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電子發(fā)燒友網(wǎng)>LEDs>EOSRL宣布在MicroLED芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了重大突破

EOSRL宣布在MicroLED芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了重大突破

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什么是飛利浦超薄無鉛封裝技術(shù)?

  皇家飛利浦電子公司宣布超薄無鉛封裝技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破,推出針對(duì)邏輯和 RF 應(yīng)用的兩款新封裝:MicroPak?II 和 SOD882T。MicroPakII 是世界最小的無鉛邏輯封裝,僅 1.0mm2,管腳間距為 0.35mm。
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持續(xù)數(shù)據(jù)保護(hù)怎么實(shí)現(xiàn)?

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科技產(chǎn)品下一個(gè)重大突破將在芯片堆疊領(lǐng)域出現(xiàn)

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語音識(shí)別的現(xiàn)狀如何?

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自己從事語音識(shí)別產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā),而量子技術(shù)和量子計(jì)算機(jī)必將在自然語言處理方面實(shí)現(xiàn)重大突破,想通過此書學(xué)習(xí)量子計(jì)算技術(shù),儲(chǔ)備知識(shí),謝謝!
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2019-06-06 10:51:173443

日本在仿真機(jī)器人方面取得重大突破

就在我們的鄰國日本,向來都是研究機(jī)器人的強(qiáng)國,隨著科技日益的進(jìn)步,日本在研究機(jī)器人方面也取得了重大突破,在近日也是推出了一款“女性”機(jī)器人,在上線僅僅一小時(shí)就全部售罄了,看來機(jī)器人十分受人們的關(guān)注。
2019-06-15 09:42:033908

小“艾”課堂開課啦 | TWS耳機(jī)低功耗重大突破及充電盒設(shè)計(jì)新潮流

小“艾”課堂開課啦 | TWS耳機(jī)低功耗重大突破及充電盒設(shè)計(jì)新潮流
2019-07-03 18:24:132767

國內(nèi)存儲(chǔ)芯片明年有望占據(jù)全球 5% 即將迎來重大突破

中國的技術(shù)自給自足之路正處于重大突破的邊緣,新生的芯片產(chǎn)業(yè)有望在 2020 年底之前從去年的幾乎為零的產(chǎn)量增長到世界 5%的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)。
2019-11-22 16:46:58879

利亞德宣布與元豐新科技共同建設(shè)Mini /MicroLED顯示項(xiàng)目基地 總投資達(dá)10億元

億元。項(xiàng)目建成后,將成為全球首個(gè)能夠運(yùn)用巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)實(shí)現(xiàn)最小尺寸Micro LED顯示產(chǎn)品大規(guī)模量產(chǎn)基地。
2019-12-26 10:31:376114

量子加密衛(wèi)星將會(huì)是網(wǎng)絡(luò)安全領(lǐng)域的重大突破

中國已經(jīng)發(fā)射了一顆量子加密衛(wèi)星,如果它被證明是真正的“防黑客技術(shù)”,它可以證明是網(wǎng)絡(luò)安全的重大突破。
2020-03-27 16:19:111693

基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)取得重大突破

近日,我國在基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)方面取得重大突破,在國際上首次實(shí)現(xiàn)相距50公里光纖的存儲(chǔ)器間的量子糾纏。
2020-04-03 17:58:443053

快商通醫(yī)療知識(shí)圖譜工程平臺(tái)獲得重大突破

日前,快商通在民營醫(yī)療行業(yè)的知識(shí)圖譜項(xiàng)目「醫(yī)療知識(shí)圖譜工程平臺(tái)」獲得重大突破,11年耕耘產(chǎn)生質(zhì)變。
2021-03-16 16:31:221043

京東方高分辨率和全彩量子點(diǎn)OLED研究獲得重大突破

從京東方官方獲悉,近日,京東方集團(tuán)中央研究院關(guān)于高分辨率、全彩量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)的研究取得重大突破,實(shí)現(xiàn)了分辨率500ppi、色域114%NTSC的全彩QLED器件,技術(shù)指標(biāo)全球領(lǐng)先。相關(guān)研究論文在國際權(quán)威學(xué)術(shù)期刊Nano Research上發(fā)表。
2020-07-17 17:22:332698

如何克服MicroLED技術(shù)難點(diǎn)和瓶頸

MicroLED作為未來顯示技術(shù)潮流,在顯示屏行業(yè)是炙手可熱。然而相比已經(jīng)初步實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)化的MiniLED,MicroLED還存在一些技術(shù)難點(diǎn)和瓶頸亟待解決,比如說成本高、巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)、檢測(cè)技術(shù),以及如何進(jìn)一步推動(dòng)市場(chǎng)應(yīng)用落地等方面。
2020-08-31 11:22:113966

