APEC 2022 上的電力電子：下一步是什么？

APEC是最重要的電力電子盛會(huì)之一。來(lái)自學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的許多人有機(jī)會(huì)討論了有關(guān)GaN 和 SiC的最新消息。在會(huì)議期間，我有機(jī)會(huì)與這么多專家交談，并進(jìn)一步冒險(xiǎn)進(jìn)入這個(gè)驚人的寬帶隙生態(tài)系統(tǒng)。

有一點(diǎn)是肯定的：GaN 和 SiC 是未來(lái)，但硅將始終發(fā)揮作用，晶圓上的新更新（將在文章中介紹）勢(shì)必會(huì)改善特性。事實(shí)上，Applied Novel Devices (AND) 正在與 Skywater Technology 合作開發(fā)一種新的晶體管技術(shù)，該技術(shù)可為快速開關(guān)電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供顯著優(yōu)勢(shì)。功率 MOSFET 通過(guò) AND 的專有通道工程技術(shù)提供 2 倍的低輸出電荷、接近零的反向恢復(fù)和超低 Qoss。硅會(huì)卷土重來(lái)嗎？我們會(huì)看看接下來(lái)會(huì)發(fā)生什么。

研討會(huì)

田納西大學(xué)諾克斯維爾分校 (UTK) 教授 Fred Wang 談到了用于電網(wǎng)應(yīng)用的新興高壓 SiC 器件，重點(diǎn)關(guān)注 HV SiC 在轉(zhuǎn)換器（設(shè)備）和系統(tǒng)級(jí)的潛在優(yōu)勢(shì)。同一天，PowerAmerica/北卡羅來(lái)納州立大學(xué)的 SiC 教授 Victor Veliadis 說(shuō)明了寬帶隙雙向開關(guān)及其對(duì)未來(lái)交流電源轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用的影響。碳化硅將提高效率，使產(chǎn)業(yè)鏈中的所有動(dòng)力總成更有效地制造。下一代電動(dòng)汽車將成為復(fù)雜智能電網(wǎng)的一部分，其關(guān)鍵特征是完整的雙向智能節(jié)點(diǎn)。

圖 1：Si、SiC 和 GaN（來(lái)源：Victor Veliadis – Infineon）

圖 2：寬帶隙應(yīng)用（來(lái)源：Victor Veliadis，圖表：Isic C. Kizilyalli等人，ARPA-e 報(bào)告 2018， https ://arpa-e.energy.gov/sites/default/files/documents/files/ ARPA-E_Power_Electronics_Paper-April2018.pdf )

Efficient Power Conversion Corporation 的應(yīng)用副總裁 Michael A. de Rooij 和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和應(yīng)用總監(jiān) Marco Palma 談到了 GaN 對(duì) BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)的好處——設(shè)計(jì)、性能、冷卻和可靠性。今天，永磁電機(jī)，也稱為直流無(wú)刷電機(jī)，被廣泛使用，與其他電機(jī)相比，每立方英寸的扭矩能力更高，動(dòng)態(tài)性能更高。到目前為止，基于硅的功率器件在逆變器電子產(chǎn)品中一直占主導(dǎo)地位，但如今，它們的性能已接近其理論極限。對(duì)更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵晶體管和 IC 具有滿足這些需求的最佳屬性。

寬帶隙和電源應(yīng)用

Danisense 正在通過(guò)提供各種電流傳感器重新定義高端電流傳感器市場(chǎng)。電流傳感器技術(shù)的選擇取決于應(yīng)用。下面的表 1 比較了這些不同技術(shù)的主要測(cè)量參數(shù)的性能。

表 1：當(dāng)前傳感器應(yīng)用（來(lái)源：Danisense）

Pre-Switch 正在開發(fā)其Cleanwave用于工業(yè)應(yīng)用的逆變器，旨在減小尺寸和重量。Pre-switch 的首席執(zhí)行官 Bruce Renouard 與他的團(tuán)隊(duì)開發(fā)了世界上第一個(gè) AI DC/AC、AC/DC 軟開關(guān)控制器，為包括電動(dòng)汽車和可再生能源在內(nèi)的各種應(yīng)用提供了效率和性能優(yōu)勢(shì)，并且它已經(jīng)發(fā)布了其 Cleanwave 200kW 逆變器參考的第一個(gè)數(shù)據(jù)。預(yù)先使客戶能夠構(gòu)建開關(guān)頻率比硬開關(guān) IGBT 系統(tǒng)快 4 到 5 倍、比硬開關(guān) SiC 和 GaN 系統(tǒng)快 35 倍的系統(tǒng)。Pre-Switch 通過(guò)使用人工智能 (AI) 不斷調(diào)整開關(guān)系統(tǒng)內(nèi)元件的相對(duì)時(shí)序，從而克服了這些挑戰(zhàn)，迫使諧振抵消電流和電壓波形，從而最大限度地減少開關(guān)損耗。

