9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 ，只有一層的2D NAND不能在不增加芯片管芯尺寸的情況下增加容量。然而，在像高層建筑物中那樣允許單元（NAND的最小單位）沿3D方向存儲(chǔ)的3D NAND中，容量可以隨著
2019-10-04 01:41:004991 三星最近打破了目前市場(chǎng)上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲(chǔ)芯片。
2012-09-21 10:14:521059 西數(shù)公司日前表示今年會(huì)試產(chǎn)512Gb核心容量的64層堆棧3D NAND閃存，單顆核心容量就達(dá)到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盤(pán)更容易了。
2017-02-07 14:21:31750 受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(pán)（SSD），NAND Flash需求正快速成長(zhǎng)，各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:128497 
據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對(duì)于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。
2017-02-23 08:33:401507 據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來(lái)NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問(wèn)題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371380 
提升, 已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:292569 作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-04-13 14:30:551390 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
128GB容量。并且?guī)?lái)的成本優(yōu)勢(shì)開(kāi)始減弱，16nm制程后，繼續(xù)采用2D 微縮工藝的難度和成本已超過(guò)3D技術(shù)，因此3D NAND開(kāi)始成為主流。比如旺宏也計(jì)劃跟進(jìn)在2020年下半年實(shí)現(xiàn)48層128Mb的19nm
2020-11-19 09:09:58
。s3c2410_nand_inithw //去初始化硬件相關(guān)的部分，主要是關(guān)于時(shí)鐘頻率的計(jì)算，以及啟用nand flash控制器，使得硬件初始化好了，后面才能正常工作。3. 需要多解釋一下的，是這部分代碼：for (setno = 0
2018-07-17 15:00:00
閃存中BiCS技術(shù)的閃存核心面積最低，也意味著成本更低。此外，鎧俠今年推出的UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片，同樣是基于東芝BiCS 3D存儲(chǔ)技術(shù)打造，設(shè)計(jì)容量包括128GB、256GB
2020-03-19 14:04:57
上，對(duì)CPU的接口要求低；有足夠的地址引腳來(lái)尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。但不同容量的NorFlash的地址線需求不一樣，Nor Flash芯片容量升級(jí)不便。 （3）Nand Flash和Nor
2023-02-17 14:06:29
，主要有兩種存儲(chǔ)芯片：NOR Flash和NAND Flash。對(duì)于大容量需求，通常會(huì)選擇NAND Flash。然而，使用NAND Flash會(huì)引發(fā)一些問(wèn)題：
NAND Flash存在壞塊，需要壞塊
2024-01-24 18:30:00
。請(qǐng)幫我確認(rèn)一下。3、我們的PCB為了節(jié)省空間，只想用兩片16bit的內(nèi)存，也就是只連接DDRC0控制器，總容量為1GB，另外一個(gè)DDRC1不連接，請(qǐng)問(wèn)將來(lái)跑linux系統(tǒng)和DSP算法同時(shí)運(yùn)行，這樣設(shè)計(jì)能否滿足要求？希望大家給予幫助，謝謝大家了。
2018-05-28 13:30:39
DTDUO3C/32GB/64GB閃存硬盤(pán)DTDUO3C/128GB全球記憶體模塊龍頭金士頓 (Kingston)亞太區(qū)Flash Memory業(yè)務(wù)總監(jiān)蘇治源表示，該公司NAND Flash產(chǎn)品去年
2022-02-10 12:26:44
在臺(tái)投資的公司包括封測(cè)廠力成、華泰，控制芯片業(yè)者群聯(lián)、鑫創(chuàng)、擎泰等，在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的上下游布局相當(dāng)完整。KF318LS11IB/4KF318LS11IB/8KF318LS11IBK2/16EMMC04G-M627EMMC04G-MK27EMMC04G-M657EMMC08G-ML36EMMC16G-TB29EMMC32G-TX29EMMC64G-TX29EMMC128-TX29EMMC04G-W627EMMC16G-IB29EMMC32G-IX29EMMC64G-IX29EMMC128-IX2904EMCP04-NL3DM62708EMCP04-NL3DT22708EMCP08-NL3DT22716EMCP08-NL3DTB2816EMCP16-EL3GTB2916EMCP16-ML4ATB2932EMCP16-EL3GTB2932EMCP16-ML4ATB2932EMCP24-EL3JTB2932EMCP32-ML4BTB2964EMCP24-EL3JTA2964EMCP32-EL3HTA2964EMCP32-ML4BTA2904EPOP08-NL3DM62704EPOP04-NL3DM62708EPOP04-NL3DT22708EPOP08-NL3DT227D1216ECMDXGJDD2568ECMDPGJDD2516ECMDXGJDD5128ECMDPGJDD2516ECMDXGMEB5116ECMDXGJDD1216ECMDXGJDID2568ECMDPGJDID2516ECMDXGJDID5128ECMDPGJDIB5116ECMDXGJDI
