金航標(biāo)和薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)說(shuō)，中國(guó)還有一個(gè)優(yōu)勢(shì)就是有全世界最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，有超過(guò)1萬(wàn)億人民幣的規(guī)模，全球占比34%，領(lǐng)先美國(guó)（27%），更大幅領(lǐng)先歐洲和日韓，金航標(biāo)電子是在的中國(guó)的連接器市場(chǎng)也
2024-03-18 11:39:25
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國(guó)際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
交給代工廠來(lái)開(kāi)發(fā)和交付。臺(tái)積電是這一階段的關(guān)鍵先驅(qū)。
半導(dǎo)體的第四個(gè)時(shí)代——開(kāi)放式創(chuàng)新平臺(tái)
仔細(xì)觀察，我們即將回到原點(diǎn)。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的不斷成熟，工藝復(fù)雜性和設(shè)計(jì)復(fù)雜性開(kāi)始呈爆炸式增長(zhǎng)。工藝技術(shù)
2024-03-13 16:52:37
刻蝕機(jī)的刻蝕過(guò)程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過(guò)化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24
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想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
二極管種類有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺?極管（Ge管）和硅?極管（Si管），現(xiàn)在也有用碳化硅做材料的二極管，美國(guó)的cree和深圳薩科微slkor（www.slkoric.com)半導(dǎo)體推出
2024-03-05 14:23:46
該HI-8585 and HI-8586 是互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路，設(shè)計(jì)用于在8引腳封裝中直接驅(qū)動(dòng)ARINC 429總線，兩個(gè)邏輯輸入控制輸出引腳之間的差分電壓，產(chǎn)生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
來(lái)源：芯和半導(dǎo)體 芯和半導(dǎo)體日前正式發(fā)布了針對(duì)下一代電子系統(tǒng)的SI/PI/多物理場(chǎng)分析EDA解決方案。 芯和半導(dǎo)體日前正式發(fā)布了針對(duì)下一代電子系統(tǒng)的SI/PI/多物理場(chǎng)分析EDA解決方案，4大亮點(diǎn)
2024-02-18 17:52:43146 
硅（Si）、二氧化硅（SiO2）、鍺（Ge）等。其中，硅是最為常見(jiàn)和廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料之一。 硅是地殼中非常豐富的元素之一，它具有較高的化學(xué)穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性和機(jī)械性能，因此硅材料具有廣泛的應(yīng)用前景。硅晶體的晶體結(jié)構(gòu)為鉆
2024-02-04 09:46:07456 近日，百傲化學(xué)與蘇州芯慧聯(lián)半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱“芯慧聯(lián)”）宣布，雙方擬簽訂《半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)合作協(xié)議》。根據(jù)協(xié)議，百傲化學(xué)將委托芯慧聯(lián)以自有資金購(gòu)買半導(dǎo)體設(shè)備，合同價(jià)款合計(jì)不超過(guò)1.4億元。芯慧聯(lián)將負(fù)責(zé)對(duì)所購(gòu)設(shè)備進(jìn)行再制造、升級(jí)改造和技術(shù)服務(wù)，并擁有對(duì)外銷售的權(quán)利。
2024-02-04 09:19:37706 蘇州龍馳半導(dǎo)體潔凈機(jī)電包項(xiàng)目是中電二公司在華東地區(qū)的又一重要舉措，其規(guī)模恢弘，一期規(guī)劃面積達(dá)到了驚人的60，900平方米，其中僅潔凈區(qū)就占了4，700平方米。據(jù)悉，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于2024年完工，屆時(shí)將為當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新的活力。
2024-02-02 10:07:06264 在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽(tīng)到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58548 
干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進(jìn)行的刻蝕過(guò)程，通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來(lái)去除材料表面的部分，通過(guò)掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實(shí)現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:561106 
使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)探測(cè) 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕
2024-01-19 16:02:42128 
