Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:38
1449 URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對更高功率密度產品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產品。
2020-08-04 11:13:351227 日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431207 
供產品運用的技術支持。阿里店鋪：阿里 “供應商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買?！?**賴,0755-85279055】【30V MOS N/P溝道 推薦：】HN3400
2021-03-18 14:21:33
開關頻率約為 3.5kHz。當使能待機模式時，最小開關頻率進一步減低至 220Hz，這是 16 倍的降幅以實現(xiàn)超低的靜態(tài)電流。在待機模式中，LT8315 的預負載通常小于滿輸出功率的 0.1%，靜態(tài)
2018-10-29 17:04:58
2018年6月1日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP5 IGBT產品陣容。新的產品家族可提供最高
2018-10-23 16:21:49
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2021-03-18 14:16:53
惠海半導體 供應30V 30ATO-252MOS管HC020N03L，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HC020N03L參數(shù)：30V 30A TO-252 N溝道 MOS管/場效應管品牌：惠海
2020-11-11 17:32:09
看完你會大有收獲。1、功率MOSFET選型第一步：P管，還是N管？ 功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇
2017-11-15 08:14:38
N 型 MOSFET。下圖顯示了MOSFET的結構。MOSFET的操作由柵極電壓控制。由于柵極與通道隔離，因此可以對其施加正電壓和負電壓。當柵極偏置電壓為負時，它充當耗盡型MOSFET，當柵極偏置電壓
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現(xiàn)代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅動器。這些驅動器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅動器芯片
2021-01-22 06:45:02
隔離式反激開關電源設計1、反激開關電源的設計思路，拓撲結構及原理框圖講解2、驅動電路設計3、經典驅動芯片UC3842 內部結構講解4、頻率設計講解5、吸收電路設計及作用講解6、功率開關管MOSFET
2015-09-08 08:43:23
，表明MOSFET溝道導通。當Vgs進一步增加，Rdson下降比較來緩，因為溝道完全導通，MOSFET導通電阻由其它的電阻組成部分決定。當器件縮小到更小的尺寸，RS , RCH也減小，因為更多的單個的單元
2016-10-10 10:58:30
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
的功率MOSFET的G極、S極加上正向電壓后，在G極的下面的P型體區(qū)，就會形成一個非常薄的反型層N型，這樣D極的N、反型層N、S極的N，就會形成導通的路徑。圖1：N溝道(左）、P溝道MOSFET結構P
2016-12-07 11:36:11
非隔離DC-DC拓撲介紹 Buck型拓撲變換器 Buck型變換器的拓撲結構如圖所示，Buck型變換器也稱降壓型電源拓撲。在開關管S導通時，二極管VD負極電壓高于正極反偏截止，此時電流
2023-03-22 15:55:15
概述：MAX5074隔離型PWM電源IC內置功率開關MOSFET，連接成電壓鉗位、雙晶體管電源結構。該器件可以用于正激和反激結構，具有11V至76V的寬輸入電壓范圍和15W的輸出功率。電壓鉗位結構
2021-05-17 06:18:24
到輸出，擊壞恒流檢測環(huán)，或是進一步擊壞芯片，造成300v直通，而燒掉整條燈管。對于隔離反激電源，會擊壞MOS，現(xiàn)象就是保管，芯片，MOS管全燒壞。現(xiàn)在LED驅動電源，在使用過程中壞的，80%以上都是
2023-03-16 15:05:31
驅動時序和副邊同步整流器控制特性。利用自適應停滯時間補償可進一步優(yōu)化能效，從而改善負載范圍內及可編程輕載模式下的效率，同時器件具有低功耗（
2018-09-26 16:04:09
員所需要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