東南大學(xué)在硅基CMOS毫米波技術(shù)路線取得重大突破

在硅基CMOS毫米波技術(shù)路線取得重大突破,在大規(guī)模相控陣天線集成度方面國際領(lǐng)先;成果在5G/6G毫米波和寬帶衛(wèi)星通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景,在該領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)上取得關(guān)鍵突破,已在相關(guān)應(yīng)用部門得以成功推廣應(yīng)用。
2020-08-31 14:21:363369

特斯拉在自動(dòng)駕駛獲得重大突破,可實(shí)現(xiàn)自主控制并主動(dòng)避開障礙物

近期,香港市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)MobiusTrend發(fā)布了一份有關(guān)“特斯拉的AR云平臺(tái)和WIMI的無人駕駛?cè)⑷I視覺SDK”的研究報(bào)告。報(bào)告顯示,無人駕駛汽車可以實(shí)現(xiàn)自主控制并主動(dòng)避開障礙物。盡管這聽起來令人難以置信,但這項(xiàng)技術(shù)現(xiàn)已取得了重大突破
2020-09-08 15:07:01826

隆達(dá)攜手合作伙伴簽署合約,共同加速推進(jìn)Mirco LED技術(shù)

XDC是MicroLED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的先驅(qū),并已建立了超過400多項(xiàng)廣泛且基礎(chǔ)的專利組合。 XDC利用彈性體PDMS轉(zhuǎn)印頭之巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),被業(yè)界認(rèn)為是量產(chǎn)MicroLED顯示器的最佳方案之一。
2020-10-09 10:29:461550

普萊信最新突破了MiniLED倒裝COB巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)

據(jù)悉,半導(dǎo)體設(shè)備公司普萊信智能近日發(fā)布針對(duì)MiniLED的倒裝COB巨量轉(zhuǎn)移解決方案-超高速倒裝固晶設(shè)備XBonder產(chǎn)品,打破國產(chǎn)MiniLED產(chǎn)業(yè)的技術(shù)瓶頸。 普萊信是國內(nèi)一家高端裝備平臺(tái)公司
2020-10-26 12:53:364709

臺(tái)積電在實(shí)現(xiàn)2nm工藝方面取得了重大突破

據(jù)中國臺(tái)灣媒體報(bào)道稱,臺(tái)積電(TSMC) 在實(shí)現(xiàn)2nm工藝方面取得了重大突破,該工藝可以生產(chǎn)數(shù)十億個(gè)晶體管,可能會(huì)突破摩爾定律放慢的局限。
2020-11-24 16:54:061145

臺(tái)積電2nm工藝重大突破:朝著1nm挺進(jìn)

如今5nm才剛剛起步,臺(tái)積電的技術(shù)儲(chǔ)備就已經(jīng)緊張到了2nm,并朝著1nm邁進(jìn)。根據(jù)最新報(bào)道,臺(tái)積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項(xiàng)重大的內(nèi)部突破,雖未披露細(xì)節(jié),但是據(jù)此樂觀預(yù)計(jì),2nm工藝有望在2023
2020-11-26 10:48:092546

中國彩色視頻電子紙顯示器取得重大突破

2020年11月25日在中國廣州,華南師范大學(xué)、深圳市國華光電科技有限公司聯(lián)合研制的彩色視頻電子紙顯示器取得重大突破。此項(xiàng)成果基于周國富教授和AlexHenzen教授領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)研發(fā)的彩色視頻電潤濕電子紙關(guān)鍵技術(shù)
2020-11-26 11:49:042477

利亞德:采用巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的Micro LED顯示屏TXP系列

利亞德產(chǎn)品使用了單邊小于100um的真MicroLED芯片,是真正的MicroLED,具有更窄的光譜(超純色度)和更均勻的一致性。其專利的共陰驅(qū)動(dòng)更為節(jié)能。峰值功耗控制在300W/m2@600尼特。
2020-11-26 16:25:174270

氮化鎵快充研發(fā)重大突破 三大核心芯片實(shí)現(xiàn)全國產(chǎn)

國產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破,三大核心芯片實(shí)現(xiàn)自主可控,性能達(dá)到國際先進(jìn)水準(zhǔn)。氮化鎵(gallium nitride,GaN)是下一代半導(dǎo)體材料,其運(yùn)行速度比舊式傳統(tǒng)硅(Si)技術(shù)加快了二十
2020-12-18 10:26:523387

