汽車功率電子組件（例如IGBT）的設(shè)計(jì)必須能負(fù)荷數(shù)千小時(shí)的工作時(shí)間和上百萬次的功率循環(huán)，同時(shí)得承受高達(dá) 200℃的溫度。因此產(chǎn)品的可靠性特別關(guān)鍵，而同時(shí)故障成本也會(huì)是一個(gè)很大的問題。隨著工業(yè)電子系
2016-01-08 11:31:09
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絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。
2022-10-28 16:12:429918 
? 針對(duì)汽車 IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板，結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì)，結(jié)溫差?ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點(diǎn)壽命的主要加速因子，中間溫度（Tjm
2023-08-08 10:59:38772 
功率電子器件是PCS的核心組成部分，主要實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件，今天我們主要來學(xué)習(xí)IGBT。
2023-11-22 09:42:50514 
時(shí)間為皮秒級(jí)的，圖7是它的工作特性曲線。TVS管按導(dǎo)電方向分有單向和雙向兩種，在由IGBT器件組成的逆變電路中，因?yàn)槭侵绷髂妇€，所以一般選單向TVS管。圖6IGBT有源鉗位圖7TVS管工作特性曲線選擇
2018-12-06 10:06:18
及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動(dòng)器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考。 IGBT 的開關(guān)特性主要取決于
2012-07-25 09:49:08
降低而容量大的特點(diǎn)（功率級(jí)較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常 工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)?！ ±硐氲刃щ娐放c實(shí)際等效電路如圖所示： IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到
2011-08-17 09:26:02
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-24 09:01:13
的IGBT芯片。常見的有1in1,2in1,6in1等。PIM模塊：集成整流橋+制動(dòng)單元+三相逆變IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)功能（熱保護(hù)，過流保護(hù)等）的IGBT模塊。 IGBT是強(qiáng)電
2012-07-09 14:14:57
：模塊化封裝就是將多個(gè)IGBT集成封裝在一起。3，PIM模塊：集成整流橋+制動(dòng)單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋）4，IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級(jí)驅(qū)動(dòng)及眾多保護(hù)功能（過熱保護(hù)，過壓，過流，欠壓保護(hù)等）的IGBT模塊。
2012-07-09 12:00:13
：模塊化封裝就是將多個(gè)IGBT集成封裝在一起。3，PIM模塊：集成整流橋+制動(dòng)單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋）4，IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級(jí)驅(qū)動(dòng)及眾多保護(hù)功能（過熱保護(hù)，過壓，過流，欠壓保護(hù)等）的IGBT模塊。轉(zhuǎn)載自http://cxtke.com/
2012-07-09 10:12:52
受器件容量和晶體管特性的限制，在較大功率（500KW以上）的內(nèi)饋調(diào)速應(yīng)用上還存在問題，其中主要表現(xiàn)在承受過流、過壓的可靠性方面。不能以IGBT的全控優(yōu)點(diǎn)，掩蓋其存在的不足，科學(xué)實(shí)踐需要科學(xué)的態(tài)度。在
2018-10-17 10:05:39
MOSFET 器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功率級(jí)較為耐用），頻率特性介于MOSFET 與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)。 IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)資料 ：集成電路查詢網(wǎng)datasheet5
2012-07-11 17:07:52
IGBT的使用方法IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗
2020-09-29 17:08:58
等級(jí)，從而提升變流器的功率等級(jí)?？紤]到前者功率密度相對(duì)較低，從性價(jià)比出發(fā)，IGBT并聯(lián)技術(shù)是最好的選擇。1IGBT并聯(lián)運(yùn)行分析1.1 影響并聯(lián)IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并聯(lián)二極管靜態(tài)參數(shù)