2022-02-08 11:05:15
NAND制程的M10Pe和M9V SSD。除原廠之外，下游的SSD品牌廠已陸續(xù)進(jìn)入了新的制程階段，相較于64層3D NAND，96層3D NAND使單顆Die容量向1Tb普及，不僅將推動(dòng)SSD容量
2022-02-06 15:39:12
-2P/256GB-2PDTKN/32GB/64GBDTKN/128GB/256GBDT80/32GB/64GBDT80/128GB/256GBDT100G3/32GB/64GBDT100G3/128GB/256GB
2022-02-10 12:13:59
LS1012AXN7EKB是否支持128GB容量的SD卡（SDXC）？
2023-03-22 07:06:21
行業(yè)資本支出的增加，以及美光176層3D NAND產(chǎn)能正在提升，因此對(duì)行業(yè)保持謹(jǐn)慎樂(lè)觀的態(tài)度，但同時(shí)也看到了NAND行業(yè)需求正在改善，需要繼續(xù)關(guān)注NAND行業(yè)的資本支出和供應(yīng)增長(zhǎng)情況。另外，對(duì)于主控
2021-12-27 16:04:03
采用BiCS4技術(shù)的96層3D NAND已經(jīng)出貨給零售商，早在6月底時(shí)我們已經(jīng)了解到西部數(shù)據(jù)的BiCS 4 NAND不僅會(huì)有TLC類型，而且會(huì)有QLC。使用BiCS 4技術(shù)的TLC NAND芯片和采用
2022-02-03 11:41:35
64層3D TLC NAND的512Gb，容量翻倍，這使得總GB當(dāng)量的NAND Flash供應(yīng)增加。在需求方面，雖然三星、蘋(píng)果、華為等高端旗艦機(jī)容量向512GB升級(jí)，但是全球智能型手機(jī)出貨放緩，尤其是
2022-02-01 23:19:53
，西部數(shù)據(jù)早2017年宣布成功研發(fā)出96層3D 和QLC NAND，單Die容量最高可達(dá)1.33Tb。隨著新一代96層3D NAND技術(shù)的成熟，西部數(shù)據(jù)正在積極導(dǎo)入嵌入式產(chǎn)品中應(yīng)用，滿足移動(dòng)設(shè)備不斷
2022-02-02 08:45:13
S34MS16G202BHI000閃存芯片S34ML08G101TFB003 西部數(shù)據(jù)宣布成功開(kāi)發(fā)了4-Bits-Per-Cell(X4）架構(gòu)的64層3D NAND（BiCS3）。在以前的2D
2022-02-04 10:27:01
` CS品牌創(chuàng)世SD NAND內(nèi)置的控制器可以支持3D TLC的管理，功能非常強(qiáng)大，讀寫(xiě)速度最高支持到10MB/S，滿足物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備的需求，并且兼容市面主流主控。 支持SDIO接口訪問(wèn)
2019-09-29 16:45:07
-2P1ASDCS2/128GB-2P1ASDCS2/256GB-2P1ASDCS2/512GB-2P1ASDCS2/32GB-3P1ASDCS2/64GB-3P1ASDCS2/128GB-3
2022-02-08 11:17:32
)，MLC (Multi-Level Cell), TLC (Triple-Level Cell), QLC (Quad-Level Cell) 和3D NAND Flash。他們的區(qū)別在于每個(gè)cell
2022-07-01 10:28:37
這是我的nand flash測(cè)試的結(jié)果，第五個(gè)是0xbc位值如下bit3/2是11表示plane number是8，bit6/5/4是011表示plane size是512Mb。那么這款芯片的容量
2019-03-07 07:45:07
的存儲(chǔ)卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲(chǔ)卡產(chǎn)品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲(chǔ)卡起售價(jià)$199.99，對(duì)于一張存儲(chǔ)卡而言，這個(gè)定價(jià)可以算得
2015-12-16 11:31:26
，大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求持續(xù)增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長(zhǎng)率達(dá)40%-45%，而美光NAND技術(shù)從40nm到16nm，再到64層3D技術(shù)，一直為市場(chǎng)提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個(gè)月前美
2018-09-20 17:57:05
