9月2日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位,每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151204 。 繼96層QLC之后,將于2020年作為Arbordale + DC推出144層QLC 圖1:NAND閃存隨著SLC,MLC,TLC,QLC發(fā)展 3D NAND是當(dāng)前SSD中常用的閃存技術(shù)。換句話說(shuō)
2019-10-04 01:41:004991 7月24日國(guó)外消息:SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:23988 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比,具有包括讀寫(xiě)速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
2013-08-29 10:46:512064 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了,TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:436006 目前NAND閃存需求依然居高不下,廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了,SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存,這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁,把三星和蘋(píng)果的市場(chǎng)份額搶占不少,但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒體采訪時(shí)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 提升, 已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一,并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存。慧榮科技身為SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:292569 隨著3D閃存技術(shù)的發(fā)展,容量超過(guò)1 TB的閃存解決方案得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,對(duì)于數(shù)據(jù)可靠性的要求也變得越來(lái)越復(fù)雜。
2020-12-11 13:50:56835 什么是3D NAND?什么是4D NAND?3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)?如何提升SSD壽命及效能?3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么?
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料:器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
求大神賜個(gè)全面的3D PCB封裝庫(kù)(PCB封裝附帶3D模型)!?。
2015-08-06 19:08:43
加持,智能機(jī)能夠拍出更好的虛化照片,能夠化身為體感游戲機(jī)……作為3D深度視覺(jué)領(lǐng)域三大主流方案之一,ToF技術(shù)除了應(yīng)用在手機(jī)上之外,也在VR/AR手勢(shì)交互、汽車電子ADAS、安防監(jiān)控以及新零售等多個(gè)領(lǐng)域都開(kāi)始大顯身手,應(yīng)用前景十分廣闊。
2019-08-01 07:00:50
什么是3D圖形芯片?3D圖像生成算法的原理是什么?
2021-06-04 06:29:06
3D打印將精準(zhǔn)的數(shù)字技術(shù)、工廠的可重復(fù)性和工匠的設(shè)計(jì)自由結(jié)合在一起,解放了人類創(chuàng)造東西的能力。本文是對(duì)當(dāng)下3D打印技術(shù)帶來(lái)便利的總結(jié),節(jié)選自中信出版社《3D打印:從想象到現(xiàn)實(shí)》一書(shū)。虎嗅會(huì)繼續(xù)摘編該書(shū)精華。
2019-07-09 07:02:03
今天主要來(lái)分享下3d打印的優(yōu)勢(shì),同時(shí)也對(duì)各大領(lǐng)域產(chǎn)生重大影響!優(yōu)點(diǎn)1:不浪費(fèi)因?yàn)槭窃霾闹圃欤粫?huì)有多余的廢料產(chǎn)生,比起cnc更加節(jié)省材料。3D打印好比蓋房子:前期算好用料,基本不會(huì)有多余的磚頭,水泥
2018-11-10 16:15:04
3D顯示技術(shù)的原理是什么?3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用?3D拍好了到底怎么樣傳輸?
