9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:23988 全球首款支持Micron新型16nm TLC NAND的SSD控制器，有助實現(xiàn)高性能、成本最優(yōu)化的TLC SSD
2015-06-04 11:36:281577 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產(chǎn)品的新消息：他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355198 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:292569 知名數(shù)碼博主 @Blood旌旗 在微博中爆料，固態(tài)硬盤廠商?？低暿褂梦鞑繑?shù)據(jù)回收的NAND閃存顆粒。這已經(jīng)不是?？低暤谝淮纬霈F(xiàn)這樣的問題，在黑貓投訴上發(fā)現(xiàn)，有用戶投訴?？低昪2000固態(tài)就涉嫌虛假宣傳，宣傳顆粒為東芝顆粒，實際顆粒為鎂光顆粒。
2020-03-14 10:30:416613 大家好，我的主板上設(shè)計的是1.5V，之前焊接的也是1.5V的DDR顆粒，現(xiàn)在要是不動主板直接把DDR顆粒換成1.35V的，可有什么潛在的問題，這1.35V的DDR我看手冊也是支持DDR3L的，都是
2018-06-21 01:27:24
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
3D SLC NAND FLASH的量產(chǎn)。2021年量產(chǎn)96層256Mb的3D NAND Flash，2022年量產(chǎn)192層3D NAND FLASH。圖 3 3D NAND 進程如圖3所示，3D
2020-11-19 09:09:58
給PCB添加了3D模型之后，讓封裝旋轉(zhuǎn)45度，自己填加的3D模型旋轉(zhuǎn)45度后，代表3D模型的機械層不會和PCB重合；而用封裝向?qū)М嫷哪Ｐ蜁蚉CB重合。請問這個改怎么解決？雖然旋轉(zhuǎn)45度之后，在3D 模式下，3D圖也是旋轉(zhuǎn)了45度，但是在2D模式下的機械層看著很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
請教大家一個問題： Altium designer 的3D封裝在機械層是有線的，我的板子在機械層也畫了線來切掉一部分。那么在PCB的生產(chǎn)加工中，3D封裝位于機械層的線是否會影響加工效果。請實際操作過的回答下，非常感謝。如下圖：
2016-07-22 14:05:18
采用BiCS4技術(shù)的96層3D NAND已經(jīng)出貨給零售商，早在6月底時我們已經(jīng)了解到西部數(shù)據(jù)的BiCS 4 NAND不僅會有TLC類型，而且會有QLC。使用BiCS 4技術(shù)的TLC NAND芯片和采用
2022-02-03 11:41:35
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達6家族有廣泛的第三方SPI（高達x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺，我當(dāng)時
2019-05-21 06:43:17
親愛的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
pcb 3D導(dǎo)step用creo打開為什么絲印層顯示不出來 PCB3D.doc (219 KB )
2019-05-10 00:18:51
娛樂等，未來AI實時應(yīng)用、分析、移動性，對存儲要求低延遲、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。為了滿足不斷增長的需求，西部數(shù)據(jù)在2017年發(fā)布第四代96層3D NAND，F(xiàn)ab工廠每天可生產(chǎn)
2018-09-20 17:57:05
KeleOkereke宣布，他將采用Ghassaei的方法為定于下周發(fā)布的一首新歌3D打印一張唱片。得知Autodesk的創(chuàng)客空間Pier9新進了一套Stratasys公司頂級的3D打印機，據(jù)說該打
2013-12-17 16:36:03
的說一下，有任何問題，大家可以隨時來評論和交流。 SDIO NAND內(nèi)置的控制器可以支持3D TLC的管理，功能非常強大，讀寫速度最高支持到10MB/S，滿足物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備的需求，并且兼容市面主流
2019-04-03 16:42:14
芯片，收購鎂光DDR閃存顆粒，長期高價回收鎂光顆粒，專業(yè)回收庫存電子料，回收flash內(nèi)存，回收電子ic，收購清倉ic，回收工廠淘汰電子料，高價收購過期原裝ic,專業(yè)回收各種IC ,手機IC芯片，高
2020-12-29 18:12:29
，收購鎂光DDR閃存顆粒，長期高價回收鎂光顆粒，專業(yè)回收庫存電子料，回收flash內(nèi)存，回收電子ic，收購清倉ic，回收工廠淘汰電子料，高價收購過期原裝ic,專業(yè)回收各種IC ,手機IC芯片，高通IC
2021-07-26 17:14:30
，收購鎂光DDR閃存顆粒，長期高價回收鎂光顆粒，專業(yè)回收庫存電子料，回收flash內(nèi)存，回收電子ic，收購清倉ic，回收工廠淘汰電子料，高價收購過期原裝ic,專業(yè)回收各種IC ,手機IC芯片，高通IC
2021-11-13 16:15:12
)KLM8G2FE3B-B001(8GB) KLM8G1GEAC-B001(8GB)(MLC,4.5)KLM8G1GEND-B031(8GB)(MLC,5.0)KLMAG2GE4A-A001(16GB
2020-12-16 17:31:39
)KLM8G2FE3B-B001(8GB) KLM8G1GEAC-B001(8GB)(MLC,4.5)KLM8G1GEND-B031(8GB)(MLC,5.0)KLMAG2GE4A-A001(16GB
2021-01-11 18:16:12
減少NAND閃存產(chǎn)能投資，以便減少NAND供應(yīng)，緩解市場對降價的預(yù)期。 64層和96層堆棧閃存命運各不同今年將是96層3D閃存爆發(fā)的元年。在64層堆棧之后，2018年下半年各大廠商也開始量產(chǎn)96層堆棧
2021-07-13 06:38:27
在3D打印機上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機掉電測試。解決TF卡在3D打印機上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲單元之上，從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。據(jù)悉，長江存儲的64層3D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進入