及實際應用 · AN-1059 –DirectFET MOSFET 的熱模型和特性 此外設計人員還可以訪問IR的DirectFET網上搜索中心，進一步了解如何利用DirectFET器件的獨特優(yōu)點及其如何增強電氣和熱性能的信息。 :
2018-11-26 16:09:23
會添加帶有變壓的交流到直流電源轉換功能，其中包含了反激、正激及半橋等拓撲結構。如圖1所示，其中反激拓撲結構是功率小于30 W的中低功率應用的標準選擇，而半橋結構則最適合于提供更高能效/功率密度。就隔離
2018-10-09 14:28:20
十分敏感，抑制能力差。雷擊浪涌，這種電壓是瞬間高壓，高達幾千伏，時間很短，能量極強，這個電壓進入電源，對于非隔離BUCK電路，會瞬間傳達到輸出，擊壞恒流檢測環(huán)，或是進一步擊壞芯片，造成300v直通，而
2015-11-19 20:47:05
深圳市三佛科技有限公司 供應NCE3080K新潔能替代型號100N03 30V貼片MOS，原裝正品，庫存現(xiàn)貨熱銷NCE3080K為新潔能推出的30V，N溝道，大電流 MOS，TO-252封裝
2019-11-27 16:52:24
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
AO7400SL3042N溝道DFN5*6-8 EP 30V88ASL2060N溝道TO-252 20V 85ASL8726N溝道TO-252 30V 85ASL484N溝道TO-252 30V 41A可替代
2020-08-01 10:10:37
溝道 TO-252 替代AOD484 功率MOS管SL403-30V-70A5毫歐TO-252封裝 P溝道替代AOD403SL48430V41A14毫歐TO-252封裝 N溝道替代
2020-06-04 13:58:07
型號：SLN30N03T電壓：30V 電流：30A封裝：DFN3*3-8種類：絕緣柵(MOSFET)SLN30N03T 原裝，SLN30N03T庫存現(xiàn)貨熱銷售后服務：公司免費提供樣品，并提供產品運用的技術支持。阿里店鋪
2021-04-07 14:57:10
隔離反激式拓撲結構的12 V-1 A電源。該器件的特性包括800 V雪崩耐用功率部分，60 kHz時PWM工作，頻率抖動可降低EMI，可調節(jié)設定值限流，板載軟啟動，故障后安全自動重啟和低待機功率
2019-11-05 08:50:35
有什么方法可以進一步降低待機模式的功耗
2023-10-12 07:23:28
【中低壓MOS供應】VS3622DE，30V/35A，雙N溝道高級功率MOSFET 【中低壓MOS供應】VS4610AE，40V55A，N溝道高級功率MOSFET VS3622DE
2020-11-04 14:40:31
一、工作原理非隔離開關電源拓撲結構如上圖，為 BUCK 拓撲結構，與 DCDC 降壓型拓撲不同的是，輸入部分為 AC 交流，需要進行半波整流。二、優(yōu)缺點優(yōu)點 ：1、相對于隔離式，體積比較小，價格比
2021-08-18 18:00:05
描述此 PMP5643 采用通用電源準諧振隔離反向，可提供 51W 峰值功率和 37W 平均功率（ 13.65V 電壓）。此轉換器得益于“級聯(lián)”拓撲，可進一步減少無負載損失，實現(xiàn)超快啟動時間。
2018-12-11 11:45:24
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
。由于GaN FET的開關速度很快，集成FET驅動能最小化線路面積，進一步減小開關噪聲。LMG3410同時集成了一個5V穩(wěn)壓器，可以給ISO7831隔離芯片的次級供電。LMG3410還帶過流，過溫和欠
2019-03-14 06:45:08
轉換器拓撲結構，無論是隔離還是非隔離。 ADP1621通過測量n溝道MOSFET導通電阻上的壓降，無需使用電流檢測功率電阻
2019-05-30 09:08:12
，它們的優(yōu)值系數(shù)（FOM）大為改善，可以實現(xiàn)高頻開關。CoolGaN? IPS技術在緊湊型封裝中集成了柵極驅動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉換器，因而有助于進一步提高充電器和適配器設計的功率密度。
2022-04-12 11:07:51
，它們的優(yōu)值系數(shù)（FOM）大為改善，可以實現(xiàn)高頻開關。CoolGaN? IPS技術在緊湊型封裝中集成了柵極驅動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉換器，因而有助于進一步提高充電器和適配器設計的功率密度。
2022-06-14 10:14:18
新手，問個問題，示波器探頭的隔離與非隔離到底什么意思？有時候測信號說不能同時用兩個非隔離的，容易燒壞器件，隔離的探頭應該是同時接幾個通道都沒問題的吧？非隔離什么情況下可以接多個通道，什么情況下只能接一個通道，誰能系統(tǒng)的講講嗎？謝謝了
2017-09-28 11:50:09
輸出、輸出功率1~~~3W的隔離電源。
VPS8504N內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免
2023-10-12 09:38:22
、輸出功率1~~3W的隔離電源。