近日，蘇州智程半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“智程半導(dǎo)體”）成功完成數(shù)億元戰(zhàn)略融資，標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體濕制程設(shè)備領(lǐng)域邁出了重要的一步。
2024-01-16 18:11:42959 半導(dǎo)體工藝的歷史可以追溯到20世紀(jì)40年代末至50年代初，當(dāng)時(shí)的科學(xué)家們開(kāi)始使用鍺（Ge）和硅（Si）這類半導(dǎo)體材料來(lái)制造晶體管。1947年，貝爾實(shí)驗(yàn)室的威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓發(fā)明
2024-01-15 14:02:37204 對(duì)DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過(guò)化學(xué)作用和物理作用進(jìn)行刻蝕。不同之處在于，兩個(gè)射頻源：將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59511 
智程半導(dǎo)體自2009年起致力于半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研究、生產(chǎn)與銷售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種高尖端產(chǎn)品領(lǐng)域。
2024-01-12 14:55:23636 來(lái)源：雅時(shí)化合物半導(dǎo)體 把握機(jī)遇，凝聚向前。 2024年5月 ，雅時(shí)國(guó)際(ACT International)將在 蘇州·獅山國(guó)際會(huì)議中心 組織舉辦主題為“ 2024-半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展和機(jī)遇
2023-12-25 14:53:07347 
泓滸半導(dǎo)體成立于2016年，總部位于蘇州，主營(yíng)半導(dǎo)體晶圓傳輸自動(dòng)化設(shè)備研發(fā)制造，是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。獲批國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”認(rèn)定，并列為蘇州市“獨(dú)角獸”企業(yè)。其主要產(chǎn)品覆蓋晶圓傳片機(jī)（Sortor）、設(shè)備前端模塊 （EFEM）、真空傳輸平臺(tái)（VTM）、半導(dǎo)體核心精密傳輸部件等
2023-12-18 10:08:16241 根據(jù)不同的誘因，常見(jiàn)的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
據(jù)晶湛半導(dǎo)體消息，晶湛半導(dǎo)體業(yè)界公認(rèn)的硅氮化鎵（e -on-si）外延技術(shù)開(kāi)拓者程凱博士將于2012年3月回國(guó)創(chuàng)業(yè)。國(guó)際先進(jìn)的氮化鎵外延材料開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地
2023-12-11 14:32:04227 碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。
2023-12-11 11:29:35196 
該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過(guò)交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來(lái)刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過(guò)加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531536 半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料。 一、硅(Si) 硅是最常見(jiàn)的半導(dǎo)體
2023-11-29 10:22:17516 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)于連接技術(shù)的要求也越來(lái)越高。傳統(tǒng)的金屬接頭在高溫、高壓和高輻射環(huán)境下存在許多問(wèn)題，而PFA接頭作為一種高性能的塑料接頭，正逐漸得到廣泛的認(rèn)可和應(yīng)用。本文將圍繞晶圓制造
2023-11-09 17:47:47204 氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來(lái)簡(jiǎn)單了解一下，這個(gè)材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
型號(hào) Si2338DST1GE3絲印 VB1330品牌 VBsemi參數(shù) 頻道類型 N溝道 額定電壓 30V 額定電流 6.5A RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33m
2023-10-31 15:13:47
10月28日，由度亙核芯光電技術(shù)（蘇州）有限公司承辦的“中國(guó)（蘇州）半導(dǎo)體光電及激光智能制造技術(shù)會(huì)議”在蘇州西交利物浦國(guó)際會(huì)議中心圓滿落幕！本次大會(huì)以“以光為引，創(chuàng)芯未來(lái)”為主題，邀請(qǐng)了蘇州
2023-10-29 08:29:21729 
10月27日半導(dǎo)體光電及激光智能制造技術(shù)會(huì)議在蘇州西交利物浦國(guó)際會(huì)議中心開(kāi)幕！本屆大會(huì)以“以光為引?創(chuàng)芯未來(lái)”為主題，由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、蘇州納米科技發(fā)展有限公司、長(zhǎng)三角G60科創(chuàng)走廊激光產(chǎn)業(yè)
2023-10-28 08:29:251088 型號(hào) SI2324DS-T1-GE3絲印 VB1102M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 - 類型 N溝道MOSFET- 最大耐壓 100V- 最大電流 2A- 導(dǎo)通電阻 246m