2020-03-19 14:04:57
四運放_TLC27L4_TLC27L9.pdf
2008-03-24 23:41:36
5 四運放_TLC27L4_TLC27L9.pdf
TLC27L4和TL27L9四運算放大器把寬范圍的輸入失調(diào)電壓等級和低失調(diào)電壓漂移，高輸入阻抗，極低的功耗以及高增益組合在一起。
2008-03-24 23:41:37139 The TLC27L1 operational amplifier combines a wide range of input offset-voltage grades with low
2010-09-13 19:51:175
The TLC27M2 and TLC27M7 dual operational amplifiers combine a wide range of input offset voltage
2010-09-16 00:18:3941 Intel-鎂光反擊,2xnm制程NAND芯片將試制
在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對其進行取樣測試。盡管
2009-12-26 09:56:491134 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511088 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報告中指出，這項技術(shù)將會在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:501412 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 東芝日前發(fā)布世界首個基于QLC（四比特單元） BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片。對于閃存技術(shù)的未來發(fā)展而言，這可謂是相當(dāng)重大的消息。
2017-07-04 16:30:52740 
目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1393396 
的廠商競爭，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:266 鎂光MT29F閃存規(guī)格書
2017-10-17 10:16:32133 據(jù)外媒報道，英特爾和鎂光宣布，它們不再合作開發(fā)下一代3D NAND內(nèi)存。
2018-01-11 09:16:024070 如果用一個詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價，閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競爭，以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、
2018-06-06 20:36:003593 
如果用一個詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價，閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競爭，以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。
2018-06-12 12:13:0014755 
今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-06-30 14:34:00362 TLC是一種閃存顆粒的存儲單元，它的英文是TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell。在TLC發(fā)明之前，固態(tài)硬盤大部分采用SLC和MLC，即Single-Level
2018-06-28 09:19:0037554 （Toshiba）等業(yè)者都將進一步推出96層QLC顆粒。 為了因應(yīng)即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對應(yīng)的解決方案。
2018-06-11 09:16:004450 美光、三星釋放信號僅是個開端，SK海力士、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴充閃存產(chǎn)能，為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度?？梢?，3D NAND閃存已經(jīng)成為國際存儲器廠商間的“主戰(zhàn)場”。
2018-07-17 10:34:084865 
面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167 由于NAND閃存價格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價格和性能控制在一個很好的平衡點，具有極高的性價比和極強的市場競爭力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:364734 128Gb TLC NAND 閃存，有助實現(xiàn)優(yōu)異的性能和無可比擬的可靠性，成就新一代高性價比的TLC SSD產(chǎn)品。
2018-07-30 09:33:001577 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161227 到2016年3月份為止，全球四大NAND豪門都推出了3D NAND閃存及TLC閃存，SSD硬盤的好處就不用多說了，現(xiàn)在不僅容量在提升，價格也不斷走低，這導(dǎo)致了性價比更有優(yōu)勢的TLC閃存需求高漲
2018-09-19 16:45:001570 在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND閃存中，所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)單元，是利用管線式(pipe)閘極鏈接每一個NAND
2018-08-29 11:10:008278 
閃存大廠美光一直在談?wù)撟约旱?b class="flag-6" style="color: red">TLC NAND閃存顆粒，但一直沒有投入實用，直到今天，旗下消費品牌Crucial（英睿達）終于帶來了首款TLC固態(tài)硬盤“BX200”。
