日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
1439 Vishay推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。
2019-12-13 15:54:001337 器件采用PowerPAK? 1212?8S封裝，導(dǎo)通電阻低至0.95 mW，優(yōu)異的FOM僅為29.8 mW*nC。
2021-05-25 10:24:33729 低內(nèi)阻小節(jié)電容發(fā)熱小中低壓MOS大全TO-252 SOT23-3封裝100V MOS管100V 30A 35A 50A 23 23L SOP8 TO-252 N溝道MOS管【低電壓開(kāi)啟低內(nèi)阻】主營(yíng)
2021-03-13 09:34:36
、香薰機(jī)、美容儀型號(hào)：HC610N溝道場(chǎng)效應(yīng)管100V6A 6N10SOT23-3L內(nèi)阻80mR型號(hào)：HC160N10LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V10A(10N10)TO-252封裝，內(nèi)阻145mR,可用
2020-09-27 11:18:14
20mR,TO-252、SOP-8、DFN3*3、TO-220封裝，低內(nèi)阻，結(jié)電容小 型號(hào)HC012N06L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 60V50A50N06 內(nèi)阻9mR,TO-252、SOP-8、DFN3*3
2020-11-12 11:24:12
，價(jià)格合理，貨源穩(wěn)定，品質(zhì)保證！型號(hào)：HC706N溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V7A SOP-8封裝內(nèi)阻80mR型號(hào)：HC020N03LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V30A TO-252封裝內(nèi)阻20mR型號(hào)：HC3600M
2020-10-09 14:25:10
。7N80的柵源電壓(VGS)為±30V，導(dǎo)通電阻RDS(on)為1.9Ω。7N80的電性參數(shù)是：連續(xù)二極管正向電流(IS)為7A，漏源電壓(VDSS)為800V，源-漏二極管壓降(VSD)為1.4V
2021-12-01 16:42:02
Ω@VGS=2..5V-極低導(dǎo)通電阻RDS（開(kāi)）-低CRSS-快速切換-100%雪崩測(cè)試-提高dv/dt能力。應(yīng)用：PWM應(yīng)用,負(fù)載開(kāi)關(guān),電源管理。售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持
2021-03-30 14:22:40
(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，你有空間受限的問(wèn)題嗎？”我問(wèn)。他承認(rèn)有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
、大電流、低開(kāi)啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、溫升低、轉(zhuǎn)換效率高、過(guò)電流達(dá)、抗沖擊能力強(qiáng)、SGT工藝，開(kāi)關(guān)損耗小60V50A低內(nèi)阻低結(jié)電容N溝道MOS管HG012N06L`
2020-09-24 16:34:09
惠海半導(dǎo)體供應(yīng)50N06 60V 50ATO-252 N溝道 MOS管HC012N06L，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)品牌：惠海型號(hào)：HC012N06LVDS：60V IDS：50A封裝：TO-252溝道：N
2020-11-30 14:31:14
型號(hào)：HC037N06L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V30A(30N06)TO-252封裝，內(nèi)阻30mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型號(hào)：HC037N06LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V30A SOP-8封裝內(nèi)阻
2020-12-01 16:18:08
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門(mén)電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
HC60660V6ASOT23-3封封裝內(nèi)阻90mR型號(hào)：HC706N溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V7ASOP-8封裝內(nèi)阻80mR型號(hào)：HC020N03L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V30A TO-252 內(nèi)阻20mR
2020-07-24 17:25:11
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車(chē)用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
TO-252封裝 N溝道SL300930V9A 15毫歐SOP-8封裝 N溝道SL304230V88A8.5毫歐DFN5x6A-8_EP封裝 N溝道SL340030V5.7A18毫歐SOT23-3L封裝
2020-06-06 10:41:14
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
,with ESDFTH23N25R250230.120.14TO-3PSingle N-ch 器件廣泛應(yīng)用于高效開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、低電源適配器/充電器、有源功率因數(shù)校正以及低功率鎮(zhèn)流器等領(lǐng)域。250V MOS管由于具有開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低、短路
2011-04-15 11:51:00
管由于具有開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低、短路特性良好以及可靠性高等特點(diǎn)，在直流無(wú)刷電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路中，有著不可替代的作用，其電路應(yīng)用原理如下圖所示： 250V N-P對(duì)管FTE03C25E是節(jié)能燈線(xiàn)路的理想
