研究進(jìn)展：高探測(cè)性能SACM型雪崩光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)優(yōu)化方案

基于Crosslight先進(jìn)的半導(dǎo)體器件仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)，我司技術(shù)團(tuán)隊(duì)已開發(fā)出可靠精準(zhǔn)的雪崩光電探測(cè)器模型，在低反向偏壓下，暗電流在2.5 nA/cm2左右，隨著反向偏壓慢慢增加，暗電流緩慢增加，直到反向偏壓增加到161 V時(shí)，器件發(fā)生雪崩擊穿，造成暗電流驟增，280 nm波長的峰值響應(yīng)度為0.11 A/W，仿真計(jì)算數(shù)據(jù)與實(shí)驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)高度吻合。同時(shí)技術(shù)團(tuán)隊(duì)還針對(duì)于SACM型雪崩光電探測(cè)器做了深入系統(tǒng)的研究，細(xì)致的研究了器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)過程中的一些敏感參數(shù)對(duì)于器件性能的重要影響，獲得器件關(guān)鍵指標(biāo)與材料結(jié)構(gòu)參數(shù)之間的依賴關(guān)系，找出器件的優(yōu)化設(shè)計(jì)規(guī)則，對(duì)于優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和提高器件性能具有重要的理論指導(dǎo)意義。

相關(guān)研究成果以"Optimization strategy of 4H-SiC Separated Absorption Charge and Multiplication Avalanche Photodiode Structure for High Ultraviolet Detection Efficiency"為題被權(quán)威期刊Nanoscale Research Letters錄用。