半導體利用 SiC 來減少能量損失并延長太陽能和風能電力轉換器的使用壽命。SiC（碳化硅）由于其寬帶隙而用于高功率應用。
2024-03-22 09:36:20
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半導體器件， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET 驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度
2024-03-22 08:37:2528 
證監(jiān)會近日公開披露，江蘇芯長征微電子集團股份有限公司（簡稱“芯長征”）已正式開啟首次公開發(fā)行股票并上市的輔導備案工作。作為一家高新技術科技企業(yè)，芯長征致力于新型功率半導體器件的研發(fā)與制造，其核心業(yè)務
2024-03-15 17:08:05408 近日，長城汽車公司旗下的芯動半導體與全球知名的半導體企業(yè)意法半導體在深圳簽署了重要的戰(zhàn)略合作協議，旨在穩(wěn)定SiC芯片的供應，共同應對新能源汽車市場日益增長的需求。這一合作不僅彰顯了長城汽車在新能源領域的雄心壯志，也為公司的垂直整合戰(zhàn)略注入了新的動力。
2024-03-15 10:03:43166 近日，國內領先的半導體企業(yè)芯動半導體與國際知名半導體供應商意法半導體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰(zhàn)略合作協議。這一協議的達成，標志著雙方在SiC功率模塊領域的合作邁出了堅實的一步，將共同推動SiC芯片在新能源汽車市場的廣泛應用。
2024-03-15 09:44:4398 半導體開發(fā)出第一個單片式集成電路時，事情開始變得非常有趣了?？匆豢聪旅孢@張由計算機歷史博物館提供的照片，它展示了一些參與這一開創(chuàng)性工作的早期先驅（我們稱其為八叛逆）。請注意，照片中的每個人都穿著夾克，打著
2024-03-13 16:52:37
蓉矽半導體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力，也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228 想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
2023年，東芝半導體的功率器件銷售額估計約為1000億日元，其中35%用于汽車市場，20%用于工業(yè)市場。
2024-03-04 18:10:33307 江蘇芯長征微電子集團股份有限公司（簡稱“芯長征”）正式啟動A股IPO進程，并已向證監(jiān)會提交上市輔導備案報告。該公司是一家在新型功率半導體器件領域具有領先技術的高新技術企業(yè)，專注于IGBT、coolmos、SiC等芯片產品的研發(fā)、設計以及IGBT模塊的封裝和測試。
2024-02-27 13:58:21298 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導體功率器件。它結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041017 服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊。檢測標準l AEC-Q101分立器件認證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認證試驗廣電計量在SiC第三代半導體器件的AEC-Q認證上具有豐富的實戰(zhàn)經驗，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認證服務，同時，我們也開展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導體器件，結合了絕緣柵場效應晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的特點。IGBT被廣泛應用于電力
2024-01-22 11:14:57273 今日（1月18日），意法半導體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導體功率模塊和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術。
2024-01-19 09:48:16254 
IGBT是一種高性能功率半導體器件，常用于驅動大功率負載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個器件構成。它結合
2024-01-12 14:43:521677 半導體放電管是一種采用半導體工藝制成的PNPN結四層結構器件，其伏安特性與晶閘管類似，具有典型的開關特性。當浪涌電壓超過轉折的電壓VBO時，器件被導通，這時它呈現一般PN結二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 廣州廣汽部件有限公司是廣汽集團全資子公司，在珠三角、長三角和華中等地設有47家分公司以及1家技術中心，員工總數超過2萬人。而其合作伙伴中車時代半導體則為中車時代電氣集團全資子公司，在大功率晶閘管、IGCT、IGBT以及SiC器件及其組件方面擁有頂尖技術
2023-12-15 15:33:29308 12月14日，第三代半導體行家極光獎在深圳重磅揭曉，派恩杰半導體榮膺“中國SiC器件Fabless十強企業(yè)”稱號。
2023-12-15 10:57:45466 功率半導體冷知識：IGBT短路結溫和次數
2023-12-15 09:54:25311 
半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 一、產品介紹 基于國內外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢，半導體應用市場持續(xù)擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅動器
2023-12-13 16:36:19134 
根據不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發(fā)生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