2011-04-19 15:01:29
Voltage100V最大漏極電流Id Drain Current170mA/0.17A源漏極導(dǎo)通電阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.4
2019-11-13 11:00:58
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
內(nèi)阻90mR 型號(hào)：HC706N溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V7ASOP-8封裝內(nèi)阻80mR 型號(hào)：HC020N03L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V30A TO-252 內(nèi)阻20mR 型號(hào)：HC3600M N溝道
2021-03-13 11:32:45
型號(hào)：HC012N06LSN溝道 55V50ASOP-8封裝型號(hào)：HC037N06L N溝道60V30A(30N06)TO-252封裝，可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型號(hào)：HC037N06LSN溝道
2020-11-11 14:10:51
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻
2010-05-06 08:55:20
`品牌：NCE新潔能型號(hào)：NCE3416封裝：SOT23-6批號(hào)：批號(hào)FET類(lèi)型：N溝道漏源電壓（Vdss）：20V漏極電流(Id)：6.5A漏源導(dǎo)通電阻(RDS On)：16柵源電壓(Vgs
2021-07-21 16:14:39
NTD32N06L的技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品型號(hào):NTD32N06L源漏極間雪崩電壓VBR(V):60源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):23.700最大漏極電流Id(on)(A):32通道極性:N溝道
2008-09-01 13:43:41
NTD32N06L的技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品型號(hào):NTD32N06L源漏極間雪崩電壓VBR(V):60源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):23.700最大漏極電流Id(on)(A):32通道極性:N溝道
2008-09-22 15:59:55
的設(shè)計(jì)而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開(kāi)關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計(jì)，使更高電壓等級(jí)的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道
2018-03-03 13:58:23
`PW2320采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，以提供優(yōu)良的RDS（ON），低柵電荷和電壓門(mén)極電壓低至2.5V時(shí)工作。該裝置適合用作電池保護(hù)或在其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用中。 特征VDS=20V ID=8ARDS（開(kāi)）&
2021-01-04 17:14:41
封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100v2A TO23-3L 封裝N溝道SL4294100V12ASOP8封裝N溝道供應(yīng)【60V MOS管 N/P溝道
2020-06-03 10:57:32
有助于在應(yīng)用程序中節(jié)省空間。 這些MOSFET具有出色的高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻。查看詳情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低壓驅(qū)動(dòng)；提供大電流Vds-漏源極
2021-02-02 09:55:16
2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道
2020-06-05 10:24:53
2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V
2020-06-13 11:47:55
溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝
2020-06-19 10:57:37
SL300930V9A 15毫歐SOP-8封裝 N溝道SL304230V88A8.5毫歐DFN5x6A-8_EP封裝 N溝道SL340030V5.7A 18毫歐SOT23-3L封裝 N溝道
2020-06-19 10:59:26
sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道SL4421-60V-7ASOP-8封裝P溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N
2020-06-09 10:23:37
2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道
2020-06-05 10:20:57
SL340630V4A50毫歐SOT23-3L封裝 N溝道SL872630V85A 3毫歐TO-252封裝N溝道SL30150 30V150A2毫歐DFN5x6A-8封裝N溝道SLW7400 30V40A9.5毫歐
2020-06-19 11:00:56
P溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60
2020-06-20 10:04:16
封裝N溝道SL4294100V12ASOP8封裝N溝道供應(yīng)【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道
2020-05-30 11:47:59
10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝
2020-06-20 10:05:27
【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道