在 APEC 上，Rohm 展示了一種新型電源技術(shù) QuiCur，該技術(shù)可改善 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 IC（開關(guān)穩(wěn)壓器）和 LDO（線性穩(wěn)壓器）的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)特性（涉及響應(yīng)速度和后級(jí)電壓穩(wěn)定性的響應(yīng)性能）。此外，ROHM Semiconductor 還發(fā)布了新的 150V GaN HEMT，即 GNE10xxTB 系列 (GNE1040TB)，可將柵極耐受電壓（額定柵極-源極電壓）提高到業(yè)界領(lǐng)先的 8V，非常適合應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的電源電路，例如基站和數(shù)據(jù)中心，以及物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備。除了大量生產(chǎn)的 SiC 器件和功能豐富的硅器件，ROHM 還開發(fā)了 GaN 器件，可在中壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)出色的高頻操作，

在新聞發(fā)布會(huì)上，Power Integrations 的營(yíng)銷副總裁 Doug Bailey 和培訓(xùn)總監(jiān) Andy Smith 介紹了 HiperLCS-2 和 HiperPFS-5。第一個(gè)是離線 LLC Switcher IC 芯片組。它在高達(dá) 250 W 的 LLC 諧振電源轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn)了 98% 的效率和 40% 的組件數(shù)量減少。該芯片組無(wú)需笨重的散熱器或不可靠的光耦合器。相反，HiperPFS-5 是一款高級(jí)功率因數(shù)校正 (PFC) 控制器 IC，集成了 750 V PowiGaN 開關(guān)，針對(duì)負(fù)載范圍內(nèi)的高功率因數(shù)和效率進(jìn)行了優(yōu)化。

Transphorm 技術(shù)營(yíng)銷、應(yīng)用和業(yè)務(wù)開發(fā)高級(jí)副總裁 Philip Zuk 強(qiáng)調(diào)了 GaN 產(chǎn)品組合，其中包括 JEDEC 和 AEC-Q101 形式的 650 V 和 900 V 器件以及各種封裝。該產(chǎn)品組合的技術(shù)優(yōu)勢(shì)很大程度上是由公司的垂直整合驅(qū)動(dòng)的。這種操作模式在 GaN 半導(dǎo)體行業(yè)中并不常見(jiàn)，它允許 Transphorm 控制其器件的設(shè)計(jì)、外延片（起始材料）和制造工藝。如今，Transphorm 在最廣泛的電源應(yīng)用中支持最廣泛的電源轉(zhuǎn)換要求（45 W 至 10+ kW）：電源適配器、數(shù)據(jù)中心和游戲 PSU、加密采礦設(shè)備、電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器、可再生能源逆變器、廣泛的工業(yè)系統(tǒng)、航空航天和國(guó)防系統(tǒng)等。

EPC 首席執(zhí)行官 Alex Lidow 展示了最新的 GaN 解決方案，例如用于高密度計(jì)算和汽車的 48 V DC-DC，用于倉(cāng)庫(kù)自主機(jī)器人、電動(dòng)汽車和無(wú)人機(jī)等各種應(yīng)用的基于 GaN 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以減小尺寸和重量，擴(kuò)大范圍并提高可靠性。而且，基于 GaN 的 USB-C 快速充電器可以比傳統(tǒng)的基于硅的充電器小 40%，充電速度快 2.5 倍。

從硅 (Si) 到寬帶隙（SiC 和 GaN），英飛凌演講者討論了業(yè)界種類最多的電源解決方案，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)從性能和效率到可靠性和成本目標(biāo)的關(guān)鍵設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。其 EVAL-M1-6ED2230-B1 電源評(píng)估板（在展臺(tái)上展示）包括一個(gè) 1200 V 三相柵極驅(qū)動(dòng)器 6ED2230S12T 和一個(gè) EasyPIM 1B 1200 V 三相模塊 FP15R12W1T4。它旨在支持功率范圍高達(dá) 2 kW 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。它提供交流和直流輸入以及三相電源輸出，并提供用于電流感應(yīng)的單發(fā)射極分流器和用于直流母線電壓測(cè)量的分壓器。

