9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 的堆疊NAND閃存 V-NAND實(shí)現(xiàn)了具有最新第六代產(chǎn)品的128層單堆疊，并通過(guò)TLC實(shí)現(xiàn)了512 Gb（千兆位）容量。它計(jì)劃于2020年投放市場(chǎng)，并且正在針對(duì)在5年內(nèi)達(dá)到500層或更多層的堆棧
2019-11-25 09:52:315472 明年蘋(píng)果iPhone將迎來(lái)十周年，屆時(shí)將發(fā)布的iPhone 8將進(jìn)行大幅升級(jí)，除采用了OLED曲面屏全新設(shè)計(jì)外，配置方面自然也會(huì)提升不少?？紤]到今年iPhone 7和7 Plus都將存儲(chǔ)提升至256GB，如果蘋(píng)果再提升，明年512GB版iPhone就有望跟我們見(jiàn)面。
2016-11-21 10:39:181007 據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對(duì)于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。
2017-02-23 08:33:401507 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋(píng)果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 SK海力士宣布推出了全球首款4D閃存。從現(xiàn)場(chǎng)給出的技術(shù)演示來(lái)看，4D閃存和此前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking十分相似，只不過(guò)外圍電路（PUC，Peri.Circuits）在存儲(chǔ)單元下方，好處有三點(diǎn)，一是芯片面積更小、二是處理工時(shí)縮短、三是成本降低。
2018-08-09 10:46:173554 1、三星宣布512GB eUFS3.1閃存已大規(guī)模生產(chǎn)，寫(xiě)入速度提升3倍 據(jù)ZDnet報(bào)道，三星電子宣布，已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)面向智能手機(jī)的512GB嵌入式通用閃存（eUFS） 3.1。這款新的閃存
2020-03-18 11:33:374512 FORESEE工規(guī)級(jí)存儲(chǔ)卡產(chǎn)品線有pSLC、MLC、TLC 三個(gè)系列，SD和microSD兩種形態(tài)，提供從8GB到512GB的多種容量選擇。
2021-12-22 11:01:071273 
存儲(chǔ)卡 CFast 512GB TLC
2024-03-14 21:24:12
DTDUO3C/32GB/64GB閃存硬盤(pán)DTDUO3C/128GB全球記憶體模塊龍頭金士頓 (Kingston)亞太區(qū)Flash Memory業(yè)務(wù)總監(jiān)蘇治源表示，該公司NAND Flash產(chǎn)品去年
2022-02-10 12:26:44
固態(tài)硬盤(pán)（SSD） FLASH - NAND（TLC） 512GB mSATA
2024-03-14 22:58:08
快速向TB級(jí)推進(jìn)，也將加快目前512GB容量PCIe SSD價(jià)格下滑的速度。據(jù)報(bào)價(jià)，PCIe SSD 512GB價(jià)格已下滑至48美金，2019年累計(jì)跌幅已高達(dá)23%。隨著新一代SSD在2019下半年戰(zhàn)局
2022-02-06 15:39:12
3.0 USB U盤(pán) (512GB)，同時(shí)預(yù)告今年第一季將率先推出1TB(1024GB)版本，屆時(shí)將會(huì)是世界上容量最大的U盤(pán)。此款U盤(pán)的最高讀寫(xiě)速度可達(dá)每秒240MB/160MB，是Kingston
2022-02-10 12:13:59
BiCS 3的TLC NAND芯片沒(méi)任何區(qū)別，均包含256Gb和512Gb兩種規(guī)格，但是采用BiCS 4技術(shù)的QLC的存儲(chǔ)芯片還可以有768Gb甚至1Tb這兩種規(guī)格。同時(shí)西部數(shù)據(jù)在他們的PPT中表示從
2022-02-03 11:41:35
64層3D TLC NAND的512Gb，容量翻倍，這使得總GB當(dāng)量的NAND Flash供應(yīng)增加。在需求方面，雖然三星、蘋(píng)果、華為等高端旗艦機(jī)容量向512GB升級(jí)，但是全球智能型手機(jī)出貨放緩，尤其是
2022-02-01 23:19:53
應(yīng)用。2018年智能型手機(jī)對(duì)大容量需求強(qiáng)勁，尤其是蘋(píng)果、三星、華為等新機(jī)容量向512GB升級(jí)，正推動(dòng)高端旗艦機(jī)容量需求翻倍增加。西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU321 UFS2.1產(chǎn)品采用了96層3D NAND技術(shù)
2022-02-02 08:45:13
工作者將高達(dá)10億人?，F(xiàn)今的行動(dòng)工作者，希望能在極小、最輕便的機(jī)制上，享有越來(lái)越優(yōu)異的產(chǎn)品效能和耐久力。SDCS2/512GBSDCS2/32GB-2P1ASDCS2/64GB
2022-02-08 11:17:32
