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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>利用臭氧微泡清洗半導(dǎo)體晶片

利用臭氧微泡清洗半導(dǎo)體晶片

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通過(guò)臭氧微氣泡進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓的光刻膠去除實(shí)驗(yàn)

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半導(dǎo)體工藝 臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒

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2022-04-27 16:55:521431

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蘇州晶淼專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體、光伏、LED等行業(yè)清洗腐蝕設(shè)備,可根據(jù)要求定制濕法腐蝕設(shè)備。晶淼半導(dǎo)體為國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)微電子、半導(dǎo)體行業(yè)腐蝕清洗設(shè)備供應(yīng)商,歡迎來(lái)電咨詢。電話:***,13771786452王經(jīng)理
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:太陽(yáng)能電池清洗設(shè)備, 半導(dǎo)體清洗設(shè)備,微電子工藝設(shè)備及清洗設(shè)備,太陽(yáng)能電池片清洗刻蝕設(shè)備, 微電子半導(dǎo)體清洗刻蝕設(shè)備,LCD液晶玻璃基板清洗刻蝕設(shè)備;LED晶片清洗腐蝕設(shè)備,硅片切片后清洗設(shè)備,劃片后
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2011-12-15 16:11:44188

半導(dǎo)體IC清洗技術(shù)

介紹了半導(dǎo)體IC制程中存在的各種污染物類(lèi)型及其對(duì)IC制程的影響和各種污染物的去除方法,并對(duì)濕法和干法清洗的特點(diǎn)及去除效果進(jìn)行了分析比較。
2012-04-27 15:28:5093

關(guān)于硅晶片研磨之后的清洗工藝介紹

本發(fā)明的工藝一般涉及到半導(dǎo)體晶片清洗。更確切地說(shuō),本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機(jī)殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導(dǎo)體晶片
2020-12-29 14:45:212039

半導(dǎo)體單晶拋光片清洗工藝分析

通過(guò)對(duì) Si , CaAs , Ge 等半導(dǎo)體材料單晶拋光片清洗工藝技術(shù)的研究 , 分析得出了半導(dǎo)體材料單晶拋光片的清洗關(guān)鍵技術(shù)條件。首先用氧化性溶液將晶片表面氧化 , 然后用一定的方法將晶片表面
2021-04-08 14:05:3949

半導(dǎo)體IC的清洗方法

介紹了半導(dǎo)體IC制程中存在的各種污染物類(lèi)型及其對(duì)IC制程的影響和各種污染物的去除方法, 并對(duì)濕法和干法清洗的特點(diǎn)及去除效果進(jìn)行了分析比較。
2021-04-09 09:55:2170

臭氧發(fā)生器在半導(dǎo)體工業(yè)中的應(yīng)用

半導(dǎo)體行業(yè),清潔度是一個(gè)絕對(duì)的要求。即使是很小的污染物痕跡也會(huì)導(dǎo)致晶圓表面區(qū)域結(jié)構(gòu)的改變。自80年代末以來(lái),在芯片生產(chǎn)中采用臭氧的清潔工藝已經(jīng)被使用。隨著修改和新方法的開(kāi)發(fā),人們的興趣繼續(xù)增長(zhǎng)
2021-09-27 17:40:401353

臭氧半導(dǎo)體晶片清洗工藝中的應(yīng)用

近年來(lái),在半導(dǎo)體工業(yè)中,逐漸確立了將臭氧運(yùn)用于晶圓清洗工藝中,這主要是利用臭氧在水相中氧化有機(jī)污染物和金屬污染物的性能。
2021-09-27 17:39:032396

半導(dǎo)體清洗科技材料系統(tǒng)

書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章:下一代半導(dǎo)體清洗科技材料系統(tǒng) 編號(hào):JFKJ-21-188 作者:炬豐科技 摘要 本文簡(jiǎn)要概述了面臨的挑戰(zhàn)晶圓清洗技術(shù)正面臨著先進(jìn)的silicon技術(shù)向非平面
2023-04-23 11:03:00281

晶片清洗半導(dǎo)體制造過(guò)程中的一個(gè)基礎(chǔ)和關(guān)鍵步驟

摘要 在許多半導(dǎo)體器件的制造中,硅是最有趣和最有用的半導(dǎo)體材料。 在半導(dǎo)體器件制造中,各種加工步驟可分為四大類(lèi),即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中,晶片清洗都是開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體電子器件的首要
2022-01-18 16:08:131035