2023-10-27 17:18:42
英飛凌科技、現(xiàn)代汽車公司和起亞公司達(dá)成了一項(xiàng)為期多年的SiC和Si功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議。英飛凌將建設(shè)并儲(chǔ)備制造能力，為現(xiàn)代/起亞提供SiC和Si功率模塊和芯片，直至2030年?，F(xiàn)代/起亞將提供資金支持
2023-10-23 15:40:35436 管在半導(dǎo)體和太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域的應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)備受關(guān)注。 華林科納是一家專注于生產(chǎn)高性能氟化共聚物材料的公司。其生產(chǎn)的PFA管具有優(yōu)異的耐化學(xué)腐蝕、耐高溫、低摩擦系數(shù)和高絕緣性能等特性。在半導(dǎo)體和太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域，華林科納的PFA管具
2023-10-17 10:19:25199 隨著科技的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)在全球范圍內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體設(shè)備在制造過(guò)程中需要經(jīng)過(guò)多個(gè)工藝步驟，而每個(gè)步驟都需要使用到各種不同的材料和設(shè)備。其中，華林科納的PFA管在半導(dǎo)體清洗工藝中扮演著
2023-10-16 15:34:34258 半導(dǎo)體，也稱為微芯片或集成電路（IC），通常由硅、鍺或砷化鎵等純?cè)刂瞥伞Ｗ畛Ｓ玫?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料是硅（Si），但也常用其他材料，例如鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）。其電導(dǎo)率介于絕緣體（如非金屬）和導(dǎo)體（如金屬）之間，其電導(dǎo)率可隨雜質(zhì)、溫度或電場(chǎng)等因素而變化。
2023-10-16 14:02:501434 
按照代際來(lái)進(jìn)行劃分，半導(dǎo)體材料的發(fā)展經(jīng)歷了第一代、第二代和第三代。第一代半導(dǎo)體材料主要指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）；
2023-10-11 17:08:332322 
根據(jù)研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時(shí)間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料。 第一代半導(dǎo)體材料以硅和鍺等元素半導(dǎo)體為代表。
2023-09-28 12:57:43482 
在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢(shì)，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見(jiàn)。
2023-09-24 17:42:03996 
將詳細(xì)討論半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)，包括其起源、機(jī)制、應(yīng)用和未來(lái)研究方向。 一、壓阻效應(yīng)的起源 壓阻效應(yīng)是指半導(dǎo)體材料在外力或應(yīng)力作用下，導(dǎo)電性能的變化。它最早被發(fā)現(xiàn)于20世紀(jì)60年代，當(dāng)時(shí)主要研究的對(duì)象是Ge和Si等材料。
2023-09-19 15:56:551582 在上周的推文中，我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個(gè)階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了解更多 - 泛林小課堂 | 半導(dǎo)體材料“家族史”大揭秘（上））
2023-09-14 12:19:11843 很多半導(dǎo)體、光伏行業(yè)的制造企業(yè)在選擇化學(xué)品酸堿輸送供應(yīng)管道時(shí)，都喜歡選擇華林科納的高純PFA管，選擇華林科納生產(chǎn)的高純PFA管作為化學(xué)品酸堿輸送供應(yīng)管道有以下幾個(gè)重要原因： 1、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性
2023-09-13 17:29:48266 剛從杭州到蘇州，發(fā)現(xiàn)蘇州的醫(yī)療，半導(dǎo)體公司蠻多的，薪資也不低啊
2023-09-07 15:23:27
我們華林科納討論了在InP、GaAs、GaN、AlN和ZnO等化合物半導(dǎo)體中氫和/或氦注入引起的表面起泡和層分裂。起泡現(xiàn)象取決于許多參數(shù)，例如半導(dǎo)體材料、離子注量、離子能量和注入溫度。給出了化合物
2023-09-04 17:09:31317 
濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝?yán)锩嬲加泻苤匾囊粔K。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性取決于其材料構(gòu)造、摻雜方式以及操作條件等多種因素。本文將詳細(xì)討論半導(dǎo)體的導(dǎo)電性及其相關(guān)知識(shí)。 首先，我們來(lái)介紹一下半導(dǎo)體材料的基本構(gòu)造。半導(dǎo)體材料通常是由硅（Si）、鍺（
2023-08-27 16:05:291031 始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料，其中較為矚目的莫過(guò)于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。
2023-08-23 14:43:38372 
蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司在8月18日成功在上海證券交易所科創(chuàng)板掛牌上市。