什么是QLC？QLC的出現(xiàn)是不是意味著SSD性能在倒退？QLC閃存會(huì)取代TLC、MLC嗎？
2021-06-18 06:27:34
描述 此參考設(shè)計(jì)是具有 TLC5958 驅(qū)動(dòng)器 IC 的完整 64 像素 x 64 像素紅/綠/藍(lán) LED 面板。由于其更高的集成度和高度的時(shí)間多路復(fù)用支持，此設(shè)計(jì)僅通過(guò) 8 個(gè) TLC
2022-09-19 06:57:28
的變化。 需求不足跌價(jià)成必然2018年NAND閃存之所以大降價(jià)，一個(gè)關(guān)鍵原因就是64層堆棧的3DNAND閃存大規(guī)模量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了從32層／48層堆棧到64層堆棧的飛躍，使得NAND閃存每GB成本降至8美分
2021-07-13 06:38:27
已經(jīng)有數(shù)據(jù)，必須先擦除后寫(xiě)入，因此擦除操作是閃存的基本操作。一般每個(gè)塊包含32個(gè)512字節(jié)的頁(yè)，容量16KB；而大容量閃存采用2KB頁(yè)時(shí)，則每個(gè)塊包含64個(gè)頁(yè)，容量128KB。SLC、MLC和TLC
2018-06-21 14:57:19
三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程N(yùn)AND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:04713 金士頓發(fā)布512GB新品固態(tài)硬盤(pán)
金士頓今天發(fā)布了新款SSDNow V+系列固態(tài)硬盤(pán)，容量達(dá)到512GB。雖然原本印象中SSDNow V系列以低價(jià)面向固態(tài)
2010-01-27 09:22:02552 11月21日消息，目前蘋(píng)果iPhone手機(jī)最高存儲(chǔ)容量為256GB?，F(xiàn)在有微博網(wǎng)友爆料，蘋(píng)果將在明年將iPhone8高配版存儲(chǔ)容量升級(jí)為512GB。
2016-11-21 17:54:062531 迷你的BG系列M.2 SSD，尺寸進(jìn)一步下降到了20*16mm，遠(yuǎn)小于現(xiàn)有的2242規(guī)格，最大可以做到512GB容量。
2017-01-10 02:59:115142 如今，不少手機(jī)都不能拓展內(nèi)存，用戶在使用時(shí)，可能會(huì)遇到過(guò)存儲(chǔ)空間不足的情況，只能不斷刪文件清出空間。為了解決這一問(wèn)題，臺(tái)灣某廠商就推出了一款UFS 2.1主控制器，最高可搭配512GB閃存。
2017-03-13 14:38:52805 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開(kāi)始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報(bào)道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤(pán)，它是主流的SATA驅(qū)動(dòng)器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產(chǎn)品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:05755 目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開(kāi)發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來(lái)臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1393396 
東芝在SSD技術(shù)上已經(jīng)是領(lǐng)先各大廠商，東芝對(duì)于64層堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存真是愛(ài)的太深，產(chǎn)品布局之神速令人驚嘆?，F(xiàn)在又將64層堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存帶到了企業(yè)及產(chǎn)品上，得益于這種高容量堆疊
2017-08-08 15:56:272081 盡管不少用戶對(duì)TLC的壽命和穩(wěn)定性都保持謹(jǐn)慎的態(tài)度，但東芝將TLC應(yīng)用到企業(yè)級(jí)，卻也表達(dá)了東芝對(duì)TLC的信心。繼主流的XG5 NVMe、低端的TR200 SATA、單芯片的BG3之后，就在近日，東芝再將64層堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存帶到了企業(yè)級(jí)領(lǐng)域，而這也是全球首次。
2017-08-09 15:53:563784 512GB和1TB的版本均采用TLC閃存，走PCIe 3.0 x4通道，最高連續(xù)讀取3200MB/s，最高寫(xiě)入2400MB/s；4K隨機(jī)最寫(xiě)入440K IOPS，最高讀取380K IOPS。
2017-10-16 11:03:253326 三星512GB UFS閃存開(kāi)始量產(chǎn)，它具有860MB/s讀取速度和255MB/s寫(xiě)入速度，它的存在必將滅亡手機(jī)存儲(chǔ)卡。