半導(dǎo)體晶片濕蝕工藝的浮式數(shù)值分析

本研究透過(guò)數(shù)值解析,將實(shí)驗(yàn)上尋找硅晶片最佳流動(dòng)的方法,了解目前蝕刻階段流動(dòng)的形式,并尋求最佳晶片蝕刻條件,蝕刻工藝效率低利用氣泡提高濕法蝕刻工藝效果,用實(shí)驗(yàn)的方法尋找最佳流動(dòng),通過(guò)數(shù)值分析模擬了利用
2022-01-19 17:11:32376

半導(dǎo)體晶圓清洗站多化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)的討論

半導(dǎo)體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過(guò)使用高純化學(xué)品清洗或蝕刻來(lái)去除晶片上的顆?;蛉毕?。擴(kuò)散、光和化學(xué)氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉(zhuǎn)擦洗之前有預(yù)清潔作為濕法清潔/蝕刻
2022-02-22 13:47:511747

半導(dǎo)體晶片上粒子沉積的實(shí)驗(yàn)研究

半導(dǎo)體晶片上的粒子沉積是集成電路制造中的一個(gè)重要問(wèn)題。隨著集成電路的特征尺寸接近亞微米的尺寸,晶片上的顆粒沉積是造成產(chǎn)品損失的主要原因。我們開(kāi)發(fā)了一種用于檢測(cè)半導(dǎo)體晶片上顆粒沉積的靈敏方法。該方法
2022-02-22 15:17:09946

半導(dǎo)體晶片旋轉(zhuǎn)清洗器中渦流的周期性結(jié)構(gòu)

近年來(lái),隨著集成電路的微細(xì)化,半導(dǎo)體制造的清洗方式從被稱(chēng)為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變?yōu)椤皢螐埵健钡?b class="flag-6" style="color: red">晶片一次清洗的方式。在半導(dǎo)體的制造中,各工序之間進(jìn)行晶片清洗,清洗工序
2022-02-22 16:01:08926

晶片清洗半導(dǎo)體制造中的一個(gè)基礎(chǔ)步驟

摘要 在許多半導(dǎo)體器件的制造中,硅是最有趣和最有用的半導(dǎo)體材料。在半導(dǎo)體器件制造中,各種加工步驟可分為文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁四大類(lèi),即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。在每一步中,晶片
2022-02-23 17:44:201501

《華林科納-半導(dǎo)體工藝》單晶硅清洗工藝

摘要 提供了一種用于半導(dǎo)體晶片清潔操作的系統(tǒng)。清潔系統(tǒng)具有頂蓋和底蓋。頂蓋密封在晶片的頂面接觸環(huán)上,底蓋密封在晶片的底面接觸環(huán)上。文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁晶片保持在頂蓋和底蓋之間。邊緣
2022-02-24 13:41:20882

臭氧在濕法加工中的作用是怎樣的

氧化物膜的沉積 臭氧是在使用時(shí)產(chǎn)生的,可以很容易地轉(zhuǎn)化為氧氣 IMEC開(kāi)發(fā)了一種晶片清洗工藝,與廣泛使用的 RCA 清洗相比,文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁顯示出更好或當(dāng)?shù)男阅?這種新的清洗
2022-02-28 14:55:30412

清洗半導(dǎo)體晶片的方法說(shuō)明

摘要 該公司提供了一種用于清洗半導(dǎo)體晶片的方法和設(shè)備 100,該方法和方法包括通過(guò)從裝載端口 110 中的盒中取出兩個(gè)或多個(gè)晶片來(lái)填充化學(xué)溶液的第一罐將晶片放入。將晶片放入裝滿液體的第一槽(137
2022-02-28 14:56:03966

濕法清洗系統(tǒng)對(duì)晶片表面顆粒污染的影響

摘要 研究了泵送方法對(duì)晶片清洗的影響。兩種類(lèi)型的泵,例如隔膜泵和離心泵,用于在濕浴和單晶片工具中循環(huán)和供應(yīng)用于晶片清潔的去離子水。清洗研究表明,泵送方法對(duì)清洗性能有很大影響。實(shí)驗(yàn)研究表明,在 MLC
2022-03-02 13:56:46550

半導(dǎo)體工藝—晶片清洗工藝評(píng)估

摘要 本文介紹了半導(dǎo)體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評(píng)估而制備的受污染測(cè)試晶片老化的實(shí)驗(yàn)研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù),其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中,然后干燥;另一種
2022-03-04 15:03:502631

半導(dǎo)體制造過(guò)程中的新一代清洗技術(shù)