2015-03-11 13:18:21
的均衡措施。用相關(guān)的試驗(yàn)證實(shí)一些分析結(jié)論。關(guān)鍵詞：IGBT并聯(lián)、靜態(tài)與動(dòng)態(tài)電流、均衡措施1 引言隨著市場(chǎng)對(duì)兆瓦級(jí)大功率變流器的需求與日俱增，IGBT并聯(lián)方案目前已成為一種趨勢(shì)。 這主要源于IGBT并聯(lián)
2018-12-03 13:50:08
的可再生能源，而IGBT是光伏系統(tǒng)中主要的功率半導(dǎo)體器件，因此其可靠性對(duì)光伏系統(tǒng)有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一，模塊在退化過程中，熱性能變化對(duì)于半導(dǎo)體模塊的整體性
2020-12-10 15:06:03
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。
2019-09-11 11:31:16
及故障狀態(tài)反饋電路，為驅(qū)動(dòng)電路的可靠工作提供了保障。其特性為：兼容CMOS/TYL電平；光隔離，故障狀態(tài)反饋；開關(guān)時(shí)間最大500ns；“軟”IGBT關(guān)斷；欠飽和檢測(cè)及欠壓鎖定保護(hù)；過流保護(hù)功能；寬工作電壓
2012-07-06 16:28:56
電壓低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn)，因此現(xiàn)今應(yīng)用相當(dāng)廣泛。但是IGBT 良好特性的發(fā)揮往往因其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)上的不合理，制約著IGBT的推廣及應(yīng)用。因此本文分析了IGBT對(duì)其柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，設(shè)計(jì)一種
2009-09-04 11:37:02
驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn)，因此現(xiàn)今應(yīng)用相當(dāng)廣泛。但是IGBT 良好特性的發(fā)揮往往因其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)上的不合理，制約著IGBT的推廣及應(yīng)用。因此本文分析了IGBT對(duì)其柵極驅(qū)動(dòng)
2012-09-09 12:22:07
通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
助力回收 Agilent8163B光功率計(jì) 助力安捷倫8163B安捷倫Agilent8163B光功率計(jì)是德8164B主機(jī)是光學(xué)元件測(cè)試的基礎(chǔ)平臺(tái)可作為一種是德可調(diào)激光源及***多四種緊湊型模塊的主機(jī)
2021-09-02 11:16:16
很大關(guān)系，電壓越高，開關(guān)損耗越小，正向壓降也更小。 小結(jié) IGBT和MOSFET是電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電路控制的核心器件。MOSFET工作頻率達(dá)到了兆Hz級(jí)，IGBT在大功率化和高頻化之間
2022-06-28 10:26:31
/DC雙級(jí)電路，能實(shí)現(xiàn)輸出的電壓范圍寬、精度高、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快的特點(diǎn)。其中電壓精度≤0.1%l 輸出具有恒壓、恒流、恒功率模式；l 具有本機(jī)操作、上位機(jī)操作功能，配有上位機(jī)軟件及外部通訊功能；l 嚴(yán)格的系統(tǒng)
2014-07-07 10:01:30
，SiC-MOSFET在25℃時(shí)的變動(dòng)很小，在25℃環(huán)境下特性相近的產(chǎn)品，差距變大，溫度增高時(shí)SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別：關(guān)斷損耗特性前面多次提到過，SiC功率元器件的開關(guān)特性優(yōu)異，可處理
2018-12-03 14:29:26
晶體管組成的復(fù)合晶體管，它的轉(zhuǎn)移特性與MOSFET十分類似。為了便于理解，這里我們可通過分析MOSFET來理解IGBT的轉(zhuǎn)移特性。圖2.MOSFET截面示意圖當(dāng)MOSFET的柵極-源極電壓VGS=0V
2019-10-17 10:08:57
程度不斷增加，功率半導(dǎo)體需求提升，器件應(yīng)用范圍不斷拓展。2021 年-2025 年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將從 258.2 億元增至 342.5 億美元，對(duì)應(yīng)復(fù) 合增速 10.6%；其中，模塊增速快，2025
2022-11-11 11:50:23
請(qǐng)問我關(guān)于電流提升器和電壓提升器的計(jì)算是否正確？這兩個(gè)電路是怎么分析的？
電流提升器由虛短虛斷，Uo=RfI，Ⅰ是輸入端電流源電流，但是電流提升器哪里電流變大了
同樣電壓提升器，Uo=（R2+R3）/R2*I，不知道我的計(jì)算對(duì)不對(duì)，總感覺哪里有問題？
2024-01-11 23:57:40