2017-12-05 14:21:281450 三星表示，這款512GB的閃存芯片專門(mén)面向移動(dòng)設(shè)備開(kāi)發(fā)，其中整合了八個(gè)多層存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的V-NAND芯片。和過(guò)去三星256GB的芯片相比，雖然容量翻一倍，但是使用的空間卻相同。這給手機(jī)設(shè)計(jì)帶來(lái)了福音。
2017-12-06 11:03:441038 蘋(píng)果之前向外宣布明年的新iPhone將會(huì)進(jìn)行擴(kuò)容到512GB儲(chǔ)存容量，不久后就有網(wǎng)友爆出中國(guó)廠商已經(jīng)率先為iPhone加512GB存儲(chǔ)，搶先蘋(píng)果官方一步，還表明升級(jí)512GB 容量并不太復(fù)雜。
2017-12-10 09:59:519164 在Intel第三代3D閃存固態(tài)盤(pán)我們可以知道的是，用上了 Host Memory Buffer （HMB）技術(shù)，Intel的單Die升級(jí)到了512Gb，不需要整合DRAM做緩沖池。具體的信息將會(huì)CES 2018上才知曉。
2017-12-25 15:18:453039 據(jù)報(bào)道最大容量512GB的microSD存儲(chǔ)卡終于開(kāi)始發(fā)售，該卡支持Video Speed Class 10即V10標(biāo)準(zhǔn)，滿足10MB/s寫(xiě)入速度，可用于一般的電子移動(dòng)設(shè)備。
2018-01-23 16:06:441378 三星在今年必然會(huì)發(fā)的手機(jī)中，還有一款備受期待，就是三星Galaxy Note 9，在外觀上可能會(huì)繼續(xù)保留Note 8的設(shè)計(jì)，但會(huì)在內(nèi)部性能上有明顯的提升。根據(jù)知情人士爆料，Galaxy Note 9很有何能帶來(lái)8GB內(nèi)存＋512GB存儲(chǔ)的配置。
2018-06-11 16:37:00717 
TLC是一種閃存顆粒的存儲(chǔ)單元，它的英文是TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell。在TLC發(fā)明之前，固態(tài)硬盤(pán)大部分采用SLC和MLC，即Single-Level
2018-06-28 09:19:0037554 日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲(chǔ)器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲(chǔ)器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過(guò)因 QLC 快閃存
2018-07-26 18:01:002026 日前，英國(guó)一家名為Integral Memory的公司，推出了全球首款512GB TF存儲(chǔ)卡。
2018-06-01 15:10:004760 Plextor推出 M8V系列固態(tài)硬盤(pán)，包括M8VC 2.5和M8VG M.2，兩種類型都連接到SATA接口，容量從128GB到512GB不等。Plextor的上一代固態(tài)硬盤(pán)M7V系列
2018-05-31 19:10:004531 三星電子今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動(dòng)設(shè)備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個(gè)三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個(gè)控制器芯片。
2018-07-10 09:39:00758 的3D TLC閃存以及QLC閃存，其中TLC閃存陣容擴(kuò)大，多款新品性能提升，容量最大可達(dá)30.72TB，而QLC閃存無(wú)疑是下一步的重點(diǎn)，除了1Tb核心的還會(huì)有512Gb核心的，性能更好，功耗更低，消費(fèi)
2018-10-18 17:33:005579 三星在德國(guó)官方網(wǎng)站上架了512GB的存儲(chǔ)卡，它的價(jià)格高到嚇人，將近2300元，再加個(gè)兩百元，都快買(mǎi)部小米8的旗艦機(jī)了。
2018-11-02 14:42:433324 聯(lián)想小新潮7000 14銳龍版搭載了512GB的NVMe PCIe SSD，讀寫(xiě)性能不僅大幅領(lǐng)先于普通SATA SSD，即使與同系列256GB相比，連續(xù)寫(xiě)入速度也有較大提升。同時(shí)采用8GB DDR4
2018-11-08 17:29:055838 價(jià)格方面，11英寸無(wú)線局域網(wǎng)+蜂窩網(wǎng)絡(luò)機(jī)型售價(jià)分別為7699元（64GB）、8899元（256GB）、10499元（512GB）和13699元（1TB）。12.9寸無(wú)線局域網(wǎng)+蜂窩網(wǎng)絡(luò)機(jī)型售價(jià)分別為9299元（64GB）、10499元（256GB）、12099元（512GB）和15299元（1TB）。
2018-12-30 10:00:003149 1TB固態(tài)硬盤(pán)單價(jià)已經(jīng)有節(jié)奏的下跌50%，存儲(chǔ)芯片價(jià)格崩盤(pán)再次給高容量的固態(tài)硬盤(pán)普及推波助瀾。很快，傳說(shuō)中的512GB和1TB產(chǎn)品將會(huì)成為主流。
