豪威集團(tuán)發(fā)布業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET

電源管理系統(tǒng)要實(shí)現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護(hù)，離不開高性能的開關(guān)器件。近日，豪威集團(tuán)全新推出兩款MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。

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WNMD2196A 超低Rss(ON)，專為手機(jī)鋰電池保護(hù)設(shè)計(jì)
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近幾年，手機(jī)快充技術(shù)飛速發(fā)展，峰值充電功率屢創(chuàng)新高。在極大地緩解消費(fèi)者電量焦慮的同時(shí)，高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護(hù)開關(guān)的作用，其本身對(duì)功率的損耗也必須足夠低才能滿足高效、低發(fā)熱的要求。

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雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，WNMD2196A具有業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品最低內(nèi)阻，RSS(ON)低至1m?，專為手機(jī)鋰電池電路保護(hù)設(shè)計(jì)。WNMD2196A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)設(shè)計(jì)，提供卓越的RSS(ON)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低柵極電荷。載流子遷移速度快，闕值電壓低，開關(guān)速率高。
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WNMD2196A兼顧性能與設(shè)計(jì)靈活性。該產(chǎn)品采用 CSP封裝，更緊湊，方便電池應(yīng)用布板設(shè)計(jì)。同時(shí)，優(yōu)化的SOA特性，提高承受沖擊電流的能力；超低RSS(ON)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率和更低的溫升，提升了產(chǎn)品的可靠性。

WNMD2196A參數(shù)

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WNM6008 80V高功率MOSFET 適用太陽能、電池供電應(yīng)用
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WNM6008——80V高功率MOSFET，采用最新一代Shield Gate技術(shù)，針對(duì)電信和服務(wù)器電源中使用的更高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，具備超低FOM值（開關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)）。WNM6008低開關(guān)和導(dǎo)通損耗，可實(shí)現(xiàn)更高效率、更優(yōu)EMI性能。適用于同步整流應(yīng)用，優(yōu)化了反向恢復(fù)電荷從而實(shí)現(xiàn)更低的尖峰電壓，提供最高水平的功率密度和能效，繼而為電源提供更高的效率和更強(qiáng)的可靠性。

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WNM6008適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。可有效賦能太陽能、電源和電池供電（例如電動(dòng)代步車）等應(yīng)用。該產(chǎn)品符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，采用QFN5x6標(biāo)準(zhǔn)緊湊封裝，在實(shí)現(xiàn)高功率密度的能量傳輸?shù)耐瑫r(shí)，方便對(duì)市場(chǎng)上同類產(chǎn)品進(jìn)行升級(jí)替換。

WNM6008參數(shù) ????????

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豪威集團(tuán)憑借多年技術(shù)沉淀，緊跟市場(chǎng)需求，在MOSFET工藝上具有導(dǎo)通阻抗低、封裝緊湊、類型齊全，能夠滿足多種定制化需求的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。未來，豪威集團(tuán)將持續(xù)發(fā)力電路保護(hù)領(lǐng)域，不斷升級(jí)創(chuàng)新，為數(shù)字電路應(yīng)用的新時(shí)代助力賦能。