2021-05-31 06:53:03
3D模型基礎(chǔ)
2021-01-28 07:50:30
的草圖打開(kāi)浩辰3D軟件,將鼠標(biāo)放置于參考平面,高亮顯示后,可通過(guò)「F3」鎖定。再通過(guò)軟件右下角的「視圖」命令或「Ctrl+H」來(lái)正視設(shè)計(jì)視口。在浩辰3D軟件的「草圖」選項(xiàng)卡,點(diǎn)選「草圖繪制」,用直線
2021-01-28 17:36:31
128GB容量。并且?guī)?lái)的成本優(yōu)勢(shì)開(kāi)始減弱,16nm制程后,繼續(xù)采用2D 微縮工藝的難度和成本已超過(guò)3D技術(shù),因此3D NAND開(kāi)始成為主流。比如旺宏也計(jì)劃跟進(jìn)在2020年下半年實(shí)現(xiàn)48層128Mb的19nm
2020-11-19 09:09:58
給PCB添加了3D模型之后,讓封裝旋轉(zhuǎn)45度,自己填加的3D模型旋轉(zhuǎn)45度后,代表3D模型的機(jī)械層不會(huì)和PCB重合;而用封裝向?qū)М?huà)的模型會(huì)和PCB重合。請(qǐng)問(wèn)這個(gè)改怎么解決?雖然旋轉(zhuǎn)45度之后,在3D 模式下,3D圖也是旋轉(zhuǎn)了45度,但是在2D模式下的機(jī)械層看著很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
以甜甜圈形狀的中空環(huán)狀的3D體來(lái)進(jìn)行演示;具體步驟如下:1. 在打開(kāi)的.PCBDoc或.PcbLib文件中,將捕捉網(wǎng)格設(shè)置為一個(gè)合適的尺寸(快捷鍵GG),并且易于使用,根據(jù)繪制的實(shí)際情況設(shè)置柵格
2019-10-15 14:21:07
請(qǐng)教大家一個(gè)問(wèn)題: Altium designer 的3D封裝在機(jī)械層是有線的,我的板子在機(jī)械層也畫(huà)了線來(lái)切掉一部分。那么在PCB的生產(chǎn)加工中,3D封裝位于機(jī)械層的線是否會(huì)影響加工效果。請(qǐng)實(shí)際操作過(guò)的回答下,非常感謝。如下圖:
2016-07-22 14:05:18
Altium designer summer 09 怎么建立3D庫(kù),及PCB怎么導(dǎo)出3D圖,請(qǐng)教各位前輩們
2016-11-23 19:48:22
基于soildwork繪制的3D機(jī)器人模型,要求實(shí)際的機(jī)器人在運(yùn)動(dòng)時(shí),將3D的模型加載在LABVIEW中,與實(shí)際機(jī)器人同步動(dòng)作,做運(yùn)動(dòng)演示。
2013-02-28 16:51:41
,獲得了更透明的商品信息;對(duì)生產(chǎn)者來(lái)講,提供了一個(gè)與消費(fèi)者直接見(jiàn)面的大容量平臺(tái)。此外,智能包裝在商品防偽技術(shù)上也將獲得質(zhì)的突破。 在應(yīng)用RFID(無(wú)線射頻識(shí)別)技術(shù)后,智能包裝主要呈現(xiàn)出四大亮點(diǎn)
2016-05-24 15:51:45
3D NAND的生產(chǎn)狀況。之前西部資料制定過(guò)一個(gè)目標(biāo),希望今年采用BiCS 3技術(shù)生產(chǎn)的64層3D NAND能占到3D NAND產(chǎn)量的75%,不過(guò)現(xiàn)在這個(gè)數(shù)字有望能提升到90%以上。另一組資料顯示
2022-02-03 11:41:35
思路。今天,我想給大家介紹下,TI是如何很好地融入這場(chǎng)3D打印技術(shù)革命的。我們將采用什么更合適的方法來(lái)適應(yīng)3D打印技術(shù)革命,而不是生產(chǎn)我們自己的3D打印機(jī)呢?最終的答案就是一款3D打印機(jī)控制器
2018-09-11 14:04:15
將圖片制成3D旗幟動(dòng)畫(huà)軟件 可以將 BMP 和 JPG 格式的圖形文件制作成 3D 旗幟動(dòng)畫(huà)。程序本身提供了多種特效
2008-05-30 11:36:11
pcb 3D導(dǎo)step用creo打開(kāi)為什么絲印層顯示不出來(lái) PCB3D.doc (219 KB )
2019-05-10 00:18:51
娛樂(lè)等,未來(lái)AI實(shí)時(shí)應(yīng)用、分析、移動(dòng)性,對(duì)存儲(chǔ)要求低延遲、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。為了滿足不斷增長(zhǎng)的需求,西部數(shù)據(jù)在2017年發(fā)布第四代96層3D NAND,F(xiàn)ab工廠每天可生產(chǎn)
2018-09-20 17:57:05