數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的柱形晶體管來(lái)控制每個(gè)存儲(chǔ)單元。最后連接每個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)單元，把3D晶圓連到金屬層?！ ze預(yù)測(cè)：“BeSang 3D芯片的成本可非常低，因?yàn)榭梢栽谝粋€(gè)工藝中將所有邏輯電路加到晶圓底部，而在另一個(gè)
2008-08-18 16:37:37
4個(gè)插槽，我們可以容納128GB內(nèi)存，但CPU只支持64GB內(nèi)存。DELL 7730也是如此非常感謝以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文Hi everyone,I wonder how can Lenovo
2018-10-26 14:58:40
的指令效率以及代碼密度比傳統(tǒng)的8位單片機(jī)高。內(nèi)置的集成模擬運(yùn)放和模擬比較器，還有可編程的運(yùn)放反饋回路使得單顆EFM32芯片即可實(shí)現(xiàn)了完整的信號(hào)鏈，只要EFM32 + 3D眼鏡專業(yè)芯片共2個(gè)芯片即可完成
2012-12-12 17:43:37
最新的e.MMCTM標(biāo)準(zhǔn)，適用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品，包括智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴設(shè)備。16GB產(chǎn)品樣品出貨即日啟動(dòng)，8GB、32GB、64GB和128GB產(chǎn)品將稍后出貨。新產(chǎn)品在單一封裝內(nèi)整合了
2018-09-13 14:36:33
的96層3D閃存使用的是新一代BiCS4技術(shù)，QLC類型的核心容量高達(dá)1．33Tb，比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)水平提升了33％，東芝已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了16核心的單芯片閃存，一顆閃存的容量就有2．66TB。 國(guó)內(nèi)崛起撬動(dòng)全球
2021-07-13 06:38:27
創(chuàng)始人J.Wong在魅族論壇中回應(yīng)網(wǎng)友質(zhì)疑時(shí)，也確認(rèn)了這就是Flyme 3.0系統(tǒng)?！ ×硗猓瑩?jù)消息人士透露，魅族MX3將會(huì)推出128GB版本，屆時(shí)MX3將可能出現(xiàn)16GB、32GB、64GB
2013-08-27 17:01:40
適應(yīng)NAND FLASH陣列應(yīng)用，并且可以適應(yīng)各種各樣的NAND FLASH芯片型號(hào)。8x8(8行8列:8個(gè)片選,64位數(shù)據(jù)總線) NAND FLASH陣列的存儲(chǔ)速度可達(dá)380MB/S。FPGA內(nèi)部
2014-03-01 18:49:08
復(fù)雜（很多就是2層板），SD NAND的這種封裝可以產(chǎn)品的PCB板繼續(xù)簡(jiǎn)單且小巧?！ S品牌SD NAND容量是128MB、512MB，后期會(huì)推出1GB和4GB容量的SD NAND.客戶可以根據(jù)自己
2019-10-10 16:55:02
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫(xiě)壽命，1萬(wàn)次隨機(jī)掉電測(cè)試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫(xiě)錯(cuò)誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲(chǔ)介質(zhì)都是相變存儲(chǔ)器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲(chǔ)器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
我使用TMS320C6657芯片，NAND Flash容量需要做到16GB(128Gb)，需要外接兩個(gè)8GB的NAND Flash芯片，我想使用EMIF16接口的EMIFCE0/1
2018-07-25 07:55:57
筆者有個(gè)筆記本使用的三星Samsung BGND3R 32GB eMMC字庫(kù)，想升級(jí)一下，請(qǐng)問(wèn)可以更換那些字庫(kù)？可以更換128GB的哪些型號(hào)？N3150 Braswell平臺(tái)
2020-06-09 06:36:04
三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:04713 2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化
NAND Flash市場(chǎng)未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋(píng)果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價(jià)大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有
2010-01-27 09:47:59483 Intel 公司和Micron Technology公司今日宣布推出NAND閃存技術(shù)新基準(zhǔn) flash technology – 世界第一款20納米、128Gb的多層單元(MLC)器件。
2011-12-07 10:02:541875 SanDisk NAND閃存部門(mén)今天宣布公司將開(kāi)始生產(chǎn)128Gb，也就是16GB容量的閃存芯片，該芯片將采用19納米制程，每單元三層結(jié)構(gòu)，尺寸為0.26平方英寸，比一個(gè)一便士硬幣還要小，而傳輸速率可
2012-02-23 10:44:06847 