儲能用更多的 IGBT 和 SiC，涉及到 DCDC 和 DCAC 兩個環(huán)節(jié)。兩種方案，光儲一體以及單獨儲能系統。獨立的儲能系統，功率半導體器件的用量是光伏的 1.5 倍左右。目前光儲一體可能占比超過 60-70%，單獨儲能系統占比 30%。
2023-12-07 13:49:21239 
功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
2023-12-05 16:31:25240 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發(fā)布的產品，隨后安世半導體將持續(xù)擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 、晶閘管等等，主要用于工業(yè)和電力系統（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）后來，隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導體器件的迅速發(fā)展，現在功率半導體器件已經非常廣泛，在計算機、通行、消費
2023-12-03 16:33:191135 
IGBT 屬于功率半導體器件, 在新能源汽車領域, IGBT 作為電子控制系統和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度,車輛加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽車應用中
2023-12-01 15:48:31
基于國內外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢，半導體應用市場持續(xù)擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅動器提供驅動能力的來源，市場潛力巨大。
2023-12-01 09:47:42211 
三菱電機公司宣布將與Nexperia B.V.結成戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同為電力電子市場開發(fā)硅碳（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其廣帶隙半導體技術開發(fā)和供應SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09165 
全球知名半導體制造商羅姆（ROHM）開發(fā)出一款高輸出功率半導體激光二極管RLD90QZW3，非常適用于搭載測距和空間識別用LiDAR的工業(yè)設備領域的AGV（無人搬運車）和服務機器人、消費電子設備領域的掃地機器人等應用。
2023-11-28 09:03:32309 
2023年11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產品功率半導體。
2023-11-25 16:50:53451 雖然是同一電力半導體公司，但是三菱電機與安世半導體的另一個焦點、電子電力半導體為中心的“各離散元件的組合”，高性能sic模塊產品的信賴性的性能提供業(yè)界名聲；onse半導體元件的開發(fā)、生產、認證領域具有幾十年的豐富經驗。目前還提供高品質的寬帶配件。
2023-11-24 12:28:54282 半導體分立器件是電子元器件中的重要組成部分，它們在電子設備中發(fā)揮著重要的作用。本文將介紹半導體分立器件的基本概念、分類、應用和發(fā)展趨勢。
2023-11-23 10:12:56792 
三菱電機今天宣布，將與安世半導體建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅 (SiC) 功率半導體。
2023-11-15 15:25:52473 
SiC功率開關，利用意法半導體最先進的第二代和第三代SiC MOSFET技術，確保低 RDS(開)值。這些器件
2023-11-14 15:48:49356 11月13日， 三菱電機株式會社（TOKYO：6503）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術開發(fā)和供應SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:33456 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281269 點擊上方 “泰克科技” 關注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:02273 
本文將詳細介紹各大主機廠在SIC/IGBT模塊上的布局，以及現在的產能應用情況等，探討車企大規(guī)模進入功率半導體行業(yè)背后的原因，助力車規(guī)級功率半導體產業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。
2023-11-02 11:40:30296 
半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個IGBT芯片、驅動電路、保護電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設備中的半導體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
2023-10-27 11:40:052510 
如今，半導體元器件已成為電子應用中不可或缺的一部分。半導體元器件的需求主要受生命周期較短的消費電子影響。
2023-10-24 16:43:51604 能。?功率半導體芯片：如IGBT、FRD、MOSFET等等，傳統Si基和新興的第三代半導體SiC等，它們的特性受制于其本身的設計，同時也需要看于其搭配的封裝材料和
2023-10-24 09:45:033033 
解更多公司，建議查詢相關網站。 sic功率半導體技術如何實現成果轉化 SIC功率半導體技術的成果轉化可以通過以下途徑實現： 與現有產業(yè)合作：尋找現有的使用SIC功率半導體技術的企業(yè)，與他們合作，共同研究開發(fā)新產品，將技術轉化為商業(yè)化
2023-10-18 16:14:30586 SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造 而成的晶圓片。襯底可以直接進入 晶圓制造環(huán)節(jié)生產半導體器件，也 可以經過外延加工，即在襯底上生 長一層新的單晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:39