國產(chǎn)氮化鎵快充重大突破,三大核心芯片實(shí)現(xiàn)自主可控,性能達(dá)到國際先進(jìn)水準(zhǔn)

充電頭網(wǎng)近日從供應(yīng)鏈獲悉,國產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破,三大核心芯片實(shí)現(xiàn)自主可控,性能達(dá)到國際先進(jìn)水準(zhǔn)。 一、氮化鎵快充市場(chǎng)規(guī)模 氮化鎵(gallium nitride,GaN)是下一代半導(dǎo)體材料
2020-12-18 11:43:026232

奧來德在封裝材料方面取得重大突破

日前,記者獲悉,吉林奧來德光電材料股份有限公司在封裝材料方面取得重大突破,產(chǎn)品綜合性能已經(jīng)達(dá)到國外同等水平,其中部分物理性能和穩(wěn)定性表現(xiàn)突出,在水、氧阻隔方面具有良好的表現(xiàn)。
2020-12-21 11:44:33976

法國Aledia試線實(shí)現(xiàn)300mm硅晶圓microLED芯片的開發(fā)生產(chǎn)

率先推出了具有突破性意義的microLED顯示技術(shù),并宣布已制造出全球首批300mm(12英寸)硅晶圓microLED芯片。 ? ? ? ? Aledia在過去八年里一直采用200mm(8英寸
2020-12-23 10:40:472389

國產(chǎn)芯片技術(shù)迎來重大突破?

芯片已成為世界各國科技角力的主陣地,但最近全球卻面臨一個(gè)重大的問題——“芯片荒”。
2020-12-25 11:11:192820

Mini LED巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備有解

的大力支持,報(bào)名參會(huì)的行業(yè)人士近1000人,現(xiàn)場(chǎng)人流如潮。 在由新益昌冠名的顯示技術(shù)與創(chuàng)新專場(chǎng),高盛光電總經(jīng)理陳錫宏發(fā)表了《Mini LED巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備有解》的主題演講。包含Mini LED生產(chǎn)線規(guī)劃、激光巨量轉(zhuǎn)移等內(nèi)容。 高盛光電總經(jīng)理陳錫宏 自Mini/Micro LED出現(xiàn)
2020-12-29 09:24:345081

芯片行業(yè)新喜訊:臺(tái)積電宣布在1nm制程上取得突破

1nm芯片方面取得了重大突破。 近日,全球最大的芯片代工廠臺(tái)積電聯(lián)合臺(tái)大、麻省理工宣布,1nm以下芯片已取得了重大進(jìn)展,相關(guān)研究成果已發(fā)表于《自然》雜志。 研究人員發(fā)現(xiàn),利用半金屬鉍(Bi)作為二維材料的接觸極來替代原有的硅元素,這樣可以利用鉍元素大幅度
2021-06-25 15:51:595419

Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的詳細(xì)介紹

目前, Micro-LED的顯示技術(shù)在制造上面臨兩個(gè)主要的技術(shù)挑戰(zhàn):一個(gè)是全彩顯示(Full-color display),另外一個(gè)為巨量轉(zhuǎn)移(Mass transfer)。本周“漲知識(shí)啦”給大家
2021-06-10 16:13:5812642

華為中國芯片技術(shù)最新突破

華為中國芯片技術(shù)最新突破:因?yàn)橐咔楹兔绹?b class="flag-6" style="color: red">芯片禁令導(dǎo)致中國缺芯問題愈發(fā)嚴(yán)重,華為和中國的很多的芯片企業(yè)都在積極地解決問題,華為海思的芯片技術(shù)也有了重大突破,國產(chǎn)14nm芯片將會(huì)在明年年底量產(chǎn)。
2022-01-10 11:04:2030901

IBM和三星在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方面取得重大突破

在2021 IEEE國際電子器件會(huì)議(IEDM)上,IBM和三星聯(lián)合宣布,他們?cè)诎雽?dǎo)體設(shè)計(jì)方面取得一項(xiàng)重大突破
2022-03-16 09:56:02338

中國芯片突破2nm 國產(chǎn)2nm芯片有望破冰

近日,臺(tái)積電正式宣布稱2nm工藝芯片技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)重大突破,并且計(jì)劃在2025年進(jìn)階應(yīng)用2nm工藝,國產(chǎn)2nm芯片在不久之后或迎來破冰,目前臺(tái)積電和三星已經(jīng)著手3nm制程的量產(chǎn)了。
2022-06-29 09:20:3025069

