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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>144層3D NAND將引領(lǐng)閃存容量的重大革命

144層3D NAND將引領(lǐng)閃存容量的重大革命

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Altium designer summer 09 怎么建立3D庫(kù),及PCB怎么導(dǎo)出3D圖,請(qǐng)教各位前輩們
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西數(shù)力挺QLC:首發(fā)96層3D NAND閃存!SSD行業(yè)要變天

現(xiàn)在,西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存,其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)(下半年出樣,2018年開(kāi)始量產(chǎn)),除了TLC類型外,其還會(huì)支持QLC,這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710

3D NAND對(duì)比2D NAND的優(yōu)勢(shì)

的廠商競(jìng)爭(zhēng),以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問(wèn)題。、 那么,到底什么是閃存顆?2D NAND3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系? 閃存顆粒到底是什么? 閃存顆粒,又稱閃存,是一種非易失性存儲(chǔ)器,即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:266

什么是3D NAND閃存?有什么優(yōu)勢(shì)?

層數(shù)的增加也就意味著對(duì)工藝、材料的要求會(huì)提高,要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候,存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大,然而每層的厚度卻在縮小,以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4847895

美光MX500系列SSD:64層3D TLC NAND閃存,性價(jià)比高

由于NAND閃存價(jià)格上漲,SSD普及的道路走的異常艱難,同容量下SSD和HDD的價(jià)格始終相差懸殊,但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存,把SSD的價(jià)格和性能控制在一個(gè)很好的平衡點(diǎn),具有極高的性價(jià)比和極強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:364734

美光第二代3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn),容量更大成本更低

今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司,他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司,內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

了,這樣一來(lái)3D NAND閃存容量、性能、可靠性都有了保證了,比如東芝的15nm NAND容量密度為1.28Gb/mm2,而三星32層堆棧的3D NAND可以輕松達(dá)到1.87Gb/mm2,48層堆棧的則可
2018-10-08 15:52:39395

聯(lián)蕓科技對(duì)外發(fā)布支持96層鎂光B27A的 3D TLC NAND閃存顆粒

布支持96層TLC的3D NAND閃存顆粒,最高容量可達(dá)到4TB,其性能也代表了行業(yè)的標(biāo)桿,在1TB容量下連續(xù)讀寫(xiě)性能達(dá)到:560MB/s,528MB/s;隨機(jī)讀寫(xiě)性能達(dá)到:396MB/s,315MB/s,跑分超過(guò)900分。
2018-11-19 17:22:316838

關(guān)于不同NAND閃存的種類對(duì)比淺析

的單位面積上,TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多,而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過(guò)在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元,這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684

你知道NAND閃存的種類和對(duì)比?

的單位面積上,TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多,而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過(guò)在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元,這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462

中國(guó)首次量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)有什么市場(chǎng)影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682

中國(guó)量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)帶來(lái)什么影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存
2019-09-23 17:05:241028

美光將推出最新的第四代3D NAND閃存

美光宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791

5G通信引領(lǐng),DRAM和NAND閃存市場(chǎng)需求將增加

據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè),基于固態(tài)硬盤(pán)(SSD)密度和性能提升,明年全球NAND閃存需求將增加,5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-20 15:18:463156

搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

根據(jù)國(guó)科微官方的消息,國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495053

區(qū)塊鏈像一場(chǎng)新的大革命

以平等和自由為口號(hào)的大革命,反對(duì)的是當(dāng)時(shí)法國(guó)的特權(quán)階級(jí):國(guó)王,貴族和教士。這些特權(quán)階級(jí)也的確被拖下臺(tái)了,城頭變幻大王旗,幾年后,最能打的拿破侖成了皇帝。注意,不是國(guó)王,而是帝國(guó)的統(tǒng)治者,皇帝。
2020-02-18 12:23:28513

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

,已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一,并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片,是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?;蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:161889

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

,已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一,并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片,是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?;蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:191922

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng) 江 存 儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

,已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一,并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片,是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?;蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:341883

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

美光發(fā)布第五代3D NAND閃存

據(jù)美媒Anandtech報(bào)道,美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存,新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出,新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲(chǔ)器合作解散以來(lái)推出的第二代產(chǎn)品,此后美光從浮柵( floating-gate)存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap)單元。
2020-11-10 14:56:592809

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081

美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599

3D NAND閃存技術(shù)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析

日前,TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講,詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。
2020-11-19 16:11:182910

未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展?

NAND 應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化層越來(lái)越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存
2020-11-20 16:07:132330

未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化層越來(lái)越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存峰會(huì)
2020-11-20 17:15:443030

不要過(guò)于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

NAND應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND,氧化層越來(lái)越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率? 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:492766

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

發(fā)展至今,NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久,存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”,2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:373659

Intel全球首發(fā)144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒

近日,Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒,并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品,不過(guò)對(duì)于主控芯片,Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392060

NAND閃存市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈

 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100

一種用于3D TLC NAND的彈性糾錯(cuò)方案

由于3D結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性,可能會(huì)發(fā)生多種錯(cuò)誤。特別是在高容量系統(tǒng)中,這些問(wèn)題需要NAND閃存控制器和先進(jìn)的糾錯(cuò)算法。
2022-10-24 14:25:23480

什么是3D NAND閃存?

我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

NAND閃存特點(diǎn)及決定因素

2Gb以下容量NAND閃存絕大多數(shù)是(512+16)字節(jié)的頁(yè)面容量,2Gb以上容量NAND閃存則將頁(yè)容量擴(kuò)大到(2048+64)字節(jié)。
2023-06-10 17:21:001983

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內(nèi),容納更高的存儲(chǔ)容量,從而有效節(jié)約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729

三星:2030年3D NAND將進(jìn)入1000層以上

 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744

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