/1700V極其以上的兩個(gè)單管或一個(gè)半橋式的雙單元大功率IGBT模塊。其中在作為半橋驅(qū)動(dòng)器使用的時(shí)候，可以很方便地 設(shè)置死區(qū)時(shí)間。 2SD315A內(nèi)部主要有三大功能模塊構(gòu)成，分別是LDI（Logic
2018-09-26 15:53:15
)是復(fù)合了功率場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件，具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn)，因此現(xiàn)今應(yīng)用相當(dāng)廣泛。但是IGBT 良好特性的發(fā)揮
2012-06-11 17:24:30
按照大功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路能夠完成的功能來分類，可以將大功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電 路分為以下三種類型：?jiǎn)我?b class="flag-6" style="color: red">功能型，多功能型，全功能型。
2019-11-07 09:02:20
程師的首選;也有許多的工程師根據(jù)其電路的特殊要求，自行研制出各種專用的大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。本文對(duì)這些大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路進(jìn)行分類，并對(duì)該電路需要達(dá)到的一些功能進(jìn)行闡述，最后展望此電路的發(fā)展
2021-04-06 14:38:18
igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路進(jìn)行分類，并對(duì)該電路需要達(dá)到的一些功能進(jìn)行闡述，最后展望此電路的發(fā)展。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是指應(yīng)用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在
2012-12-08 12:34:45
詳情見附件大功率IGBT驅(qū)動(dòng)的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)分析1 引言由于igbt具有開關(guān)頻率高、導(dǎo)通功耗小及門極控制方便等特點(diǎn)，在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。在igbt應(yīng)用中，除其本身的技術(shù)水平以外
2021-04-20 10:34:14
按照大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路能夠完成的功能來分類，可以將大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路分為以下三種類型:單一功能型、多功能型、全功能型。2.1 單一功能型 單一功能型的大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路一般
2012-07-09 15:36:02
的導(dǎo)通能量損耗，并在電力電子學(xué)的典型模式下擴(kuò)大開關(guān)元件的安全工作區(qū)域。使用硅IGBT可以優(yōu)化器件的成本。這種減少損耗功率的頻率相關(guān)分量的要求突出了改善IGBT頻率特性的必要性，因?yàn)檎沁@種元件限制了
2023-02-22 16:53:33
cycling） 和功率循環(huán)次數(shù)（Power cycling），其共同決定了 IGBT 的使用壽命，其他參 數(shù)例如 IGBT 機(jī)械可靠性（震動(dòng)測(cè)試）特性也需要額外的關(guān)注。針對(duì)這些要求， 英飛凌汽車級(jí) IGBT
2018-12-06 09:47:30
日益增長(zhǎng)的速度，CPU 硬件加速成為業(yè)界一個(gè)通用的解決方案。CPU 新特性不久前發(fā)布的第三代英特爾 ^?^ 至強(qiáng) ^?^ 可擴(kuò)展處理器（代號(hào) Ice Lake），單核性能提升 30%，整機(jī)算力提升 50
2022-08-31 10:46:10
快充的原理是什么？有哪些提升快充功率的方法？
2021-09-26 08:29:47
柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
IGBT失效分析大概有下面幾個(gè)方面：1、IGBT過壓失效，Vge和Vce、二極管反向電壓失效等。2、IGBT過流，一定程度
2012-12-19 20:00:59
例如IGBT機(jī)械可靠性特性也需要額外的關(guān)注1） 功率循環(huán)通常逆變器設(shè)計(jì)，主要考慮IGBT Tjmax（最高結(jié)溫）的限制，但在混合動(dòng)力車應(yīng)用中，逆變器較少處于恒定工況，加速、巡航、減速都會(huì)帶來電流、電壓的改變
2018-12-06 09:48:38
絕緣柵雙極晶體管IGBT是第三代電力電子器件，安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一身，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高(10-40 kHz)的特點(diǎn)
2016-11-28 23:45:03
絕緣柵雙極晶體管IGBT是第三代電力電子器件，安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一身，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高(10-40 kHz)的特點(diǎn)