MicroLED轉(zhuǎn)移技術(shù)基礎(chǔ)與發(fā)展史

microLED 芯片的組裝通常包括幾個(gè)關(guān)鍵工藝步驟,包括從供體/生長基板釋放大塊 microLED 芯片(即外延剝離工藝)、調(diào)整間距尺寸,最后將它們對(duì)準(zhǔn)并移動(dòng)到背板/接收基板(即取放過程)。
2022-11-17 12:22:421285

Micro LED激光巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備國產(chǎn)化“浪潮”

巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是Micro LED產(chǎn)業(yè)化必須解決的問題,也是降低成本的關(guān)鍵?!庇袠I(yè)界資深人士告訴高工LED,巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備國產(chǎn)化能夠大大加速M(fèi)icro LED應(yīng)用的落地和成本的降低,為打開更多應(yīng)用場(chǎng)景奠定了基礎(chǔ)。
2023-01-29 09:28:101509

Micro LED激光巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)剖析

由于Micro LED的特征尺寸小于100μm,傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移技術(shù)轉(zhuǎn)移效率、轉(zhuǎn)移精度上很難達(dá)到要求。傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移技術(shù)對(duì)單顆芯片的尺寸要求存在物理極限,芯片太小無法轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)移精度也難以滿足。
2023-03-27 14:49:171178

UPH高達(dá)720K,普萊信發(fā)布革命性Mini/MicroLED巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備XBonder Pro

3~5倍等等巨大的優(yōu)點(diǎn),被廣泛認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)。 然而,在Mini/MicroLED產(chǎn)品的量產(chǎn)過程中,芯片轉(zhuǎn)移技術(shù)和成本一直是整個(gè)行業(yè)的痛點(diǎn),導(dǎo)致現(xiàn)階段Mini/MicroLED產(chǎn)品仍然價(jià)格偏高,普及率
2023-04-03 16:47:34775

“中國天眼”取得重大突破

“中國天眼”取得重大突破 由中國科學(xué)院國家天文臺(tái)等單位科研人員組成的中國脈沖星測(cè)時(shí)陣列研究團(tuán)隊(duì),日前利用“中國天眼”FAST探測(cè)到納赫茲引力波存在的關(guān)鍵性證據(jù),這是納赫茲引力波搜尋的一個(gè)重要突破
2023-06-29 15:57:37870

豐田汽車公布全新電池和氫能技術(shù)路線

在本次技術(shù)說明會(huì)上,豐田汽車公司還宣布其在固態(tài)電池技術(shù)上取得的重大突破。該公司計(jì)劃于2027—2028年將固態(tài)電池技術(shù)應(yīng)用于純電動(dòng)汽車,實(shí)現(xiàn)固態(tài)電池的商業(yè)化。
2023-07-14 10:38:19372

重大突破!我國實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓規(guī)模化制備技術(shù)

我國在二維半導(dǎo)體領(lǐng)域實(shí)現(xiàn)重大突破! 近日,來自松山湖材料實(shí)驗(yàn)室/北京大學(xué)教授劉開輝、中國科學(xué)院院士王恩哥團(tuán)隊(duì),以及松山湖材料實(shí)驗(yàn)室/中國科學(xué)院物理研究所研究員張廣宇團(tuán)隊(duì)的最新研究成果在Science
2023-07-19 15:17:52412

普萊信智能亮相2023深圳國際LED展,展現(xiàn)Mini/MicroLED巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備XBonder

7月17-19日,第20屆深圳國際LED展暨UDE國際顯博會(huì)在深圳舉行。普萊信智能作為Mini/MicroLED巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備領(lǐng)先企業(yè)獲邀參加,為客戶展示了由超高速刺晶機(jī)XBonder、過橋
2023-07-20 14:41:491006

巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)最新動(dòng)態(tài):滾輪轉(zhuǎn)印、流體自組裝、磁動(dòng)力

轉(zhuǎn)移成本方面,根據(jù)估算表明,對(duì)于5.8英寸2K分辨率的智能手機(jī)(LED器件尺寸約為10μm)和55英寸4K分辨率的電視(LED器件尺寸約為20μm)這樣的Micro-LED顯示設(shè)備,巨量轉(zhuǎn)移成本將占總成本的20%。由此可見,實(shí)現(xiàn)低成本巨量轉(zhuǎn)移對(duì)于Micro-LED顯示設(shè)備的價(jià)格降低至合理范圍至關(guān)重要。
2023-08-02 16:31:111403

華為芯片重大突破

華為芯片重大突破:目前華為的麒麟系列芯片已經(jīng)成為世界上最強(qiáng)大的移動(dòng)芯片之一,被廣泛應(yīng)用于華為自家的旗艦手機(jī)以及平板電腦等設(shè)備上。 華為一直是全球領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)和制造企業(yè)之一,近年來通過自主研發(fā)
2023-09-06 11:14:563351

臺(tái)積電再度突破硅光芯片技術(shù)!華為彎道超車計(jì)劃將要失???