VLSI制造過(guò)程中,晶圓清洗球定義的重要性日益突出。這是當(dāng)晶片表面存在的金屬、粒子等污染物對(duì)設(shè)備的性能和產(chǎn)量(yield)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響時(shí)的門(mén)。在典型的半導(dǎo)體制造工藝中,清潔工藝在工藝前后反復(fù)進(jìn)行
2022-03-22 14:13:163688

利用臭氧去離子水開(kāi)發(fā)成本低的新型清洗工藝

本研究利用臭氧去離子水(DIO3)開(kāi)發(fā)了擁有成本低的新型清洗工藝(氧化亞鈷),臭氧濃度為40ppm,用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず皖w粒,僅經(jīng)過(guò)商業(yè)除蠟處理后,蠟渣仍超過(guò)200A。
2022-03-24 14:54:45349

通過(guò)臭氧微氣泡進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓的光刻膠去除實(shí)驗(yàn)

半導(dǎo)體清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的,一般使用硫酸和過(guò)氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是,這些廢液的處理是極其困難的,與環(huán)境污染有很大的關(guān)系,因此希望引進(jìn)環(huán)保的清洗技術(shù)。因此,作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一,以蒸餾水、臭氧為基礎(chǔ),利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-03-24 16:02:56768

使用臭氧和HF清洗去除金屬雜質(zhì)的研究

量,測(cè)量了漆器和表面形狀,并根據(jù)清潔情況測(cè)量了科隆表面特性。 本實(shí)驗(yàn)使用半導(dǎo)體用高純度化學(xué)溶液和DI 晶片,電阻率為22~38 ohm~ cm,使用了具有正向的4 inches硅基底,除裸晶圓外,所有晶片均采用piranha+HF清洗進(jìn)行前處理,清楚地知道紗線過(guò)程
2022-03-24 17:10:271841

濕式清洗工藝在半導(dǎo)體制造中的重要作用

半導(dǎo)體行業(yè)的研究人員研究了臭氧對(duì)wafer-cleaning的應(yīng)用程序。 來(lái) 降低化學(xué)品消耗,降低成本,提高清洗效率,對(duì)臭氧進(jìn)行了研究作為一種替代,傳統(tǒng)的硫酸-過(guò)氧化氫 RCA用堿性(SC-1)和酸性來(lái)清洗。它是 (SC-2)過(guò)氧化氫混合物 這是因?yàn)橄净顒?dòng)產(chǎn)生的多重影響 。
2022-03-31 15:00:26746

半導(dǎo)體制造過(guò)程中的硅晶片清洗工藝

在許多半導(dǎo)體器件的制造中,硅是最有趣和最有用的半導(dǎo)體材料。 在半導(dǎo)體器件制造中,各種加工步驟可分為四大類(lèi),即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中,晶片清洗都是開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體電子器件的首要和基本步驟。 清洗過(guò)程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學(xué)物質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。
2022-04-01 14:25:333097

DIO3、單晶圓超晶圓及其混合半導(dǎo)體清洗方法

雖然RCA濕式清洗工藝具有較高的清洗性能,但仍存在化學(xué)消耗量高、化學(xué)使用壽命短、設(shè)備大、化學(xué)廢物產(chǎn)生量大等問(wèn)題。傳統(tǒng)的臭氧化水(DIO3)濕式清洗系統(tǒng)具有較高的有機(jī)污染物清洗效率,0.1?/min
2022-04-11 14:03:281812

一種除去晶片表面有機(jī)物的清洗方法

法與添加臭氧的超純水相結(jié)合的新清洗法,與以往的方法相比,具有更好的清洗能力,在抑制自然氧化膜生成的同時(shí),可以在短時(shí)間內(nèi)完全除去晶片表面的有機(jī)物。
2022-04-13 15:25:211711

濕式化學(xué)清洗過(guò)程對(duì)硅晶片表面微粒度的影響

本文利用CZ、FZ和EPI晶片,研究了濕式化學(xué)清洗過(guò)程對(duì)硅晶片表面微粒度的影響。結(jié)果表明,表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性:隨著硅基底的微粗糙度的增加,氧化物的微電擊穿會(huì)降解。利用
2022-04-14 13:57:20489

一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法,所公開(kāi)的本發(fā)明的特點(diǎn)是:具備半導(dǎo)體晶片和含有預(yù)定清潔液的清潔組、對(duì)齊上述半導(dǎo)體晶片的平坦區(qū)域,使其不與上述清潔組的入口相對(duì)、將上述對(duì)齊的半導(dǎo)體晶片浸入
2022-04-14 15:13:57642

半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中的清洗技術(shù)