2016-10-15 22:47:06
，獨(dú)立研發(fā)產(chǎn)品的能力。4、IGBT驅(qū)動(dòng)或者M(jìn)OSFET門極驅(qū)動(dòng)經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先必須是做過大功率，工業(yè)級(jí)的芯片開發(fā)。懂芯片生產(chǎn)工藝及有一定的芯片代工廠的資源薪資 22-28w 特別合適的可以適當(dāng)上浮。請(qǐng)直接郵件咨詢 hr@cnhired.com
2016-03-16 11:02:59
簡(jiǎn)單分析不間斷電源系統(tǒng)在IGBT中的應(yīng)用理念 簡(jiǎn)單分析不間斷電源的應(yīng)用方法及其理念 摘要：在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率
2012-03-29 14:07:27
良率提升工程數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)工具專題講座講座對(duì)象：芯片設(shè)計(jì)公司，晶圓廠，封裝廠的業(yè)內(nèi)人士講座地點(diǎn)：上海市張江高科技園區(qū)碧波路635號(hào)傳奇廣場(chǎng)3樓 IC咖啡講座時(shí)間：2014年3月10日（周一） 晚 19
2014-03-09 10:37:52
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關(guān)斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強(qiáng)。而600V IGBT3主要適用于低功率應(yīng)用或雜散電感很低的高功率應(yīng)用。650V IGBT4的設(shè)計(jì)與技術(shù)
2018-12-07 10:16:11
，大多數(shù)IGBT結(jié)合了聯(lián)合封裝的二極管。大多數(shù)制造商提供單個(gè)θ值，用于計(jì)算結(jié)點(diǎn)至外殼熱阻抗。這是一種簡(jiǎn)化的裸片溫度計(jì)算方法，會(huì)導(dǎo)致涉及到的兩個(gè)結(jié)點(diǎn)溫度分析不正確。對(duì)于多裸片器件而言，θ值通常不同，兩個(gè)裸片
2014-08-19 15:40:52
本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問題和故障模式進(jìn)行了探討。
2021-05-14 06:52:53
在一些要求高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合，希望功率半導(dǎo)體器件可以穩(wěn)定運(yùn)行30年以上。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，三菱電機(jī)開發(fā)了X系列高壓IGBT模塊，特別注重了可靠性方面的設(shè)計(jì)，并在實(shí)際的環(huán)境條件下進(jìn)行了驗(yàn)證，結(jié)果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見的器件，可用于交流電的電機(jī)控制輸出。由安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）所推出
2019-07-18 06:12:00
Symtavision工具為L(zhǎng)uxoft公司提供的一款分布式嵌入式系統(tǒng)時(shí)間特性建模、分析和驗(yàn)證工具，主要應(yīng)用于汽車領(lǐng)域。經(jīng)緯恒潤(rùn)聯(lián)合Symtavision工具廠商能夠?yàn)榭蛻籼峁┩暾南到y(tǒng)級(jí)時(shí)間特性
2022-04-13 14:10:59
IGBT的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路研究：對(duì)電力電子功率器件IGBT的開關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)波形、功率、布線、隔離等方面的要求和保護(hù)方法進(jìn)行了分析和討論,介紹了IGBT的幾種基本驅(qū)動(dòng)電路和一種典
2009-05-31 12:33:15
64 建立電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的力學(xué)模型,并對(duì)系統(tǒng)電動(dòng)機(jī)在比例控制和比例加微分控制下汽車電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)特性進(jìn)行分析,對(duì)系統(tǒng)的頻率特性和時(shí)間響應(yīng)進(jìn)行數(shù)值仿真,分析比例系數(shù)
2009-07-27 14:16:2134 大功率IGBT驅(qū)動(dòng)模塊2SD315A 的特性及其應(yīng)用:介紹了一種適用于大功率IGBT 的新型驅(qū)動(dòng)模塊,該模塊工作頻率高,驅(qū)動(dòng)電流大,具有完善的短路、過流保護(hù)和電源監(jiān)控功能。關(guān)鍵詞:模塊
2010-01-07 11:04:27195 分析IGBT的門極驅(qū)動(dòng)鑒于絕緣柵雙極晶體管IGBT在逆變電焊機(jī)中的應(yīng)用日益普、及，針對(duì)IGBT門極驅(qū)動(dòng)特點(diǎn)，分析了它對(duì)于驅(qū)動(dòng)波形，功率，布線，隔離等方面的要求，并介紹了一種