NexGen Power Systems 展示了由垂直 GaN 器件驅(qū)動(dòng)的技術(shù)。從超緊湊的筆記本電腦電源適配器到更時(shí)尚、更智能的照明設(shè)計(jì)，從高能效的超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心到續(xù)航里程更長(zhǎng)的電動(dòng)汽車，NexGen 聲稱能夠改變電源方程。NexGen Power Systems 聯(lián)合首席執(zhí)行官 Dinesh Ramanathan 表示：“實(shí)現(xiàn)下一代電力應(yīng)用需要改變游戲規(guī)則的系統(tǒng)級(jí)重塑?！癗exGen 處于最前沿：成為推動(dòng)清潔和可再生能源轉(zhuǎn)型前沿的創(chuàng)新電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的領(lǐng)先設(shè)計(jì)者、開發(fā)商和制造商?！?/p>

德州儀器副總裁兼總經(jīng)理 Steve Lambouses 討論了未來(lái)的電源管理設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，包括提高功率密度、降低電磁干擾 (EMI)、噪聲、靜態(tài)電流 (IQ) 和擴(kuò)展可靠性。

GaN Systems 首席執(zhí)行官 Jim Witham 展示了用于車載充電器、牽引逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器實(shí)施的最新解決方案。他還向我們介紹了 Syng Alpha Cell，這是 TIME 的 2021 年 100 項(xiàng)最佳發(fā)明之一，并強(qiáng)調(diào)了通過(guò) Orchard Audio 的 Starkrimson Stereo Ultra 放大器和一體式 Starkrimson Streamer Ultra 等產(chǎn)品提供最佳 D 類音頻的解決方案，以及來(lái)自 Axign 和 GaN Systems 的新型 500W 無(wú)散熱器音頻放大器。

Innoscience Technology 總經(jīng)理 Denis Marcom 談到了與 Heyday 和 MinDCet 等專業(yè)柵極驅(qū)動(dòng)器公司的最新合作。Innoscience 的 GaN HEMT 器件可與 TI、On-Semi、STM、Joulwatt、Southchip、NXP、MPS、Meraki 和 Nuvoltatech 的其他商用柵極驅(qū)動(dòng)器結(jié)合使用。我們?cè)谶@里寫過(guò)關(guān)于 Innoscience 的文章。

碳化硅晶片

是德科技產(chǎn)品經(jīng)理 Steven Lee 強(qiáng)調(diào)了測(cè)試和測(cè)量對(duì)寬帶隙解決方案的重要性。熱測(cè)試、專用和通用電子儀器以及高速、大電流連接都有助于將高質(zhì)量的寬帶隙設(shè)備推向市場(chǎng)，并加速其在從可再生能源到電動(dòng)汽車等應(yīng)用中的應(yīng)用。

Microchip 團(tuán)隊(duì)重點(diǎn)介紹了其 SiC 電源解決方案，以提供最快的上市時(shí)間、最低的風(fēng)險(xiǎn)和最低的解決方案總成本。解決方案包括業(yè)界最廣泛和最靈活的 SiC 芯片和二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)、可定制的高級(jí)功率模塊設(shè)計(jì)和封裝以及柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合。在Microchip 收購(gòu) AgileSwitch之后，該團(tuán)隊(duì)設(shè)定了一個(gè)目標(biāo)，即開發(fā)一種專門用于 SiC 的柵極驅(qū)動(dòng)器 IC，采用 Microchip 的開關(guān)技術(shù)，所有這些都集成到一個(gè)新的柵極驅(qū)動(dòng)器基板中。

在 APEC 上，村田宣布開發(fā)出 MYC0409，這是業(yè)界功率密度最高 (5.4kW/inch 3 ) 的 48 Vin 4 分壓電荷泵電容分壓器模塊，所有無(wú)源元件都集成在薄型 PSiP 封裝中。該設(shè)備能夠提供高達(dá) 72 瓦的功率，峰值效率約為 97%。這種交錯(cuò)式開關(guān)電容器架構(gòu)基于村田獨(dú)特的無(wú)損電荷泵技術(shù)，可提供極低的輸入和輸出紋波性能。該解決方案采用緊湊的占位面積，高度為 2.0 毫米，非常適合薄型應(yīng)用和系統(tǒng)板底部放置。