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊,這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品,包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī),樣品將于2008年9月出廠,從第四季度開(kāi)始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
第一幅圖是加了.step文件后的樣子。第二幅圖是加載這個(gè)自建庫(kù)后的pcb預(yù)覽。在沒(méi)加3D元件時(shí)。自定義庫(kù)是可以用,可預(yù)覽的。加了3D元件后,工程文件使用了后預(yù)覽并沒(méi)有顯示出3D的形式。這是怎么回事
2019-09-04 04:36:03
使用DLP技術(shù)的3D打印光固化成形法 (SLA),一個(gè)常見(jiàn)的3D打印工藝,與傳統(tǒng)打印很相似。與硒鼓將碳粉沉積在紙張上很類似,3D打印機(jī)在連續(xù)的2D橫截面上沉淀數(shù)層材料,這些材料一層層的疊加
2022-11-18 07:32:23
的NU4000芯片,賦予機(jī)器終端“人眼 + 人腦”的能力,并針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)調(diào)優(yōu),為客戶提供高效、優(yōu)質(zhì)的本地化支持?!≈袊?guó),北京——2021年11月25日,全球3D芯片的引領(lǐng)者銀牛的母公司,銀牛微電子宣布,面向機(jī)器人
2021-11-29 11:03:09
減少NAND閃存產(chǎn)能投資,以便減少NAND供應(yīng),緩解市場(chǎng)對(duì)降價(jià)的預(yù)期。 64層和96層堆棧閃存命運(yùn)各不同今年將是96層3D閃存爆發(fā)的元年。在64層堆棧之后,2018年下半年各大廠商也開(kāi)始量產(chǎn)96層堆棧
2021-07-13 06:38:27
思路。今天,我想給大家介紹下,TI是如何很好地融入這場(chǎng)3D打印技術(shù)革命的。我們將采用什么更合適的方法來(lái)適應(yīng)3D打印技術(shù)革命,而不是生產(chǎn)我們自己的3D打印機(jī)呢?最終的答案就是一款3D打印機(jī)控制器
2022-11-21 07:27:46
如何將一個(gè)3D散點(diǎn)圖與3D網(wǎng)格圖在一個(gè)三維坐標(biāo)系中顯示呢?
2017-03-08 18:18:23
怎么創(chuàng)建3D模型
2019-09-17 05:35:50
AD 在3D顯示下,怎么去除3D封裝的顯示,我只看焊盤(pán),有時(shí)候封裝會(huì)遮掩底部的焊盤(pán)
2019-09-23 00:42:42
`如何把3D文件(STEP)添加到3D庫(kù)?復(fù)制到3D庫(kù)不能用.`
2013-08-21 12:42:02
,從而幫助設(shè)計(jì)工程師快速設(shè)計(jì)、試制復(fù)雜曲面、異形結(jié)構(gòu)以及非標(biāo)零部件,高效推進(jìn)新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)研發(fā)與設(shè)計(jì)驗(yàn)證。1、模型處理在浩辰3D中打開(kāi)模型文件,選擇「3D打印」選項(xiàng)卡,將模型上的裝飾螺紋換成物理螺紋。2
2021-05-27 19:05:15
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓,自帶壞塊管理,10W次擦寫(xiě)壽命,1萬(wàn)次隨機(jī)掉電測(cè)試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫(xiě)錯(cuò)誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
128層甚至更高,外圍電路可能會(huì)占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲(chǔ)單元之上,從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進(jìn)入
2020-03-19 14:04:57
在3D模式下能不能隱藏元件的3D,就是3D模式下只能看見(jiàn)PCB板
2019-04-18 05:51:13
target/allwinner/r6-mic2/configs目錄下)將“storage_type = 3”改為“storage_type = 5”但是對(duì)V3S無(wú)效,燒錄失敗。燒錄日志見(jiàn)burning_err_spi_nand_flash.log。請(qǐng)問(wèn)各位大神,如何適配V3S的SPI NAND閃存呢?