2010-03-14 19:08:3449 基本介紹功率器件可靠性是器件廠商和應(yīng)用方除性能參數(shù)外最為關(guān)注的，也是特性參數(shù)測(cè)試無法評(píng)估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應(yīng)用可靠性的基礎(chǔ)。廣電計(jì)量擁有業(yè)界領(lǐng)先的專家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)
2024-03-13 16:26:07
介紹一種復(fù)合量程微加速度計(jì)，并分析其加速度計(jì)的阻尼比、幅頻特性和相頻特性，計(jì)算出其工作的頻響范圍。對(duì)加速度計(jì)的動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行測(cè)試，對(duì)比分析理論計(jì)算結(jié)果與測(cè)試結(jié)果,
2010-12-28 10:45:520 IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用及原理
通過對(duì)功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動(dòng)要求和保護(hù)方法等討
2009-10-09 09:56:011851 
IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4510640 IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，
2010-11-09 17:04:582159 
IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS
2011-07-14 11:18:47165 本文在分析了中大功率IGBT 特性、工作原理及其驅(qū)動(dòng)電路原理和要求的基礎(chǔ)上，對(duì)EXB841、M57962AL、2SD315A 等幾種驅(qū)動(dòng)電路的工作特性進(jìn)行了比較。并針對(duì)用于輕合金表面防護(hù)處理的特種脈
2011-09-15 16:57:37130 對(duì)大功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）的開關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)波形、驅(qū)動(dòng)功率、布線等方面進(jìn)行了分析和討論，介紹了一種用于大功率IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路。
2012-05-02 14:50:48135 大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的功能
2012-07-09 12:02:015212 一分鐘內(nèi)提供完整的設(shè)計(jì)–進(jìn)一步強(qiáng)化，引入傳動(dòng)系分立式（MOSFET/IGBT/整流器）器件功率損耗和效率分析工具。
2013-09-27 13:59:241186 。但是IGBT良好特性的發(fā)揮往往因其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)上的不合理，制約著IGBT的推廣及應(yīng)用。本文分析了IGBT對(duì)其柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，設(shè)計(jì)了一種適用于高頻條件下小功率電路可靠穩(wěn)定的分立式IGBT驅(qū)動(dòng)電路。
2018-06-29 15:25:004063 
目前已有場(chǎng)終止型絕緣柵雙極性晶體管（ IGBT）行為模型以及仿真軟件中的IGBT模型末專門針對(duì)中電壓大功率IGBT模塊搭建，不能準(zhǔn)確模擬其區(qū)別于中小功率IGBT的行為特性。在已有行為模型基礎(chǔ)上，提出
2018-03-08 09:21:360 IGBT工作中的特性： IGBT 的靜態(tài)特性， 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開關(guān)特性。 （1）光電流特性： IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極
2020-12-15 16:10:315906 決該矛盾的有效方法。然而，并聯(lián)系統(tǒng)的總體布局無法達(dá)到完全的對(duì)稱，使得理想化的靜、動(dòng)態(tài)電流分布難以實(shí)現(xiàn)進(jìn)而限制了并聯(lián)器件的利用率。本文主要分析和比較了驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對(duì)于并聯(lián)IGBT均流特性的影響，并
2021-02-14 11:43:003746 
VR智慧線上工廠3D建模可視化三維模型大屏應(yīng)用強(qiáng)化工廠安全保障為核心，建立智能自動(dòng)化系統(tǒng)、遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)、實(shí)時(shí)定位分析系統(tǒng)以及監(jiān)控人員數(shù)據(jù)分析。商迪3DVR智慧線上工廠3D建?？梢暬S模型
2021-03-31 09:16:52961 諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)進(jìn)行了探討。