STMicroelectronics 展示了用于 21 kW 電池充電的完整 AC/DC 解決方案演示，該解決方案利用交錯(cuò) 7 kW 相位的數(shù)字控制和 180 kW 牽引逆變器驅(qū)動(dòng)電源模塊，以及完全集成的 AC/DC 至 65 W USB-PD 控制器具有 GaN 功率級(jí)。65 W ST-ONE 和 ViperGaN 45 W 演示，用于 USB-PD 和具有 45 W 單端口接口的基于 GaN 的 AC/DC VIPerPlus 解決方案。

Skyworks 產(chǎn)品線經(jīng)理 Asa Kirby 討論了電動(dòng)汽車的最新解決方案。Si828x 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器非常適合驅(qū)動(dòng)各種逆變器和電動(dòng)汽車系統(tǒng)中的碳化硅 (SiC) FET、IGBT 和硅 MOSFET，并支持高達(dá) 5.0 kV RMS 和符合 UL1577 的耐受電壓，從而實(shí)現(xiàn)更高的性能、更低的與其他隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)相比，溫度和使用年限的變化、更緊密的部件間匹配以及卓越的共模抑制。Si823Hx 器件是強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于基于硅、GaN 或 SiC 的電源轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)，例如 SMPS 或逆變器。特性包括具有 VDD 能力的穩(wěn)健 30 V 驅(qū)動(dòng)器、用于更嚴(yán)格環(huán)路控制的低延遲、噪聲過(guò)濾；125 kV/μs 的高 CMTI、輸出引腳上的 -5 V 耐壓和過(guò)溫保護(hù)。

Aehr Test Systems 銷售和營(yíng)銷執(zhí)行副總裁 Vernon Rogers 強(qiáng)調(diào)了碳化硅在制造方面的下一個(gè)挑戰(zhàn)。生產(chǎn) SiC 的主要挑戰(zhàn)涉及材料的特性。由于其硬度（幾乎類似于金剛石），SiC 需要更高的溫度、更多的能量和更多的時(shí)間來(lái)進(jìn)行晶體生長(zhǎng)和加工。此外，最廣泛使用的晶體結(jié)構(gòu) (4H-SiC) 具有高透明度和高折射率的特點(diǎn)，因此難以檢查材料是否存在可能影響外延生長(zhǎng)或最終組件良率的表面缺陷。

Exawatt 高級(jí)研究分析師 Adam Dawson 談到了該公司前段時(shí)間發(fā)布的 SiC 報(bào)告。Exawatt 預(yù)測(cè)，到 2030 年，在我們的三個(gè)情景中，電動(dòng)汽車的 SiC 器件和模塊總目標(biāo)市場(chǎng) (TAM) 將在 3.3 到 43 億美元之間。SiC 供應(yīng)鏈中的公司也很忙，對(duì)產(chǎn)品和產(chǎn)能進(jìn)行了一波投資，加上越來(lái)越多的推動(dòng)垂直整合和行業(yè)內(nèi)的整合。

Eggtronic 首席執(zhí)行官 Igor Spinella 談到了 EcoVoltas 超高效電源轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器可最大限度地提高性能、最小化外形尺寸并提高 AC/DC 電源方案的可靠性，應(yīng)用范圍從移動(dòng)設(shè)備和筆記本電腦的快速充電器到適配器用于揚(yáng)聲器、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和電動(dòng)汽車的電源和轉(zhuǎn)換器。EcoVoltas 演示包括最近推出的 QuarEgg——一種比傳統(tǒng)準(zhǔn)諧振 (QR) 和有源鉗位反激 (ACF) 技術(shù)提供卓越效率和更低待機(jī)功耗的架構(gòu)——以及用于中等功率、PFC 的零電壓開關(guān) (ZVS) 解決方案在展會(huì)期間推出的應(yīng)用程序。

泰戈?duì)?a href="http://ttokpm.com/v/" target="_blank">科技在 APEC 上首次展示了其尺寸更小的 650-V GaN 電源解決方案。雖然 USB-PD 確保了廣泛的兼容性，但電源適配器設(shè)計(jì)變得更具挑戰(zhàn)性：它現(xiàn)在必須支持廣泛的輸出電壓（相對(duì)于固定使用適配器的單一輸出電壓）。與此同時(shí)，最終用戶對(duì)更輕、更小的適配器的需求占主導(dǎo)地位。近年來(lái)，已經(jīng)開發(fā)出氮化鎵功率開關(guān)來(lái)滿足這些雙重需求。