2023-08-19 17:09:28804 半導(dǎo)體技術(shù)在當(dāng)今社會(huì)已成為高科技產(chǎn)品的核心，而在半導(dǎo)體制造的各個(gè)環(huán)節(jié)中，銅憑借其出色的性能特點(diǎn)，已成為眾多工藝應(yīng)用的關(guān)鍵材料。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，銅主要被用于制造互連線路。在傳統(tǒng)的互連制造中，銅通常被用作通過(guò)化學(xué)氣相淀積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）技術(shù)沉積在金屬膜上。
2023-08-19 11:41:15738 定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國(guó)襯底上的能力可以帶來(lái)卓越或新穎的功能，并對(duì)電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡(jiǎn)要描述了實(shí)現(xiàn)這種異質(zhì)集成的不同方法，重點(diǎn)介紹了離子
2023-08-14 17:03:50483 
的影響。高純PFA擴(kuò)口接頭采用高度純凈的PFA材料制造，確保管道系統(tǒng)中的流體不受雜質(zhì)污染。這種高純度的材料選擇有助于維持制程的穩(wěn)定性，降低產(chǎn)物缺陷率，從而提高光伏器件的性能和效率。 其次，半導(dǎo)體光伏工藝涉及許多化學(xué)反應(yīng)和腐蝕性
2023-08-14 16:51:29275 在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來(lái)講講如何采用這個(gè)“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點(diǎn)，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10506 （ACROVIEW）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體芯片燒錄解決方案提供商，公司堅(jiān)持以科技改變世界、用智能驅(qū)動(dòng)未來(lái)，持續(xù)不斷的為客戶創(chuàng)造價(jià)值。昂科的AP8000通用燒錄器平臺(tái)及最新的IPS5000燒錄自動(dòng)化解決方案，為半導(dǎo)體和電子制造領(lǐng)域客戶提供一站式解決方案，公司已服務(wù)包括華為、比亞迪、富士康等全球領(lǐng)先客戶。
2023-08-10 11:54:39
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過(guò)程，通過(guò)移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383908 的成熟程度也間接決定了產(chǎn)品的良率和吞吐量。 ? 這每一道工序中，都有所需的對(duì)應(yīng)設(shè)備，比如光刻所需的EUV、DUV光刻機(jī)，刻蝕所需的干法、濕法刻蝕機(jī)，以及化學(xué)、物理氣相沉積所需的CVD、PVD設(shè)備等等。光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心
2023-07-30 03:24:481556 
刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過(guò)程的不同稱呼，常常用來(lái)描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過(guò)程。在半導(dǎo)體制造中，這個(gè)過(guò)程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594139 陶氏化學(xué)公司是粘合劑，輔助劑等在內(nèi)的多種材料提供的高純度化學(xué)產(chǎn)品生產(chǎn)線的半導(dǎo)體核心化學(xué)材料的主要供應(yīng)商，也供應(yīng)全球重要的CMP材料包括拋光墊、拋光液等。
2023-07-18 09:59:07613 由華林科納舉辦的2023泛半導(dǎo)體濕法交流會(huì)第五期：化學(xué)流體系統(tǒng)技術(shù)與應(yīng)用交流會(huì)在江蘇南通市成功召開(kāi)。會(huì)議共邀請(qǐng)42家企業(yè)參會(huì)，參會(huì)人員96人。本期交流會(huì)安排了學(xué)術(shù)技術(shù)交流報(bào)告、流體展示
2023-07-14 08:47:03356 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過(guò)數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個(gè)制造過(guò)程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點(diǎn)多，操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:552897 
簡(jiǎn)介：蘇州鐳拓激光科技有限公司智能化一站式激光設(shè)備供應(yīng)商，多款高精度塑料半導(dǎo)體激光焊接機(jī)，咨詢塑料激光焊接機(jī)多少錢，歡迎聯(lián)系蘇州鐳拓激光！產(chǎn)品描述：品名：塑料半導(dǎo)體激光焊接機(jī)品牌：鐳拓
2023-07-06 16:24:04
國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的行業(yè)盛會(huì)將在上海如期舉行，華林科納將為您帶來(lái)超全面且領(lǐng)先的濕法解決方案，并攜泛半導(dǎo)體濕法裝備服務(wù)平臺(tái)亮相SEMICON China，與上下游企業(yè)進(jìn)行一對(duì)一交流，為企業(yè)發(fā)展瓶頸找到
2023-07-04 17:01:30251 
奇格半導(dǎo)體簡(jiǎn)介 奇格半導(dǎo)體始于2005年4月成立蘇州奇格電子有限公司。以代理邏輯分析儀，示波器，燒錄器，數(shù)據(jù)拷貝機(jī)等業(yè)務(wù)，服務(wù)半導(dǎo)體3C制造業(yè)。公司的業(yè)務(wù)范圍涵蓋整個(gè)中國(guó)。隨著公司的發(fā)展，公司著重