2018-09-05 15:08:0014738 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達1Tb，備受市場高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462115 SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導(dǎo)地位。
2018-09-07 16:59:043196 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-09-16 10:38:14509 至少2年時間，Intel、美光去年才推出3D NAND閃存，Intel本月初才發(fā)布了首款3D NAND閃存的SSD，不過主要是面向企業(yè)級市場的。這四大豪門的3D NAND閃存所用的技術(shù)不同，堆棧的層數(shù)
2018-10-08 15:52:39395 西部數(shù)據(jù)公司推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤（EFD），豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車儲存解決方案，
2018-10-18 16:52:411295 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 
2018年一月份，英睿達發(fā)布了MX500固態(tài)硬盤，該固態(tài)硬盤包含250GB、500GB、1TB和2TB四種容量類型，在主控方面，均采用慧榮的SM2258，閃存顆粒為鎂光提供的第二代64層3D TLC NAND閃存。
2019-05-09 10:27:2372208 （高級駕駛輔助系統(tǒng)）、先進信息娛樂系統(tǒng)以及自動駕駛的計算機。新款256GB西部數(shù)據(jù)TM iNANDTM AT EM132 嵌入式閃存盤采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù)，產(chǎn)品生命周期超越了2D NAND，以滿足不斷變化的應(yīng)用需求和不斷增長的容量需求。
2019-05-14 13:45:113408 現(xiàn)在，長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263 紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤的144層QLC(四級單元)NAND,預(yù)計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791 兩年前，美光發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD，型號為5210 ION系列。今天，美光宣布5210 ION已經(jīng)得到全面升級，可以作為機械硬盤的完美替代品。
2020-04-10 09:14:412476 兩年前，鎂光發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的固態(tài)硬盤，其型號為5210 ION系列。
2020-04-22 11:31:142262 4月28日消息，金士頓剛剛推出了 KC2500 系列 M.2 2280 NVMe 固態(tài)硬盤新品，采用了支持 PCIe Gen3 x4 通道的慧榮（SMI）2262EB 主控 + 96 層 3D
2020-04-29 14:27:013759 通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:161889 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:191922 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:341883 據(jù)美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀錄的176層構(gòu)造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設(shè)計轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:592809 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 芯片巨頭美光11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。 這使得美光成為全球第一家量產(chǎn)176層TLC NAND閃存的芯片商。 176層NAND支持的接口速度為 1600MT
2020-11-13 14:25:131552 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:132330 長江存儲基于Xtacking架構(gòu)的3D NAND顆粒打造的首款消費級固態(tài)品牌致鈦存儲于日前正式與我們見面，并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問題就是關(guān)于致鈦存儲的技術(shù)，而就在近日，長江存儲通過
2020-11-24 09:56:483572 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:232416 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:373659 3D TLC NAND 代表了存儲介質(zhì)的轉(zhuǎn)折點，提供了更低的每比特成本和更小的占用空間。然而，為了使市場擴展到嵌入式行業(yè)，該技術(shù)需要提供一套可持續(xù)的、可擴展的比特糾錯解決方案。
2022-06-10 07:41:001401 
通過實施上述 LPDC ECC 序列，在 NAND 控制器上終止強大的 RAID 功能，UDInfo相信，未來基于 3D TLC NAND 的設(shè)備可以保證 SSD 質(zhì)量和數(shù)據(jù)完整性。
2022-08-17 11:54:142019 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729 
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達到最高
2023-07-19 19:02:21865
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