2019-02-18 15:19:051146 日前有消息稱紫光純國(guó)產(chǎn)的SSD硬盤(pán)就要上市了，使用是他們研發(fā)生產(chǎn)的64層堆棧3D TLC閃存，P/E次數(shù)可達(dá)1500次，這個(gè)技術(shù)及規(guī)格在主流SSD中已經(jīng)不低了。
2019-03-15 10:38:455020 在本周的活動(dòng)上，西數(shù)談到了其新的低延遲閃存NAND。該技術(shù)旨在實(shí)現(xiàn)3D NAND和DRAM之間的性能。LLF閃存將具有微秒級(jí)的延遲，采用SLC或者M(jìn)LC顆粒。
2019-03-25 14:44:563061 隨著3D閃存的問(wèn)世，固態(tài)硬盤(pán)的容量一直在提升，同時(shí)SSD主控技術(shù)也在進(jìn)步。早在850 PRO和850 EVO這一行業(yè)首個(gè)使用V-NAND技術(shù)的消費(fèi)者固態(tài)硬盤(pán)，當(dāng)時(shí)用的還是MHX主控，閃存則是從32層堆棧升級(jí)到了48層堆棧。
2019-05-09 11:25:2623082 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國(guó)內(nèi)主要有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對(duì)市場(chǎng)影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143302 現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263 的存儲(chǔ)空間將從64GB提高到128GB，iPhone XI系列會(huì)保留256GB/512GB的高配版本，但iPhone XR 2019是否會(huì)提供512GB存儲(chǔ)版本還未能確定。
2019-06-08 18:08:005443 此次三星推出的三星Galaxy A50是三星旗下的一款中端產(chǎn)品。該機(jī)配備6.4英寸顯示屏，后置三顆攝像頭，包括一個(gè)主攝像頭、一個(gè)景深鏡頭和一個(gè)廣角鏡頭；配備4000mAh電池，輔以64GB存儲(chǔ)，支持512GB最大擴(kuò)容。
2019-06-12 16:44:442727 今年早些時(shí)候，西部數(shù)據(jù)發(fā)布了WD Black SN750、閃迪Extreme Pro M.2 NVMe 3D兩個(gè)系列的新品SSD，都基于西數(shù)自研主控、64層3D TLC閃存顆粒，元器件、性能、軟件
2019-07-15 09:52:035318 據(jù)外媒報(bào)道稱，三星歐洲等官網(wǎng)上都已經(jīng)出現(xiàn)了Note 10的細(xì)節(jié)，不過(guò)雖然不多，但是還是能看出一些端倪，比如Note 10+將會(huì)運(yùn)行安卓10.0系統(tǒng)，并且頂配是512GB版本，當(dāng)然也有256GB版本
2019-07-30 10:39:477818 Galaxy Book S提供了13.3英寸的全高清觸控屏，采用8GB LPDDR4X內(nèi)存，最高512GB機(jī)身存儲(chǔ)，最多支持1TB的micro SD卡。這款筆記本電腦的電池42Wh，三星稱視頻播放時(shí)間長(zhǎng)達(dá)23小時(shí)，這表明充滿電就能用一整天。該筆記本電腦還支持QC 2.0和PD 2.0快充。
2019-08-09 08:46:551150 5G超級(jí)SIM卡有SIM卡有完整通訊功能的同時(shí)，它也是一張超大容量的存儲(chǔ)卡。目前有32GB、64GB和128GB三個(gè)版本，未來(lái)還將推出512GB和1TB版本。
2019-08-26 16:50:123312 2019年9月2日，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）在IC China 2019前夕宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D
2019-09-02 16:27:503468 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:451585 9月19日晚上20點(diǎn)，Redmi最強(qiáng)旗艦K20 Pro尊享版將正式發(fā)布，官方最新預(yù)熱海報(bào)顯示，新機(jī)將搭載512GB超大存儲(chǔ)空間。
2019-09-18 11:48:314971 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001495 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking？架構(gòu)的中國(guó)首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181357 今年一季度，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:33824 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。