4 功率半導體器件與普通半導體器件的區(qū)別在于，其在設計的時候，需要多一塊區(qū)域，來承擔外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導體器件的有點之一。
2023-10-18 11:16:21879 
提前確認和驗證電路是否按設計預期工作。此前羅姆已經陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和 IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經
2023-10-17 11:24:11257 ，是目前國內IGBT領域的領軍企業(yè)。公司主要產品為功率半導體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司成功研發(fā)出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模塊，實現了進口替代
2023-10-16 11:00:14
一 F-200A-60V 半導體器件測試機專為以下測試需求研制： 二 技術參數
2023-10-12 15:38:30
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業(yè)主要進步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網等現代工業(yè)領域，在
2023-10-07 10:12:26
機械保護和使用不同半導體器件實現的固態(tài)斷路器(SSCB)的優(yōu)缺點，還將討論為什么SiC固態(tài)斷路器日益受到人們青睞。一、保護電力基礎設施和設備輸配電系統以及靈敏設備都
2023-09-26 17:59:09535 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
一、LED燈相關知識
LED Light Emitting Diode,即發(fā)光二極管，是一種半導體固體發(fā)光器件，它是利用固體半導體芯片作為發(fā)光材料，當兩端加上正向電壓，半導體中的載流子發(fā)生復合
2023-09-25 06:36:25
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，其由雙極結型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)組成，是一種復合全控型電壓驅動式開關功率半導體器件，是實現電能轉換的核心器件，也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發(fā)展方向之一。
2023-09-22 16:54:103334 
半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25890 IGBT 屬于功率半導體器件, 在新能源汽車領域, IGBT 作為電子控制系統和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:39:11591 解決方案·低壓伺服驅動解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會議程
▌參會福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報名預約【意法半導體工業(yè)峰會2023
2023-09-11 15:43:36
ChatGPT變聰明了嗎？如何計算IGBT器件的工作結溫Tvj
2023-09-09 08:16:11654 
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當然功率半導體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來作為半導體開關，今天單說IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521084 
調查結果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件，市場正在穩(wěn)步擴大。
2023-09-04 15:13:24364 
積塔半導體技術的集成電路芯片制造企業(yè)作為模擬電路、功率器件生產技術的研究開發(fā)及制造聚焦于bcd， igbt/frd， sgt/mosfet， tvs， sic芯片等廣泛服務汽車電子、工業(yè)控制、電源管理、智能終端、乃至軌道交通、智能電網等尖端包括的應用市場。
2023-09-04 11:30:21451 Transistor）都是半導體器件，用于控制電流和電壓。IGBT和MOSFET在功能和結構上非常相似，但它們有一些不同之處。 1. 結構 IGBT是由三極管和場效應管兩個半導體器件組成的復合型器件
2023-08-25 14:50:013233 一、什么是SiC半導體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581144 
在汽車行業(yè)的應用趨勢碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）是一種重要的半導體材料，具有廣泛的應用領域。在電動汽車中，碳化硅功率器件的應用主要為兩個方向，一個
2023-08-17 16:41:23816 
在功率電子領域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說是第二，就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能，已經是大勢所趨。 與傳統
2023-08-16 08:10:05270 
先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
摘要: 針對傳統結構超結 IGBT 器件在大電流應用時的電導調制效應較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導通壓降優(yōu)點的問題，設計了 p 柱浮空的超結 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。
2023-08-08 09:45:12619 
隨著半導體工藝技術的發(fā)展，芯片集成度不斷提高，封裝尺寸越來越小，半導體器件面臨著更高的熱應力挑戰(zhàn)。結溫過高不僅降低了器件的電氣性能，而且增加了金屬遷移率和其他退化變化，從而導致芯片老化加速、故障率