云端的存儲(chǔ)解決方案并不是適用于所有的移動(dòng)平臺(tái)用戶。最近，三星打破了目前市場(chǎng)上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲(chǔ)芯片。
2012-09-21 10:11:25879 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開(kāi)始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 東芝日前發(fā)布了全球首個(gè)基于QLC(四比特單元) BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片，64層堆疊封裝，單顆容量可以做到768Gb(32GB)，可以帶來(lái)容量更大、成本更低的SSD產(chǎn)品。
2017-07-04 14:43:502633 iPhone7/7Plus剛上市時(shí)，最受追捧的亮黑色不僅沒(méi)有64GB版本，連32GB都沒(méi)有。現(xiàn)在最受關(guān)注的蘋(píng)果10周年紀(jì)念版iPhoneX只有64G和256G，沒(méi)有中間最合適的128GB，那么蘋(píng)果砍掉128GB是為什么？
2017-09-27 16:35:1837929 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年，主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00667 隨著上游NAND Flash原廠的64層3D NAND產(chǎn)能持續(xù)開(kāi)出，且被大量應(yīng)用在SSD產(chǎn)品線，今年以來(lái)高容量SSD價(jià)格持續(xù)下滑，6月中旬主流的240GB TLC SSD現(xiàn)貨價(jià)已降至40～43美元
2018-06-26 15:39:493933 
隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報(bào)道稱，東芝存儲(chǔ)器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨，代表著NAND Flash市場(chǎng)霸主之爭(zhēng)正式拉開(kāi)序幕。
2018-08-05 11:50:161227 7月20日，東芝/西部數(shù)據(jù)宣布成功開(kāi)發(fā)采用96層BiCS4架構(gòu)的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），單Die容量最高可達(dá)1.33Tb，預(yù)計(jì)將在2018下半年開(kāi)始批量出貨，并優(yōu)先用于SanDisk品牌下銷售的消費(fèi)級(jí)閃存產(chǎn)品。
2018-08-08 15:10:01724 
原廠全面轉(zhuǎn)向3D NAND供應(yīng)出貨，QLC（4bit）新架構(gòu)的助攻下，2018年NAND Flash Bit市場(chǎng)供應(yīng)量增幅將超過(guò)40%。
2018-08-11 09:35:002864 
紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場(chǎng)高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462115 隨著Flash各家原廠紛紛升級(jí)到64層3D NAND技術(shù)量產(chǎn)256Gb或512Gb單顆Die，以及提高新工廠的產(chǎn)出量，2018年三星將全面向3D NAND普及，美光預(yù)計(jì)2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:431607 隨著64層/72層3D NAND產(chǎn)出的增加，以及原廠QLC和96層3D技術(shù)快速發(fā)展，NAND Flash在經(jīng)歷2年漲價(jià)后，2018年市場(chǎng)行情從缺貨轉(zhuǎn)向供應(yīng)過(guò)剩，再加上成本下滑，以及供需雙方博弈刺激下，預(yù)計(jì)2018年全球SSD出貨量將超過(guò)1.9億臺(tái)，甚至有望沖刺2億臺(tái)。
2018-08-31 16:15:002324 Cell )NAND將邁入百家爭(zhēng)鳴時(shí)代，帶動(dòng)消費(fèi)性固態(tài)硬盤(pán)(SSD)容量快速升級(jí)至TB等級(jí)，加上長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking，試圖超車追趕國(guó)際大廠，全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加，戰(zhàn)火愈益激烈，2019年NAND Flash市場(chǎng)恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266586 ，也意味著成本更低。?東芝和閃迪是戰(zhàn)略合作伙伴，雙方在NAND領(lǐng)域是共享技術(shù)的，他們的BiCS閃存去年開(kāi)始量產(chǎn)，目前的堆棧層數(shù)是48層，MLC類型的核心容量128Gb，TLC類型的容量可達(dá)256Gb
2018-10-08 15:52:39395 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:52935 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115 近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用東芝64層BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三種容量選擇。