Nexperia 已在達(dá)拉斯啟動(dòng)了一個(gè)新的設(shè)計(jì)設(shè)施，并為其 MOSFET 推出了新的、改進(jìn)的電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常為其 MOSFET 提供仿真模型，但這些模型通常只包括在典型工作溫度下建模的有限數(shù)量的器件參數(shù)。Nexperia 的新高級(jí)模型可在 -55 °C 至 175 °C 的整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)捕獲整套設(shè)備參數(shù)的熱相關(guān)性。在 APEC 上，Nexperia 還展示了 MOSFET 和 GaN 解決方案，特別是包含 Nexperia 功率 GaN FET 技術(shù)的 Ricardo EV 逆變器，

Onsemi 展示了其用于電動(dòng)汽車的車載充電器評(píng)估板。根據(jù) onsemi 工程師 Hussain Athab 的說(shuō)法，客戶故事不斷推動(dòng) GaN 和 SiC 之間的競(jìng)爭(zhēng)。他說(shuō)：“我會(huì)考慮設(shè)計(jì)中的挑戰(zhàn)，由于碳化硅，它仍然是 MOSFET。從柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)來(lái)看，還是類似于 MOSFET，在柵極電平電壓多少方面略有不同。設(shè)計(jì)人員很容易采用基于碳化硅 MOSFET 的設(shè)計(jì)而不是 GaN，因?yàn)橥瑯樱鳛橐环N技術(shù)，它的行為不同。這是一個(gè)非常快速的設(shè)備。因此，由于典型 PCB 中存在寄生效應(yīng)，因此對(duì)于 PCB 設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，處理快速器件并不是一件容易的事?！?/p>

Navitas Semiconductor 宣布出貨量突破 4000 萬(wàn)臺(tái)，與 GaN 相關(guān)的現(xiàn)場(chǎng)故障報(bào)告為零。Navitas 專有的 GaNFast 功率 IC 集成了 GaN 功率 (FET) 和 GaN 驅(qū)動(dòng)器以及自主控制、傳感和保護(hù)。其結(jié)果是易于使用、高速、高性能的“數(shù)字輸入、電源輸出”構(gòu)建塊，可提供高達(dá) 3 倍的充電速度、一半的尺寸和重量，與相比節(jié)能高達(dá) 40%與早期的硅解決方案。此外，他們還宣布為其 GaNFast 技術(shù)提供突破性的 20 年有限保修——比典型的硅、SiC 或分立 GaN 功率半導(dǎo)體長(zhǎng) 10 倍——并且是 GaN 在數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車市場(chǎng)采用的關(guān)鍵加速器。

Empower Semiconductor 展示了其集成穩(wěn)壓器 (IVR) 以及傳統(tǒng)電容器的創(chuàng)新硅基替代品。Empower 的 IVR 是高性能電源管理芯片，旨在通過(guò)用單個(gè)微型 IC 取代傳統(tǒng)的電源管理集成電路 (PMIC)，為耗能大、數(shù)據(jù)密集的電子應(yīng)用提供效率、尺寸和成本優(yōu)勢(shì)。Empower 半導(dǎo)體銷售和營(yíng)銷高級(jí)副總裁 Steve Shultis 談到了 E-CAP。Empower E-CAP 是一種緊湊、高性能、可配置的硅基替代品，可替代多層陶瓷電容器 (MLCC)。

FSB 董事會(huì)成員兼顧問(wèn) Satya Dixit 展示了一種新的GaN Epitaxi 晶圓。氮化鎵 (GaN) 已成為第三代半導(dǎo)體中事實(shí)上的材料。然而，以您需要的質(zhì)量和您想要的熱阻制造 GaN 晶圓仍然是 Fab 試圖回答的問(wèn)題。通過(guò)使用遠(yuǎn)程外延和二維材料層轉(zhuǎn)移（2DLT）等獨(dú)特技術(shù)，F(xiàn)SB 旨在通過(guò)使用遠(yuǎn)程等獨(dú)特技術(shù)以低成本提供高質(zhì)量和大規(guī)模的獨(dú)立式 GaN 晶圓和 IP外延和二維材料層轉(zhuǎn)移（2DLT）。