在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上，終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道，今年一季度，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243065 2019年智能手機(jī)的閃存容量進(jìn)一步提升，中高端手機(jī)基本上是128GB起步，高端會(huì)上512GB，個(gè)別產(chǎn)品頂配直接上1TB容量了。按照這個(gè)趨勢(shì)下去，明年1TB容量的手機(jī)會(huì)更多，因?yàn)镾K海力士現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)始出貨1TB UFS 3.1閃存給手機(jī)廠商，堆棧層數(shù)達(dá)到了128層。
2019-11-21 08:53:08482 如同HDD硬盤(pán)中的SMR技術(shù)一樣，QLC閃存現(xiàn)在也有人人喊打的趨勢(shì)，究其原因就在于QLC閃存性能、可靠性比TLC閃存更差，但是現(xiàn)在的價(jià)格還沒(méi)有達(dá)到預(yù)期。對(duì)廠商來(lái)說(shuō)，六大原廠今年都量產(chǎn)了QLC閃存，不過(guò)西數(shù)認(rèn)為QLC閃存要到1XX層時(shí)才會(huì)爆發(fā)。
2019-12-10 09:42:15810 為什么買(mǎi)了512GB的硬盤(pán)到手只有480GB？
2019-12-17 09:55:3515894 為什么買(mǎi)了512GB的硬盤(pán)到手只有480GB？
2019-12-17 09:59:535930 在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤(pán)中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 08:41:5210832 在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤(pán)中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 08:47:302953 在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤(pán)中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 10:34:135022 在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤(pán)中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-10 14:23:27640 西數(shù)公司今天正式宣布了新一代閃存技術(shù)BiCS5，這是西數(shù)與鎧俠（原來(lái)的東芝存儲(chǔ)）聯(lián)合開(kāi)發(fā)的，在原有96層堆棧BiCS4基礎(chǔ)上做到了112層堆棧。
2020-02-06 15:13:362209 今日，三星電子宣布已開(kāi)始量產(chǎn)512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存，可用于手機(jī)、平板等。
2020-03-17 11:45:262147 三星今日宣布開(kāi)始量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，其連續(xù)寫(xiě)入速度超過(guò)1.2GB/s，是其前代產(chǎn)品寫(xiě)入速度的3倍。
2020-03-17 14:22:143065 3月18日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子日前公告稱，該公司開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，適用于旗艦智能手機(jī)。
2020-03-18 17:01:052534 智能手機(jī)的運(yùn)算能力越來(lái)越高，下載速度也越來(lái)越快，儲(chǔ)存芯片的讀寫(xiě)速度亦需要配合，才能發(fā)揮每個(gè)環(huán)節(jié)的最高效能。日前三星（Samsung）就宣布開(kāi)始大規(guī)模投產(chǎn)512GB的eUFS 3.1儲(chǔ)存芯片，它的特點(diǎn)就是其讀寫(xiě)速度較上一代更快。
2020-03-21 10:06:272417 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060），用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421372 存儲(chǔ)芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，TLC顆粒，容量達(dá)512Gb（64GB）。 ? 據(jù)，SK海力士透露，該閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時(shí)集成了PUC技術(shù)
2020-12-14 15:55:321072 今年的iPhone 12系列總計(jì)有64GB、128GB、256GB和512GB四種容量，從國(guó)內(nèi)外的情況來(lái)看，盡管首波僅上市了兩款，可銷量著實(shí)恐怖。
2020-11-05 09:32:351172 閃存是最常用器件之一，在諸如SSD等存儲(chǔ)設(shè)備中均存在閃存。但是，大家對(duì)閃存真的足夠了解嗎?為增進(jìn)大家對(duì)閃存的了解和認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)QLC閃存以及TLC閃存相關(guān)內(nèi)容予以介紹。如果你對(duì)閃存具有興趣，不妨