半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中,由于需要去除被稱(chēng)為硅晶片的硅襯底上納米級(jí)的異物(顆粒),1/3的制造過(guò)程被稱(chēng)為清洗過(guò)程。在半導(dǎo)體器件中,通常進(jìn)行RCA清潔,其中半導(dǎo)體器件以一批25個(gè)環(huán)(盒)為單位,依次
2022-04-20 16:10:293276

溢流晶片清洗工藝中的流場(chǎng)概述

引言 描述了溢流晶片清洗工藝中的流場(chǎng)。該信息被用于一項(xiàng)倡議,其主要目的是減少晶片清洗中的用水量。使用有限元數(shù)值技術(shù)計(jì)算速度場(chǎng)。大部分的水無(wú)助于晶片清洗。 介紹 清洗步驟占工廠中使用的ulaa純水
2022-06-06 17:24:461081

使用脈動(dòng)流清洗毯式和圖案化晶片的工藝研究

表面和亞微米深溝槽的清洗半導(dǎo)體制造中是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。在這項(xiàng)工作中,使用物理數(shù)值模擬研究了使用脈動(dòng)流清洗毯式和圖案化晶片。毯式晶片清洗工藝的初步結(jié)果與文獻(xiàn)中的數(shù)值和實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合良好。毯式和圖案化晶片的初步結(jié)果表明,振蕩流清洗比穩(wěn)定流清洗更有效,并且振蕩流的最佳頻率是溝槽尺寸的函數(shù)。
2022-06-07 15:51:37314

不同的濕法晶片清洗技術(shù)方法

雖然聽(tīng)起來(lái)可能沒(méi)有極紫外(EUV)光刻那么性感,但對(duì)于確保成功的前沿節(jié)點(diǎn)、先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造,濕法晶片清洗技術(shù)可能比EUV更重要,這是因?yàn)槠骷目煽啃院妥罱K產(chǎn)品的產(chǎn)量都與晶片的清潔度直接相關(guān),因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶片要經(jīng)過(guò)數(shù)百個(gè)圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟。
2022-07-07 16:24:231643

晶片清洗技術(shù)

的實(shí)驗(yàn)和理論分析來(lái)建立晶片表面清潔技術(shù)。本文解釋了金屬和顆粒雜質(zhì)在硅片表面的粘附機(jī)理,并提出了一些清洗方法。 介紹 LSI(大規(guī)模集成電路)集成密度的增加對(duì)硅片質(zhì)量提出了更高的要求。更高質(zhì)量的晶片意味著晶體精度、成形質(zhì)量和
2022-07-11 15:55:451093

探秘半導(dǎo)體制造中單片式清洗設(shè)備

隨著集成電路制造工藝不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體器件的體積正變得越來(lái)越小,這也導(dǎo)致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導(dǎo)體器件的制造和性能,槽式清洗工藝已經(jīng)不能滿足需求,單片式設(shè)備可以利用很少的藥液達(dá)到槽式工藝不能
2022-08-15 17:01:354228

半導(dǎo)體清洗設(shè)備對(duì)比分析

半導(dǎo)體清洗設(shè)備通過(guò)不斷將各種污染雜質(zhì)控制在工藝要求范圍內(nèi),提高芯片的良率和性能,是芯片良率的重要保障。隨著芯片技術(shù)的不斷提升,清洗設(shè)備的要求也越來(lái)越高。根據(jù)結(jié)構(gòu)清洗設(shè)備可分為單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、批式旋轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備、洗刷器等。
2022-10-24 17:15:284369

功率半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)_半導(dǎo)體功率器件清洗必要性

關(guān)鍵詞導(dǎo)讀:半導(dǎo)體功率電子、功率器件清洗、水基清洗技術(shù) 導(dǎo)讀:目前5G通訊和新能源汽車(chē)正進(jìn)行得如火如荼,而功率器件及半導(dǎo)體芯片正是其核心元器件。如何確保功率器件和半導(dǎo)體芯片的品質(zhì)和高可靠性
2023-02-15 16:29:2011

半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng) 2023-2030分析

半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)-概況 半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備用于去除晶圓表面的顆粒、污染物和其他雜質(zhì)。清潔后的表面有助于提高半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量和性能。市場(chǎng)上有各種類(lèi)型的半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備。一些流行的設(shè)備類(lèi)型包括
2023-08-22 15:08:001345

半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng):行業(yè)分析

半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到129\.1億美元。到 2029 年。晶圓清洗是在不影響半導(dǎo)體表面質(zhì)量的情況下去除顆?;蛭廴疚锏倪^(guò)程。器件表面晶圓上的污染物和顆粒雜質(zhì)對(duì)器件的性能和可靠性有重大影響。本報(bào)告?zhèn)戎赜?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)的不同部分(產(chǎn)品、晶圓尺寸、技術(shù)、操作模式、應(yīng)用和區(qū)域)。
2023-04-03 09:47:511832