VPS8505芯片內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在
2023-10-12 09:49:26
VPS8701B是一款專門為小體積、低待機功耗的微功率隔離電源而設計的變壓器驅動器，其外圍只需匹配簡單的輸入輸出濾波電容、隔離變壓器和整流電路，即可實現(xiàn)6~~~30V輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率
2023-10-12 10:04:51
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據(jù)相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-03-01 09:52:45
的FDMF8811是業(yè)界首款100 V橋式功率級模塊，優(yōu)化用于全橋和半橋拓撲。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。與分立方案相比，F(xiàn)DMF8811可減少一個典型的全橋方案約三分之一的PCB
2018-10-24 08:59:37
如何進一步加強對RFID的安全隱私保護？
2021-05-26 06:09:27
GN1302 晶振引腳連接 2 個 30pf 電容，每天大約慢 4 秒，如何進一步提高精度?時鐘每天慢 4 秒是因為晶振的外部負載電容過大，即 30pf 電容過大。如果使用的晶振的負載電容參數(shù)為
2022-12-29 17:36:43
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
簡介：這款電源非常簡單，很適合剛剛學習開關電源的人員參考，電源采用常用的反激拓撲，開關電源一般最重要的設計變壓器（后面簡介分享下變壓器參數(shù)設計）。背景： 前段時間因需要所以自制的一款輸出為30V隔離
2021-12-30 06:12:37
如何讓計算機視覺更進一步接近人類視覺？
2021-06-01 06:27:08
TM1363 非隔離5V500mA12V260mATM1361 非隔離5V300mA12V150mA一、功能描述：1、成本最低、元件數(shù)目最少的降壓型(BUCK)轉換器方案；2、支持降壓(Buck
2021-12-28 08:23:14
我最近收集了一份開關電源隔離式與非隔離式（即反激式）的資料，許多應用中都需要輸入/輸出隔離。隔離可切斷無用信號的傳播路徑，優(yōu)勢如下：保護人員、設備免遭感應在隔離另一端的危險瞬態(tài)電壓損害 ；去除隔離
2020-10-27 10:48:44
電路，即可實現(xiàn) 6.5~30V 輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率高達 15W 的隔離電源。VPS8703 內部集成兩個 N 溝道功率 MOSFET 和兩個 P 溝道功率 MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片
2022-11-11 14:44:13
網絡時間協(xié)議NTP是什么意思？NTP授時的原理是什么？怎樣去進一步提高NTP的授時精度呢？
2021-11-01 07:12:40
91%以上，而且有更高的功率因素。而隔離一般能效在88%，視功率而定，所以隔離電源發(fā)熱也比較大。 非隔離擁有更少的元器件穩(wěn)定性卻比較差，可是為什么呢？原因是非隔離電路對于浪涌十分敏感，抑制能力差
2016-08-04 13:16:13
0.7. 本文提出了一種新的高功率因數(shù)非隔離LED驅動電路，組合了逐流式功率因Buck-boost開關電源電路電路結構簡單，同時滿足LED驅動電源的高功率因數(shù)，高效率，符合電磁兼容EMC標準，高電流
2018-09-25 10:35:55
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉換設備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現(xiàn)代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據(jù)相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
實際應用中的開關頻率。這些問題都阻礙了高功率密度、小體積電源適配器的進一步發(fā)展?！ ∮性淬Q位反激（ACF）是一種新型諧振拓撲，克服了上述問題。不像QR，ACF能夠吸收利用漏感能量實現(xiàn)軟開關，臨界模式
2023-03-03 16:24:56
檢測環(huán)，或是進一步擊壞芯片，造成300v直通，而燒掉整條燈管。事實上就是指非隔離電源，在批量出貨時，返修率高于隔離LED驅動電源，大都是因為炸壞。而隔離電源炸壞的機率要小不少，非隔離的一般在2%至3
2015-11-10 00:23:46
概述VPS8701B 是一款適用于全橋拓撲結構的 DCDC 隔離型開關電源集成控制器，橋式驅動方式的變壓器繞組少，成本低。滿足6V~30V 的應用，兼容性強。電流過大時鉗位限制功率管電流，既保證了