2020-11-06 17:38:5882922 
SSD硬盤(pán)，之前他們也有一些移動(dòng)硬盤(pán)之類的產(chǎn)品，但不是重點(diǎn)，現(xiàn)在SSD硬盤(pán)會(huì)是發(fā)力的關(guān)鍵了，今年9月份宣布了全新的朗系列SSD硬盤(pán)，目前已經(jīng)上市。 朗系列SSD是2.5寸SATA規(guī)格的，但是閃存及主控全是國(guó)產(chǎn)的，其中閃存是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D閃存， 64層堆棧、TL
2020-11-13 14:54:242084 加而成，第一批為TLC顆粒，單個(gè)Die的容量為512Gb（64GB），當(dāng)然后期很可能會(huì)加入QLC。 更重要的是，美光不只是宣布了新技術(shù)，而且176層閃存已經(jīng)量產(chǎn)并出貨了，已經(jīng)用于一些Crucial英睿達(dá)品牌的消費(fèi)級(jí)SSD，明年還會(huì)發(fā)布更多新產(chǎn)品。 在176層閃存技術(shù)上，美光
2020-11-14 10:01:201797 、512GB，那么這兩種情況下SSD有什么區(qū)別，廠商為什么要隱瞞部分SSD容量呢？ 針對(duì)這個(gè)現(xiàn)象，長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的致鈦科技今天繼續(xù)科普SSD硬盤(pán)，這次就談到了SSD足容的問(wèn)題。 首先，閃存顆粒在設(shè)計(jì)的時(shí)候都是以2的冪次方來(lái)設(shè)計(jì)的，比方說(shuō)256GB、512GB等，所以依托于閃存顆粒進(jìn)行
2020-12-01 16:24:369782 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時(shí)集成了PUC技術(shù)。 4D閃存是SK
2020-12-07 13:49:271552 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:091666 12月7日，韓國(guó)半導(dǎo)體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲(chǔ)單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。
2020-12-08 11:01:411697 2020年閃存繼續(xù)降價(jià)，SSD硬盤(pán)也一路下滑，1TB硬盤(pán)也成了很多人裝機(jī)的選擇。馬上就要到2021年了，業(yè)界預(yù)計(jì)明年QLC閃存會(huì)更普及，其性能、可靠性等指標(biāo)已經(jīng)追上TLC閃存，堆棧層數(shù)也全面邁向
2020-12-25 10:50:251920 2020年閃存繼續(xù)降價(jià)，SSD硬盤(pán)也一路下滑，1TB硬盤(pán)也成了很多人裝機(jī)的選擇。馬上就要到2021年了，業(yè)界預(yù)計(jì)明年QLC閃存會(huì)更普及，其性能、可靠性等指標(biāo)已經(jīng)追上TLC閃存，堆棧層數(shù)也全面邁向100+層。
2020-12-25 14:30:331640 在幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng)，推出了162層3D閃存。
2021-02-20 10:40:582012 據(jù)供應(yīng)鏈消息，今年 iPhone Pro 系列的最高存儲(chǔ)容量將從 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20521 28/44引腳16位閃存單片機(jī)PIC24FJ64GB004免費(fèi)下載。
2021-05-20 10:40:42
5 今日，作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的廠商，三星宣布開(kāi)發(fā)出三星首款512GB內(nèi)存擴(kuò)展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。
2022-05-10 10:16:081370 搭載 MediaTek 天璣 8100 5G 移動(dòng)平臺(tái)，兼具澎湃性能與冰封能效；LPDDR5 + 512GB 超大存儲(chǔ)組合，處理速度大幅提升；144Hz 高配 LCD 屏幕，暢享高配護(hù)眼視覺(jué)
2022-10-27 09:57:184258 三星電子計(jì)劃從今年第四季度開(kāi)始生產(chǎn)128gb和256gb產(chǎn)品，并生產(chǎn)512gb產(chǎn)品。256gb產(chǎn)品的連續(xù)讀取速度為2000兆/秒，連續(xù)寫(xiě)入速度為700兆/秒。
2023-07-14 11:33:52452 據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫(kù)存緩慢，很難說(shuō)服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:24762
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