Advanced Energy (AE) 超大規(guī)模技術(shù)營(yíng)銷高級(jí)總監(jiān) Harry Soin 闡釋了數(shù)據(jù)中心 48V 電源的下一個(gè)戰(zhàn)略。AE 為超大規(guī)模和云領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者提供多種架構(gòu)。Open CloudServer (OCS) 和 Project Olympus，還有 OCP ORv2 電源架，一個(gè) 21 英寸機(jī)架，配備 3.3-kW、12-V PSU。其最新的解決方案是 48-V、30-kW 雙饋 EIA 2 RU 電源架，其目標(biāo)是在超大規(guī)模和企業(yè)數(shù)據(jù)中心中最大限度地降低功耗并提高計(jì)算和存儲(chǔ)應(yīng)用程序的可靠性。

ACDC 營(yíng)銷總監(jiān) Ahsan Zaman 和 Silanna Semiconductor 營(yíng)銷總監(jiān) Hubertus Notohamiprodjo 宣布了他們的第一個(gè)多端口快速充電器參考設(shè)計(jì)。新的 AnyPort RD-5結(jié)合了公司的 CO 2 Smart Power 系列先進(jìn) ACF 控制器和高頻 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，為多端口 65W USB 提供高功率密度、超高效、生產(chǎn)就緒的解決方案-PD 應(yīng)用。此外，他們還推出了 65W 入墻式 GaN（氮化鎵）快速充電器。新的 3510PDFE 充電器尺寸為 42mm x 42mm x 30mm，采用 Silanna 的 SZ1131 有源鉗位反激式 (ACF) 控制器設(shè)計(jì)。這是 Smarter Living 將為全球市場(chǎng)提供的一系列緊湊型墻壁插座中的第一款。

我還有機(jī)會(huì)與 Bs&T Frankfurt am Main GmbH 董事總經(jīng)理 JC Sun、Cambridge GaN Devices 業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁 Andrea Bricconi、AMX 銷售經(jīng)理 Alessio Greci、客戶運(yùn)營(yíng)首席執(zhí)行官兼執(zhí)行副總裁 Dennis Riccio 進(jìn)行了交談在 X-trinsic，有線和無(wú)線技術(shù) (WAWT) 的創(chuàng)始人兼首席分析師 Dinesh Kithany 和 MinDCet 團(tuán)隊(duì)與戰(zhàn)略業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理 David Czajkowski。

Cambridge GaN解釋說(shuō)，新的GaN解決方案將從大門進(jìn)入市場(chǎng)。單擊此處收聽(tīng) Andrea Bricconi 的播客采訪。

幾乎所有行業(yè)對(duì)組件的需求都在增加——同時(shí)，來(lái)自汽車、智能手機(jī)、醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)，這些市場(chǎng)需要越來(lái)越多的組件（磁性、電源等）來(lái)生產(chǎn)成品?？梢栽谶@里找到對(duì) JC Sun 的采訪。在下一個(gè) PowerUP 播客中，您將聽(tīng)到其他磁場(chǎng)專家的聲音，例如線圈繞組的 Lee Emanuel 和 BH Electronics 的 John Decramer。

AMX 為其燒結(jié)機(jī)開發(fā)了一種新型燒結(jié)工具 Micro-Punch，它可以獨(dú)立地以特定壓力（熱敏電阻、IGBT、MOSFET、模具、芯片）將每個(gè)組件壓在基板上。據(jù) AMX 稱，Micro-Punch 工具可確保均勻的壓力并消除諸如模具破裂、傾斜、分層和空洞等高價(jià)值問(wèn)題。點(diǎn)擊這里查看更多信息。

由于碳化硅在電動(dòng)汽車和新能源等行業(yè)的相關(guān)性，一些公司已經(jīng)審查并投資于晶圓技術(shù)，以制定需求驅(qū)動(dòng)的發(fā)展戰(zhàn)略。X-Trinsic 是一家旨在改進(jìn)制造工藝的公司，專注于盡快加快產(chǎn)品在 SiC 領(lǐng)域的采用。點(diǎn)擊這里查看更多信息。Dinesh Kithany 談到了許多與無(wú)線電力相關(guān)的話題。欲了解更多信息，請(qǐng)閱讀這篇文章。MinDCet 正在研究 GaN 解決方案。我們?cè)谶@里討論了使用FTEX 的第一個(gè)解決方案。

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審核編輯 黃昊宇