2020-06-20 10:11:31
MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道
2020-06-22 10:53:25
N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884
2020-06-22 11:03:37
MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道
2020-06-24 10:37:08
管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道
2020-06-24 10:39:23
N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884
2020-06-24 10:40:54
DFN5x6A-8_EP封裝 N溝道SL340030V5.7A18毫歐SOT23-3L封裝 N溝道SL340230V4A 40毫歐SOT23-3L封裝 N溝道SL340430V5.7A19毫歐SOT23-3L封裝 N
2020-07-04 09:59:59
溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60
2020-06-29 16:31:55
TO-252封裝 N溝道SL300930V9A 15毫歐SOP-8封裝 N溝道SL304230V88A8.5毫歐DFN5x6A-8_EP封裝 N溝道SL340030V5.7A18毫歐SOT23-3L封裝
2020-07-28 09:28:16
SL300930V9A 15毫歐SOP-8封裝 N溝道SL304230V88A8.5毫歐DFN5x6A-8_EP封裝 N溝道SL340030V5.7A18毫歐SOT23-3L封裝 N溝道SL340230V
2020-07-01 10:01:02
2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS
2020-06-29 16:40:19
3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道SL4294100V12ASOP8封裝N溝道供應(yīng)【60V MOS管 N/P
2020-07-03 15:59:59
sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道SL4421-60V-7ASOP-8封裝P溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N
2020-06-09 10:36:41
2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道
2020-06-05 10:23:09
SL4294100V12ASOP8封裝N溝道供應(yīng)【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道
2020-07-27 17:15:08
場(chǎng)效應(yīng)管30V39A N溝道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-10 14:31:13
溝道雙管SL4822 30V8ASOP-8封裝N溝道雙管SL4828 60V6ASOP-8封裝N溝道雙管SL8810 20V7ATSSOP-8封裝N溝道雙管SL8814 20V7.5ATSSOP-8
2020-07-01 16:58:17
SL300930V9A 15毫歐SOP-8封裝 N溝道SL304230V88A8.5毫歐DFN5x6A-8_EP封裝 N溝道SL340030V5.7A18毫歐SOT23-3L封裝 N溝道SL340230V
2020-06-10 11:23:51
2A TO23-3L 封裝N溝道SL4294100V12ASOP8封裝N溝道供應(yīng)【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道
2020-06-06 11:08:41
】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884
2020-08-03 14:48:45
2A TO23-3L 封裝N溝道SL4294100V12ASOP8封裝N溝道供應(yīng)【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道
2020-06-05 10:14:58
SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道SL4421-60V-7ASOP-8封裝P溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道
2021-06-16 10:03:36
sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道SL4421-60V-7ASOP-8封裝P溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道
2020-06-10 14:33:23
場(chǎng)效應(yīng)管-30V-50A P溝道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-10 14:35:56
SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道
2020-06-04 11:25:10
*3-8N溝道SLN30P03T品牌：美浦森 電壓：-30V 電流：-30A封裝：DFN3*3-8P溝道SLD80N06T品牌：美浦森 電壓：60V 電流：80A封裝：TO-252N溝道
2021-04-07 15:06:41
`SUN2310SGP溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET） ，采用高單元密度的 DMOS 溝道技術(shù)。這種高密度的工藝特別適用于減小導(dǎo)通電阻。適用于低壓應(yīng)用，例如移動(dòng)電話(huà)，筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。 采用帶散熱片的 SOP8 封裝`
2011-05-17 10:57:36
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開(kāi)關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
1.低導(dǎo)通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)了低的導(dǎo)通電阻。這有助于提升您應(yīng)用中的產(chǎn)品性能。 2.小型封裝產(chǎn)品陣容3.封裝類(lèi)型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