2023-03-21 15:24:12
進一步減小，甚至消除。 結論 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使設計工程師設計出更高功率密度的產品。開關性能的優(yōu)化可使許多應用選用一個更低電壓等級的MOSFET，從而全面優(yōu)化通態(tài)電阻、成本
2018-12-06 09:46:29
如何進一步減小DTC控制系統(tǒng)的轉矩脈動？
2023-10-18 06:53:31
的需求是希望將每個機架的功率密度能提高到100kW，從而減少整體尺寸。其實，完全可以通過使用 48V 背板和配電來實現(xiàn)這一需求，然而這種方法卻存在諸多挑戰(zhàn)，因為它無法依靠傳統(tǒng)同步 Buck 降壓調節(jié)器將
2021-05-26 19:13:52
不需要FB反饋環(huán)路，進一步降低成本。本系列主要應用于球泡燈、射燈、吸頂燈、筒燈等LED照明驅動領域。可通過EFT、雷擊、浪涌等可靠性測試，可通過3C、UL、CE等認證。鉦銘科隔離式LED驅動芯片
2015-12-17 14:34:24
開發(fā)人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰(zhàn)，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠低于系統(tǒng)總線）帶來了對更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結構
2021-03-07 08:47:04
集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細節(jié)
2022-11-07 06:45:10
30V N溝道增強型MOSFET管
30V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 溝道增強型MOSFET管
30V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:42:0929 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON)
應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52519 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴充N溝道功率MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161107 提出一種新型正激隔離式高功率密度逆變器，該變換器前級為正激變換器，只是副邊二極管換成了開關管使其具備能量雙向傳遞的功能。分析了它的工作原理，給出了仿真波形。
2011-05-19 17:28:4371 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業(yè)基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術，導通電阻低至30m?、電流達6A～105A，在8種封裝中實現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新的30V N溝道
2017-04-25 15:58:551514 基于系統(tǒng)效率和功率密度發(fā)展趨勢示意圖，我們可以清晰的看出，在最近的十年間系統(tǒng)的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服務器和通信電源為顯著。這一巨大的提升是如何實現(xiàn)的呢？它主要是通過嘗試新的拓撲結構
2021-03-12 09:46:342465 
新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 適用于標準柵極驅動電路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET——SiSS22DN，業(yè)內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10
2021-12-05 10:21:115 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
隨著科技的不斷革新發(fā)展，MOSFET產品也經過技術的迭代升級有了更加優(yōu)越的表現(xiàn)。但如何提升器件性能的同時進一步降低器件的自身損耗依舊是亟待解決的問題。為此東芝半導體拓展了MOSFET產品線，推出
2022-08-26 11:01:07794 30V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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工商網監(jiān)
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