2023-08-07 15:18:381967 
半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業(yè)的基礎。利用半導體材料制作的各種各樣的半導體器件和集成電路，促進了現代信息社會的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031978 
近年來薩科微半導體發(fā)展神速，在掌握第三代半導體碳化硅功率器件技術的基礎上，薩科微slkor投入大量精力和資金，推出了IGBT和電源管理芯片等系列高端產品。薩科微副總經理賀俊駒介紹，在功率器件應用市場
2023-07-31 11:14:43404 
功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結構劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035049 
今年以來，國外某些國家仍然在拉動其盟友在對中國的半導體領域進行打擊，意味著國產化半導體的進程將進一步加速。如今在國內，是否有純國產的IGBT單管生產廠家的產品型號值得推薦呢？
2023-07-14 10:29:28408 
MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導體器件，且都屬于電壓控制器件。
2023-07-07 09:15:451490 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia (安世半導體)今日宣布，將憑借600 V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進軍市場的第一炮
2023-07-05 16:34:291053 IGBT作為一種新型功率半導體器件，是工業(yè)控制及自動化領域的核心元器件，其作用類似于人類的心臟，能夠根據裝置中的信號指令來調節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現精準調控的目的。因此，IGBT
2023-06-25 15:37:321286 
科友半導體突破了8英寸SiC量產關鍵技術，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2023年4月，科友半導體8英寸SiC中試線正式貫通并進入中試線生產，打破了國際在寬禁帶半導體關鍵材料的限制和封鎖。
2023-06-25 14:47:29342 這種向電氣化的轉變日益決定了汽車功率半導體的整體市場需求。最初，汽車電源市場由硅 IGBT 和 MOSFET 主導，SiC 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙半導體的機會僅限于特斯拉等早期采用者。
2023-06-20 15:18:19239 
從應用角度對常用半導體元件模型作總結。
2023-05-22 09:40:37874 
特瑞仕半導體是專注于電源IC的模擬CMOS專業(yè)集團，Phenitec Semiconductor是特瑞仕半導體的子公司，此產品是由Phenitec Semiconductor開發(fā)的SiC SBD芯片搭載于多功能TO-220AC封裝投放市場。
2023-05-16 11:32:28190 半導體廠Onsemi于今年四月底宣布與中國吉利汽車集團旗下的極氪汽車簽署SiC功率元件LTSA(Long-Term Supply Agreement)，極氪車款未來將藉由搭載Onsemi提供
2023-05-16 08:42:16250 據統計，IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲能逆變器里占比高、數量多，是必不可少的半導體器件。
2023-05-08 15:46:30862 
）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432099 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，具有高輸入阻抗和低導通壓降的優(yōu)點。
2023-04-15 14:23:581287 及前瞻產業(yè)研究院數據，預計2021年我國半導體分立器件市場規(guī)模將達到3,229億元。就國內市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化，而MOSFET、IGBT等分立器件產品由于其
2023-04-14 13:46:39
評估，以改善動態(tài)特性和可靠性，并開發(fā)有助于實現碳中和的更具吸引力的高性能功率半導體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級SiC MOSFET特性對比
2023-04-11 15:29:18
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間，利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件
2023-04-07 10:30:21728 IGBT器件研制的障礙。為解決這一瓶頸問題，近年來，國內外專家學者們也將關注的焦點放在了IGBT模塊的熱失效分析方面。熱阻這一表征半導體器件熱傳導的參量也成了熱失
2023-04-04 10:14:09965 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）作為一種新型功率半導體器件，是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，是工業(yè)控制及自動化領域的核心元器件，IGBT 被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。
2023-03-30 10:58:011094 近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關注。
2023-03-28 10:00:302031 IGBT、MCU、以及SIC會是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點，根據特斯拉Model3的車型用量來看，單車使用IGBT是84顆，或者48顆Sic MOsfet（技術更優(yōu)），MCU的供應商是意法半導體，基本可以結論，Sic和IGBT會是未來的重點方向。
2023-03-24 10:18:36630
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