臭氧清洗系統(tǒng)的制備及其在硅晶片清洗中的應(yīng)用

半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中,清洗晶圓的技術(shù)的提升是為了制造高質(zhì)量產(chǎn)品。目前已經(jīng)有多種濕法清洗晶圓的技術(shù),如離子水清洗、超聲波清洗、低壓等離子和機(jī)械方法。由于濕法工藝一般需要使用含有有害化學(xué)物質(zhì)的酸和堿溶液,會(huì)產(chǎn)生大量廢水,因此存在廢物處理成本和環(huán)境監(jiān)管等問(wèn)題。
2023-06-02 13:33:211135

半導(dǎo)體清洗除塵,是芯片制造的重要環(huán)節(jié)

早些時(shí)期半導(dǎo)體常使用濕式清洗除塵方法,濕式清洗除塵通常使用超純水或者化學(xué)藥水來(lái)清洗除塵,優(yōu)點(diǎn)就是價(jià)格低廉,缺點(diǎn)是有時(shí)化學(xué)藥水或者超純水會(huì)把產(chǎn)品損害。隨著科技技術(shù)的進(jìn)步,人們對(duì)半導(dǎo)體清洗除塵要求越來(lái)越高,不僅要保證產(chǎn)品的良率達(dá)到一定的標(biāo)準(zhǔn),還需要清洗除塵的程度達(dá)到不錯(cuò)的水平
2023-08-22 10:54:45781

非接觸除塵設(shè)備在半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域的應(yīng)用

今天我們來(lái)聊一下非接觸除塵設(shè)備在半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域的應(yīng)用,說(shuō)起半導(dǎo)體清洗,是指對(duì)晶圓表面進(jìn)行無(wú)損傷清洗,用于去除半導(dǎo)體硅片制造、晶圓制造和封裝測(cè)試每個(gè)步驟中可能產(chǎn)生的雜質(zhì),避免雜質(zhì)影響芯片良率和性能。而非接觸精密除塵設(shè)備可以大幅提升芯片良率,為企業(yè)實(shí)現(xiàn)降本增效的目的。
2023-09-04 18:47:39893

華林科納PFA管在半導(dǎo)體清洗工藝中的卓越應(yīng)用

隨著科技的不斷發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)在全球范圍內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體設(shè)備在制造過(guò)程中需要經(jīng)過(guò)多個(gè)工藝步驟,而每個(gè)步驟都需要使用到各種不同的材料和設(shè)備。其中,華林科納的PFA管在半導(dǎo)體清洗工藝中扮演著
2023-10-16 15:34:34324

半導(dǎo)體清洗設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí).zip

半導(dǎo)體清洗設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)
2023-01-13 09:06:4913

北方華創(chuàng)“半導(dǎo)體晶片處理腔室及半導(dǎo)體處理設(shè)備”專(zhuān)利獲授權(quán)

根據(jù)發(fā)明專(zhuān)利要點(diǎn),該公司提供的一種半導(dǎo)體晶片處理腔室及半導(dǎo)體處理設(shè)備;半導(dǎo)體晶片處理腔室包括腔體、設(shè)置在該腔體內(nèi)可沿豎直方向移動(dòng)的片盒和設(shè)置在腔體內(nèi)的加熱組件,還包括溫度檢測(cè)組件,該溫度檢測(cè)組件的檢測(cè)部為溫度檢測(cè)板
2023-11-15 10:38:31364

PFA閥門(mén)耐高溫耐高壓清洗半導(dǎo)體芯片

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,清洗機(jī)與PFA閥門(mén)扮演著至關(guān)重要的角色。它們是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵設(shè)備,對(duì)于提高產(chǎn)品質(zhì)量、確保生產(chǎn)效率具有舉足輕重的作用。 半導(dǎo)體清洗機(jī)是一種專(zhuān)門(mén)用于清洗半導(dǎo)體的設(shè)備。在半導(dǎo)體
2023-12-26 13:51:35359

半導(dǎo)體清洗工藝介紹

根據(jù)清洗介質(zhì)的不同,目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線
2024-01-12 23:14:231223

保護(hù)半導(dǎo)體晶片的“封裝”—保護(hù)晶片避免氣體或液體侵入

完成打線的半導(dǎo)體晶片,為了防止外界物理性接觸或污染的侵入,需要以包裝或是封裝材料密封。
2024-04-28 14:28:42343

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