、美容儀型號(hào)：HC610N溝道場(chǎng)效應(yīng)管100V6A 6N10SOT23-3L內(nèi)阻80mR型號(hào)：HC160N10LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V10A(10N10)TO-252封裝，內(nèi)阻145mR,可用于霧化器
2020-10-14 15:18:58
型號(hào)：HC080N06LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絲印HC606 60V6ASOT23-3封裝 內(nèi)阻90mR型號(hào)：HC706N溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V7A SOP-8封裝內(nèi)阻80mR型號(hào)：HC020N03LN溝道
2020-09-23 11:38:52
的封裝。如圖2所示，低邊 MOSFET的導(dǎo)通電阻比高邊 MOSFET的低，這會(huì)導(dǎo)致焊盤(pán)區(qū)的大小不一致。事實(shí)上，低邊MOSFET的導(dǎo)通電阻是器件的關(guān)鍵特性。即使封裝尺寸變小了，還是有可能在最高4.5V電壓
2013-12-23 11:55:35
MOSFET和開(kāi)關(guān)頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導(dǎo)通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應(yīng)用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過(guò)厚的低
2016-10-10 10:58:30
。BD35395FJ-M終端穩(wěn)壓器IC具有低的高側(cè)導(dǎo)通電阻和低側(cè)導(dǎo)通電阻以及大負(fù)載輸出電流能力。該芯片高側(cè)和低側(cè)導(dǎo)通電阻值典型值均為0.35Ω，輸出電流范圍為-1.0A到1.0A。它的輸入電壓范圍為2.7V至
2019-04-28 05:31:27
，它代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
、控制器等型號(hào)：HC012N06LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 55V50ASOP-8封裝型號(hào)：HC037N06L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V30A(30N06)TO-252封裝，可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型
2020-11-02 15:36:23
AO4803SL4612 N溝道SOP-860V 5.1A可替換AO4612SL4612 P溝道SOP-8-60V-3.7A可替換AO4612SL4616 N溝道SOP-830V 7.2A可替換
2021-07-22 14:56:05
SOP-8封裝 N溝道SL304230V88A8.5毫歐DFN5x6A-8_EP封裝 N溝道SL340030V5.7A18毫歐SOT23-3L封裝 N溝道SL340230V4A 40毫歐
2020-06-05 11:33:57
30V41A14毫歐TO-252封裝 N溝道SL300930V9A 15毫歐SOP-8封裝 N溝道SL304230V88A8.5毫歐DFN5x6A-8_EP封裝 N溝道SL340030V5.7A18毫歐
2020-06-12 10:03:55
的電子通過(guò)導(dǎo)電溝道進(jìn)入被耗盡的垂直的N區(qū)中和正電荷，從而恢復(fù)被耗盡的N型特性，因此導(dǎo)電溝道形成。由于垂直N區(qū)具有較低的電阻率，因而導(dǎo)通電阻較常規(guī)MOS管將明顯降低?！ ⊥ㄟ^(guò)以上分析可以看到：阻斷電壓與導(dǎo)
2018-11-01 15:01:12
: TO-3P-3 通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V Id-連續(xù)漏極電流: 50 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 73 mOhms Vgs
2020-03-04 10:11:00
嚴(yán)格意義的導(dǎo)通電阻RDS(ON)，而是應(yīng)該稱(chēng)為RDS。事實(shí)上，嚴(yán)格意義的完全導(dǎo)通狀態(tài)并不明確，VGS=10V、8V、6V？既然對(duì)于MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(ON)的定義，都有VGS=10V以及VGS
2016-09-26 15:28:01
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
溝道MOSFET工作。這款N溝道MOSFET在VIN接近0V時(shí)支持超過(guò)2A的連續(xù)電流，并具有超低導(dǎo)通電阻，可最大限度地降低功耗
2020-04-21 10:02:39
40V的MOSFET的通態(tài)電阻降低了40%，而阻斷電壓為60V的MOSFET的通態(tài)電阻降幅甚至達(dá)到48%以上。 迄今為止，英飛凌是全球首家推出采用SuperSO8封裝、最大通態(tài)電阻不足1毫歐的40V
2018-12-06 09:46:29
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
PN結(jié)轉(zhuǎn)化為掩埋PN結(jié)，在相同的N-摻雜濃度時(shí)，阻斷電壓還可進(jìn)一步提高。 內(nèi)建橫向電場(chǎng)MOSFET的主要特性 1、 導(dǎo)通電阻的降低 INFINEON的內(nèi)建橫向電場(chǎng)的MOSFET，耐壓600V
2023-02-27 11:52:38
型號(hào)：STS7NF60L-VB絲印：VBA1615品牌：VBsemi參數(shù)：- N溝道 MOSFET- 額定電壓：60V- 最大持續(xù)電流：12A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：12m
2023-12-20 11:38:56
Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導(dǎo)通電阻低至 0.95 mΩ，優(yōu)異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:572153 （NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14375 
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