模塊

高價(jià)回收三菱IGBT模塊,回收變頻器模塊,回收英飛凌模塊IGBT,回收IGBT模塊可控硅模塊,回收晶閘管模塊   回收低壓熔斷器回收西門康IGBT模塊回收富士IGBT模塊回收伺服驅(qū)動(dòng)電機(jī)電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-12-08 15:57:05

浙江常年大量回收英飛凌二手模塊系列IGBT模塊

浙江地區(qū)回收INFINEON英飛凌IGBT模塊收購(gòu)INFINEON英飛凌IGBT模塊長(zhǎng)期大量回收IC,三極管,單片機(jī),IGBT模塊浙江安徽省回收三菱功率模塊,回收英飛凌二極管模塊,回收西門康可控
2021-02-24 17:06:50

浙江省常年回收英飛凌IGBT高價(jià)收購(gòu)請(qǐng)找我

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2021-09-25 18:53:15

湖北省長(zhǎng)期大量回收收購(gòu)英飛凌可控硅模塊,全新二手均可

長(zhǎng)期,收購(gòu),回收 IGBT模塊回收 英飛凌模塊回收 西門康模塊回收,長(zhǎng)期,高價(jià),現(xiàn)金,回收IGBT模塊,收購(gòu)英飛凌模塊, 收購(gòu),求購(gòu)西門康模塊電話151-5220-9946 微信同步 江工 業(yè)務(wù)分部
2022-01-05 19:33:45

簡(jiǎn)單分析不間斷電源系統(tǒng)在IGBT中的應(yīng)用理念

  簡(jiǎn)單分析不間斷電源系統(tǒng)在IGBT中的應(yīng)用理念  簡(jiǎn)單分析不間斷電源的應(yīng)用方法及其理念  摘要:在UPS中使用的功率器件有雙極功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBTIGBT既有
2012-03-29 14:07:27

節(jié)能舒適面向空調(diào)系統(tǒng)的最新導(dǎo)IGBT技術(shù)

,能夠大大改善功率損耗、EMC性能和成本效益。通常,變頻器中使用的IGBT采用雙芯封裝。英飛凌的新型導(dǎo)驅(qū)動(dòng)技術(shù)將二極管芯片集成在IGBT中(如圖2所示)。 圖2:IGBT發(fā)展而來(lái)的垂直結(jié)構(gòu) 單片集成
2018-12-03 13:44:37

請(qǐng)教關(guān)于IGBT導(dǎo)通的問(wèn)題

各位老師你們好! 前段時(shí)間找某經(jīng)銷商買了一批英飛凌IGBT模塊(3300V/400A,管子型號(hào)是FZ400R33KL2C);拿回來(lái)做雙脈沖測(cè)試發(fā)現(xiàn)管子的導(dǎo)通壓降特別大,在100A的時(shí)候導(dǎo)通壓降大約
2018-07-24 16:38:03

重慶市長(zhǎng)期高價(jià)回收各種英飛凌IGBT型號(hào)模塊

400A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開(kāi)關(guān),雙向變換器等 62mm ?鹽城高價(jià)回收收購(gòu)英飛凌IGBT模塊FF225R12ME4 225A,1200V,IGBT4,螺栓 EconoDUAL3 ?上海收購(gòu)
2021-09-17 19:23:57

面向嵌入式系統(tǒng)的優(yōu)化IGBT

電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車、電磁感應(yīng)加熱和開(kāi)關(guān)模式電源等新興應(yīng)用的追求目標(biāo)。例如,將續(xù)流二極管集成至IGBT的晶元設(shè)計(jì)(圖1d),帶來(lái)了全新導(dǎo)器件(RC-IGBT)。由于總體系統(tǒng)硅成本降低,這些器件成為
2018-12-03 13:47:00

高價(jià)回收三菱系列產(chǎn)品IGBT模塊英飛凌系列IGBT大量收購(gòu)

價(jià)收購(gòu)英飛凌IGBT模塊回收各種品牌IGBT模塊151-5220-9946江工 大量回收拆機(jī)IGBT模塊 高價(jià)回收原裝功率模塊QQ 2360670759現(xiàn)金回收拆機(jī)IGBT模塊 高價(jià)回收原裝IGBT
2020-08-07 14:07:29

高價(jià)大量上門回收收購(gòu)英飛凌(FF/FZ/BSM/F4系列IGBT模塊)

高價(jià)大量上門回收英飛凌IGBT模塊(FF/FZ/BSM/F4系列IGBT模塊),功率可控硅,晶閘管,整流橋模塊(TT/TZ/TD/DT/TX系列模塊)專業(yè)焊機(jī)IGBT模塊,電機(jī)控制IGBT模塊,變頻器IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-12-16 16:49:08

英飛凌IGBT模塊

FF100R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n摻雜附加層,這個(gè)附加層被稱為電場(chǎng)終止(fieldstop
2023-01-10 11:29:08

英飛凌IGBT模塊

FZ600R12KE4FZ600R12KE4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n摻雜附加層,這個(gè)附加層被稱為電場(chǎng)
2023-01-12 11:28:56

英飛凌IGBT模塊

英飛凌IGBT模塊FF150R17KE4FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n摻雜附加層,這個(gè)
2023-02-07 09:50:06

英飛凌IGBT模塊FF200R17KE3

英飛凌IGBT模塊FF200R17KE3英飛凌IGBT模塊FF200R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n
2023-02-07 09:58:53

英飛凌IGBT模塊

FF300R17KE3 IGBT模塊FF300R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n摻雜附加層,這個(gè)附加
2023-02-07 10:50:02

英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3

FF450R17ME3英飛凌IGBT模塊英飛凌IGBT模塊是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n摻雜附加層,這個(gè)附加
2023-02-07 13:46:10