2019-02-18 15:33:373673 今日援引自產(chǎn)業(yè)鏈消息透露，蘋(píng)果將要發(fā)布的新iPhone手機(jī)，起售價(jià)格或超1萬(wàn)元。原因在于新iPhone將取消64GB存儲(chǔ)版本，直接128GB起跳。
2019-07-22 09:39:422501 5G超級(jí)SIM卡有SIM卡有完整通訊功能的同時(shí)，它也是一張超大容量的存儲(chǔ)卡。目前有32GB、64GB和128GB三個(gè)版本，未來(lái)還將推出512GB和1TB版本。
2019-08-26 16:50:123312 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 在近日于韓國(guó)首爾舉行的存儲(chǔ)開(kāi)放日活動(dòng)中，Intel推出了使用QLC閃存的新款固態(tài)硬盤(pán)665P，繼續(xù)使用了660P所采用的慧榮SM2263主控，但閃存顆粒升級(jí)為96層3D QLC，但單Die依舊維持1024Gb容量（128GB）。
2019-09-27 15:22:293276 NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481156 日前，@Redmi紅米手機(jī) 正式官宣，Redmi K30 5G的6GB+64GB/128GB版將于明天上午10點(diǎn)正式開(kāi)售，售價(jià)分別為1999元和2298元，不過(guò)這兩個(gè)內(nèi)存版本只有“深海微光”一種顏色可選。
2020-01-13 11:45:25940 SanDisk 3D NAND Flash:Gen3 X3 128Gb存儲(chǔ)設(shè)備包含一個(gè)128Gb的48針TSOP封裝。所有可能的配置可能不可用。有關(guān)當(dāng)前零件號(hào)的列表，請(qǐng)參見(jiàn)第0頁(yè)的“市場(chǎng)營(yíng)銷零件
2020-07-01 08:00:00
6 兩年前，美光發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD，型號(hào)為5210 ION系列。今天，美光宣布5210 ION已經(jīng)得到全面升級(jí)，可以作為機(jī)械硬盤(pán)的完美替代品。
2020-04-10 09:14:412476 今日（4月13日），長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:09805 首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC
2020-04-13 09:29:415557 2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:522653 4月13日，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491128 長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號(hào)為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:062793 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:002648 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開(kāi)始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091032 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060），用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421372 ，已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:161889 ，已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:191922 ，已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:341883 Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫(xiě)速度快
2020-11-03 16:12:083855 
特斯拉在中國(guó)官網(wǎng)上架128GB U盤(pán)。
2020-11-27 09:35:204103 指出，在 2020 年 Q3，華為大量備貨，對(duì)消費(fèi)性、低容量的 MLC eMMC 以及元件端的 NAND wafer 也有影響，推升了 Q3 NAND Flash 的位元出貨量。 IT之家了解到，根據(jù)
2020-12-01 10:30:271575 了解到，670p 是繼 660p 和 665p 之后的一款全新的 3D QLC NAND SSD，采用了新的主控，支持 PCIe Gen3。容量可選 512GB 到 2TB，具體的讀寫(xiě)速度還沒(méi)公布。另外
2020-12-17 09:30:222364 Flash ROM NAND Flash ROM 應(yīng)該是目前最熱門(mén)的存儲(chǔ)芯片了。因?yàn)槲覀兩钪薪?jīng)常使用的電子產(chǎn)品都會(huì)涉及到它。比如你買(mǎi)手機(jī)，肯定會(huì)考慮64GB，還是256GB？
2024-03-01 17:08:45160 
在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019
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