2022-12-02 11:46:35968 隨著我國(guó)武器裝備系統(tǒng)復(fù)雜性提升和功率等級(jí)提升，對(duì)IGBT模塊的需求劇增，IGBT可靠性直接影響裝備系統(tǒng)的可靠性。選取同一封裝不同材料陶瓷基板的IGBT模塊，分別進(jìn)行了溫度循環(huán)試驗(yàn)和介質(zhì)耐電壓試驗(yàn)
2023-02-01 15:48:053470 智能功率模塊（IPM）是一種功率半導(dǎo)體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能，以及IGBT。這樣，可以通過可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142429 
功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。
2023-02-17 16:40:23914 等，它們的承受功率一般在幾十瓦到數(shù)百瓦之間。如果需要承受更大功率的電路，可以使用模塊化功率器件，如IGBT模塊、功率MOS管模塊等。 功率二極管的穩(wěn)定性主要取決于它的溫度特性和反向擊穿電壓特性。溫度對(duì)功率二極管的電阻、電容和漏電流等參數(shù)有很大影
2023-02-18 11:16:29711 IGBT是一種功率器件，在功率逆變器中承擔(dān)功率轉(zhuǎn)換和能量傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">功能。它是逆變器的心臟。同時(shí)，IGBT也是功率逆變器中最不可靠的元件之一。它對(duì)器件的溫度、電壓和電流非常敏感。稍有超出，就會(huì)變得無能
2023-03-30 10:29:45992 
IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開關(guān)器件。 編輯：黃飛
2023-07-07 09:36:321089 
針對(duì)汽車 IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板，結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì)，結(jié)溫差 ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點(diǎn)壽命的主要加速因子，中間溫度（Tjm
2023-08-08 10:56:361214 
對(duì)電力電子工程師而言，功率組件是我們的設(shè)計(jì)對(duì)象，而IGBT由于其出色的特性被廣泛使用于功率組件中。 功率組件的效率、保護(hù)功能、EMC等 表現(xiàn)和IGBT的應(yīng)用設(shè)計(jì)具有緊密關(guān)系，而不同IGBT技術(shù)也造就
2023-09-15 10:09:32484 
IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 本文將詳細(xì)介紹各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局，以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等，探討車企大規(guī)模進(jìn)入功率半導(dǎo)體行業(yè)背后的原因，助力車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。
2023-11-02 11:40:30296 
在電驅(qū)開發(fā)領(lǐng)域，IGBT特性是逆變器功率輸出限制的核心要素。
2023-11-21 09:28:34413 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
igbt的作用和功能? IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一種用于功率電子器件中的雙極型晶體管。IGBT 融合了絕緣
2023-12-07 16:32:552947 ，但許多應(yīng)用仍適合繼續(xù)使用IGBT， 在技術(shù)的不斷發(fā)展和升級(jí)下，IGBT可實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和更高的功率密度。 ? 全新第7代1 200V IGBT 安森美(onsemi) 推出的超高能效明星IGBT，具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平，能最大程度降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，助力客戶的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。一起來看看
2023-12-20 18:15:02189 
IGBT的低電磁干擾特性 IGBT是一種在功率電子領(lǐng)域中常用的晶體管器件。它由一個(gè)IGBT芯片和一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路組成，用于控制高電壓和高電流的開關(guān)操作。相比于MOSFET，IGBT具有更低
2024-01-04 14:30:50563 分析儀就是在這樣的背景下應(yīng)運(yùn)而生的一種重要工具。本文將介紹功率分析儀的功能和作用，并重點(diǎn)討論如何利用功率分析儀進(jìn)行效率測(cè)量及提升。
2024-01-09 15:28:05144 
DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:33120 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041019
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