英飛凌IGBT模塊

FF450R17ME4英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n摻雜附加層,這個(gè)
2023-02-07 13:52:10

英飛凌IGBT模塊FZ400R17KE3

FZ400R17KE3 英飛凌IGBT模塊FZ400R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n摻雜附加層
2023-02-07 14:31:30

英飛凌IGBT模塊

FZ600R17KE3 IGBT模塊FZ600R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n摻雜附加層,這個(gè)附加
2023-02-07 14:36:09

英飛凌IGBT模塊

FZ1200R17KE3FZ1200R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n摻雜附加層,這個(gè)附加層被稱為
2023-02-07 14:38:49

英飛凌IGBT模塊

英飛凌IGBT模塊FF200R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n摻雜附加層,這個(gè)附加層被稱為電場(chǎng)終止
2023-02-24 14:45:08

英飛凌IGBT模塊

FZ800R33KF2CIGBT模塊英飛凌FZ800R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n摻雜附加層
2023-02-24 14:55:47

英飛凌IGBT模塊FF300R06KE3

FF300R06KE3英飛凌igbt模塊FF300R06KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n摻雜附加層,這個(gè)
2023-02-24 15:28:34

英飛凌發(fā)布全新LTE及3G射頻芯片SMARTi LU和SMA

英飛凌發(fā)布全新LTE及3G射頻芯片SMARTi LU和SMARTi UEmicro 英飛凌(Infineon Technology)宣布推出具備最高傳輸速率的第二代LTE射頻收發(fā)器樣片──SMARTi
2009-01-27 17:52:511417

創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)

創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù) 英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT
2010-05-11 17:32:472392

英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長(zhǎng)IGBT模塊使用壽命

英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長(zhǎng)IGBT模塊使用壽命 2010年5月6日,德國(guó)Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì)(2010年5月4日至6日
2010-05-13 09:16:101061

英飛凌推出IGBT系列RC-D功率開(kāi)關(guān)器件

英飛凌RC-D功率開(kāi)關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場(chǎng)領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管,具有很低的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,并且減小了永磁電機(jī)驅(qū)
2011-05-31 09:00:421610

英飛凌推出可信平臺(tái)模塊(TPM)芯片

英飛凌科技推出可信平臺(tái)模塊(TPM)芯片。TPM是谷歌Chromebook的安全架構(gòu)不可或缺的組成部分。英飛凌成為適合與面向網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的全新操作系統(tǒng)結(jié)合使用的TPM芯片的首家供應(yīng)商
2011-08-04 08:45:342126

雜散電感對(duì)高效IGBT逆變器設(shè)計(jì)的影響

IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此,英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。
2011-08-10 11:21:003649

英飛凌推出全新XMC4000 32位單片機(jī)

英飛凌科技今日推出全新的XMC4000 32位單片機(jī)產(chǎn)品家族,它們選用ARM?的Cortex?-M4處理器。英飛凌利用自身在開(kāi)發(fā)針對(duì)應(yīng)用而優(yōu)化的外設(shè),并具備出色的實(shí)時(shí)功能的單片機(jī)方面的30多年的豐
2012-02-22 09:22:591285

英飛凌為感應(yīng)加熱應(yīng)用推出新一代逆導(dǎo)IGBT

英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導(dǎo)二極管的20A 1350V器件,再次擴(kuò)充逆導(dǎo)(RC) 軟開(kāi)關(guān)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產(chǎn)品組合。新的20A RC-H5是對(duì)英飛凌性能領(lǐng)先的RC-H系列的擴(kuò)展,重點(diǎn)關(guān)注感應(yīng)加熱應(yīng)用的系統(tǒng)效率和高可靠性要求。
2014-02-24 14:42:25827

英飛凌IGBT芯片技術(shù)又升級(jí)換代了?

基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù),英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ,針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開(kāi)關(guān)特性。
2018-06-21 10:10:4412361

英飛凌igbt型號(hào)及參數(shù)大全

英飛凌igbt型號(hào)及參數(shù)大全 英飛凌(Infineon)是德國(guó)西門子半導(dǎo)體集體(Siemens)的獨(dú)立上市公司。前身也叫歐派克(EUPEC:歐洲電力電子公司)。 一.拓?fù)鋱D與型號(hào)的關(guān)系:型號(hào)開(kāi)頭
2023-02-08 14:17:295593

英飛凌IGBT

英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高,在設(shè)計(jì)靈活性上也絲毫不妥協(xié) 我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列,它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級(jí),適用于
2023-02-16 16:30:581136

igbt可控硅有什么區(qū)別?

igbt可控硅有什么區(qū)別?? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)與可控硅(SCR,Silicon Controlled Rectifier)都是功率
2023-08-25 14:57:315661

英飛凌(Infineon)IGBT管前10熱門型號(hào)

Infineon(英飛凌)作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商,其IGBT管產(chǎn)品在市場(chǎng)上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門型號(hào):一、英飛凌IGBT管前10熱門
2023-08-25 16:58:531479

英飛凌IGBT單管命名規(guī)則

英飛凌IGBT單管命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:35653

英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則

英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:36527

英飛凌IGBT模塊封裝

英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,專注于電力管理、汽車和電動(dòng)汽車解決方案、智能家居和建筑自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域,英飛凌IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21469

可控硅和igbt區(qū)別

可控硅和igbt區(qū)別? 可控硅和IGBT是現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中常用的兩種功率半導(dǎo)體器件。雖然兩者都能在電力控制和轉(zhuǎn)換中發(fā)揮重要作用,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)和應(yīng)用等方面存在著顯著差異。下文
2023-12-07 16:45:323214

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