2023-07-01 15:32:24759 在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng)，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見(jiàn)。
2023-06-15 17:51:571177 
5月18日-5月19日，由華林科納舉辦的2023泛半導(dǎo)體濕法交流會(huì)第五期：化學(xué)流體系統(tǒng)技術(shù)與應(yīng)用交流會(huì)在江蘇南通市成功召開(kāi)。會(huì)議共邀請(qǐng)42家企業(yè)參會(huì)，參會(huì)人員96人。本期交流會(huì)安排了學(xué)術(shù)技術(shù)交流報(bào)告、流體展示及實(shí)操等多種形式的活動(dòng)，交流高純流體在濕法領(lǐng)域的技術(shù)與應(yīng)用，并展示了超100種高純流體產(chǎn)品。
2023-06-09 17:30:34418 步入式恒溫恒濕試驗(yàn)房的用途:適用于塑膠、電子、食品、服裝、車輛、金屬、化學(xué)、建材、航天等多種行業(yè)的溫濕變化產(chǎn)品可靠性檢測(cè)。是指能同時(shí)施加溫度、濕度應(yīng)力的試驗(yàn)箱,由制冷系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、溫度
2023-06-09 10:30:45
根據(jù)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來(lái)看，目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下，定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來(lái)長(zhǎng)期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
第二十一屆中國(guó)（蘇州）電子信息博覽會(huì)·半導(dǎo)體主題展 2023 年 11 月 9-11 日 ????? 蘇州國(guó)際博覽中心 ? 主辦單位：國(guó)務(wù)院臺(tái)灣事務(wù)辦公室 江蘇省人民政府 支持單位：兩岸企業(yè)家峰會(huì)
2023-05-30 17:39:11605 歡迎先楫半導(dǎo)體HPMicro入駐電子發(fā)燒友社區(qū)!
【廠商介紹】“先楫半導(dǎo)體”（HPMicro）是一家致力于高性能嵌入式解決方案的半導(dǎo)體公司，總部位于上海，產(chǎn)品覆蓋微控制器、微處理器和周邊芯片，以及
2023-05-29 16:04:25
但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會(huì)嚴(yán)重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無(wú)氯基體，而且對(duì)Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無(wú)傷害、對(duì)金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
分立器件行業(yè)概況
半導(dǎo)體分立器件是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一，其具有應(yīng)用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
從市場(chǎng)需求看，分立器件受益于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能家居、健康護(hù)理、安防電子
2023-05-26 14:24:29
硅（Si）是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體的一個(gè)例子。鍺（Ge）是另一種純半導(dǎo)體，用于一些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成，包括砷化鎵 （GaAs）、氮化鎵 （GaN）、硅鍺 （SiGe） 和碳化硅 （SiC）。我們稍后將回到最后一項(xiàng)。
2023-05-24 11:26:141681 在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 09:06:462464 
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461675 
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226173 
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073 
經(jīng)過(guò)氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52532 
等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來(lái)更加重要。對(duì)于成熟的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系統(tǒng)，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，可以為客戶節(jié)省大量費(fèi)用，有可能
2023-04-21 09:20:221349 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問(wèn)題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 SI2393DS-T1-GE3
2023-04-06 23:31:47
SI2308CDS-T1-GE3
2023-03-29 22:35:06
SI4848ADY-T1-GE3
2023-03-29 21:57:16
SI4435FDY-T1-GE3
2023-03-29 21:42:36
SI3453DV-T1-GE3
2023-03-29 18:23:40
SI7155DP-T1-GE3
2023-03-28 18:10:50
SI2324DS-T1-GE3
2023-03-28 14:49:55
SI2319DDS-T1-GE3
2023-03-28 13:19:03
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