近日,臺(tái)積電再次宣布一項(xiàng)重大突破,這一消息引發(fā)了全球科技領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。這次突破涉及硅光芯片技術(shù),被視為半導(dǎo)體領(lǐng)域的一項(xiàng)重大進(jìn)展。然而,這個(gè)消息也讓中國的華為和中科院等頂尖科研機(jī)構(gòu)陷入了思考和挑戰(zhàn),是否意味著中國的彎道超車計(jì)劃將要失???讓我們一起來深入了解這一問題。
2023-10-22 16:03:59905

緊湊型有機(jī)半導(dǎo)體激光器技術(shù)取得重大突破

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近日,英國圣安德魯斯大學(xué)(University of St. Andrews)的科學(xué)家表示,他們?cè)陂_發(fā)緊湊型有機(jī)半導(dǎo)體激光器技術(shù)的數(shù)十年挑戰(zhàn)中取得了“重大突破(significant breakthrough)”。
2023-10-30 15:23:00162

中國鎳基超導(dǎo)體機(jī)理研究重大突破

中國鎳基超導(dǎo)體機(jī)理研究重大突破 超導(dǎo)體這門前沿科技具有重要的科學(xué)和應(yīng)用價(jià)值,超導(dǎo)材料在所有涉及電和磁的領(lǐng)域都有用武之地,包括電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、科學(xué)工程、交通運(yùn)輸、電力等領(lǐng)域。 據(jù)央視新聞報(bào)道,此前
2023-11-03 16:00:08526

中微投資!芯元基Micro LED印章巨量轉(zhuǎn)移重大突破

芯元基由行業(yè)資深專家郝茂盛博士于2014年創(chuàng)辦,上海創(chuàng)徒、張江科投、中微半導(dǎo)體等先后進(jìn)行了投資,并在上海臨港建設(shè)了中試生產(chǎn)線。經(jīng)過5年多的潛心研發(fā),芯元基已經(jīng)形成了以藍(lán)寶石復(fù)合圖形襯底技術(shù)(DPSS)
2023-12-10 09:39:06859

microLED的材料應(yīng)用需求方案

microLED是目前中國在顯示屏代際中與國外技術(shù)水平差異最小的產(chǎn)業(yè),也是在材料和設(shè)備國產(chǎn)化替代中最具潛力的行業(yè),新綸光電一直致力于microLED巨量轉(zhuǎn)移材料的開發(fā)和應(yīng)用研究
2024-01-25 10:02:43161

深康佳:混合式巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)良率已達(dá)到99.999%

近日,深康佳在投資者關(guān)系活動(dòng)中公布了其在Micro LED領(lǐng)域的最新進(jìn)展。Micro LED技術(shù)以其低功耗、高亮度、快速響應(yīng)、無縫拼接和長壽命等顯著優(yōu)勢(shì),正逐漸成為顯示技術(shù)的主流。深康佳在此領(lǐng)域取得了一系列重大突破,尤其在混合式巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)方面,其良率已達(dá)到驚人的99.999%。
2024-02-05 17:01:54630

我國在光存儲(chǔ)領(lǐng)域獲重大突破 或?qū)㈤_啟綠色海量光子存儲(chǔ)新紀(jì)元

”;這是我國在光存儲(chǔ)領(lǐng)域獲重大突破。有助于解決大容量和節(jié)能的存儲(chǔ)技術(shù)難題。 利用國際首創(chuàng)的雙光束調(diào)控聚集誘導(dǎo)發(fā)光超分辨光存儲(chǔ)技術(shù),實(shí)驗(yàn)上首次在信息寫入和讀出均突破了衍射極限的限制,實(shí)現(xiàn)了點(diǎn)尺寸為54nm、道間距為70
2024-02-22 18:28:451335

MicroLED主要的芯片玩家及專利突破

積小尺寸等優(yōu)點(diǎn)的MicroLED,成為最有希望主導(dǎo)面板市場(chǎng)的新一代顯示技術(shù)。 ? 新一代顯示技術(shù)MicroLED迸發(fā)巨大應(yīng)用前景,帶動(dòng)上游顯示芯片需求快速增長。集邦咨詢預(yù)測(cè),預(yù)計(jì)2021年至2026年MicroLED車用顯示驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)值將以10倍以上的速度增長,
2023-06-23 08:45:002302

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