2021-12-29 07:35:21
想繪制一3D球面并在其上繪制曲線,用了LABVIEW的3D繪圖控件,繪制3D參數(shù)曲面與3D曲線,但連接后只能顯示曲面或曲線中的一個(gè)T T。有木有高手指導(dǎo)下哪有錯(cuò)誤,如何將二者同時(shí)顯示,提供思路也可以
2017-03-14 16:01:53
NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在:
1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 文中研究并實(shí)現(xiàn)了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態(tài)存儲(chǔ)系統(tǒng),成果為實(shí)際研制應(yīng)用于星的基于閃存的大容量存儲(chǔ)器奠定了基礎(chǔ),具體較好的指導(dǎo)和借鑒意義。
2012-03-23 11:15:536 現(xiàn)在,西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存,其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)(下半年出樣,2018年開(kāi)始量產(chǎn)),除了TLC類型外,其還會(huì)支持QLC,這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 的廠商競(jìng)爭(zhēng),以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問(wèn)題。、 那么,到底什么是閃存顆?2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系? 閃存顆粒到底是什么? 閃存顆粒,又稱閃存,是一種非易失性存儲(chǔ)器,即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:266 層數(shù)的增加也就意味著對(duì)工藝、材料的要求會(huì)提高,要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候,存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大,然而每層的厚度卻在縮小,以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4847895 由于NAND閃存價(jià)格上漲,SSD普及的道路走的異常艱難,同容量下SSD和HDD的價(jià)格始終相差懸殊,但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存,把SSD的價(jià)格和性能控制在一個(gè)很好的平衡點(diǎn),具有極高的性價(jià)比和極強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:364734 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司,他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司,內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 了,這樣一來(lái)3D NAND閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了,比如東芝的15nm NAND容量密度為1.28Gb/mm2,而三星32層堆棧的3D NAND可以輕松達(dá)到1.87Gb/mm2,48層堆棧的則可
2018-10-08 15:52:39395 布支持96層TLC的3D NAND閃存顆粒,最高容量可達(dá)到4TB,其性能也代表了行業(yè)的標(biāo)桿,在1TB容量下連續(xù)讀寫(xiě)性能達(dá)到:560MB/s,528MB/s;隨機(jī)讀寫(xiě)性能達(dá)到:396MB/s,315MB/s,跑分超過(guò)900分。
2018-11-19 17:22:316838 的單位面積上,TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多,而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過(guò)在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元,這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的單位面積上,TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多,而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過(guò)在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元,這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 美光宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791 據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè),基于固態(tài)硬盤(pán)(SSD)密度和性能提升,明年全球NAND閃存需求將增加,5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-20 15:18:463156 根據(jù)國(guó)科微官方的消息,國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495053 以平等和自由為口號(hào)的大革命,反對(duì)的是當(dāng)時(shí)法國(guó)的特權(quán)階級(jí):國(guó)王,貴族和教士。這些特權(quán)階級(jí)也的確被拖下臺(tái)了,城頭變幻大王旗,幾年后,最能打的拿破侖成了皇帝。注意,不是國(guó)王,而是帝國(guó)的統(tǒng)治者,皇帝。
2020-02-18 12:23:28513 ,已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一,并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片,是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?;蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:161889 ,已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一,并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片,是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?;蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:191922 ,已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一,并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片,是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?;蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:341883 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 據(jù)美媒Anandtech報(bào)道,美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存,新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出,新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲(chǔ)器合作解散以來(lái)推出的第二代產(chǎn)品,此后美光從浮柵( floating-gate)存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap)單元。
2020-11-10 14:56:592809 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857 存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599 日前,TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講,詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。
2020-11-19 16:11:182910 NAND 應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化層越來(lái)越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:132330 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化層越來(lái)越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存峰會(huì)
2020-11-20 17:15:443030 NAND應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND,氧化層越來(lái)越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率? 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:492766 發(fā)展至今,NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久,存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”,2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:373659 近日,Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒,并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品,不過(guò)對(duì)于主控芯片,Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392060 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 由于3D結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性,可能會(huì)發(fā)生多種錯(cuò)誤。特別是在高容量系統(tǒng)中,這些問(wèn)題需要NAND閃存控制器和先進(jìn)的糾錯(cuò)算法。
2022-10-24 14:25:23480 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 2Gb以下容量的 NAND型閃存絕大多數(shù)是(512+16)字節(jié)的頁(yè)面容量,2Gb以上容量的NAND型閃存則將頁(yè)容量擴(kuò)大到(2048+64)字節(jié)。
2023-06-10 17:21:001983 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內(nèi),容納更高的存儲(chǔ)容量,從而有效節(jié)約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744
評(píng)論
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