半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎(chǔ)，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-04-19 11:22:57
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多年來，半導(dǎo)體晶片鍵合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機或無機粘合材料的晶片鍵合與傳統(tǒng)的晶片鍵合技術(shù)相比具有許多優(yōu)點，例如相對較低的鍵合溫度、沒有電壓或電流、與標(biāo)準(zhǔn)互補金屬氧化物半導(dǎo)體晶片的兼容性
2022-04-26 14:07:043117 
摘要 化學(xué)機械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒，或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸?？紤]
2022-04-27 16:55:061227 
引言 過氧化氫被認為是半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵化學(xué)品。半導(dǎo)體材料的制備和印刷電路板的制造使用過氧化氫水溶液來清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗
2022-07-07 17:16:442763 
等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)
2022-11-15 09:57:312626 在整個晶圓加工過程中，仔細維護清潔的晶圓表面對于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用最重復(fù)的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
本人5年工作經(jīng)驗，主要負責(zé)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品開發(fā)相關(guān)工作，工藝方面對拋光、切割比較精通，使用過NTS/DISCO/HANS等設(shè)備，熟悉設(shè)備參數(shù)設(shè)置，工藝改善等，產(chǎn)品開發(fā)方面熟悉新產(chǎn)品導(dǎo)入流程。目前本人已經(jīng)離職，尋找四川境內(nèi)相關(guān)工作，如有機會請與我聯(lián)系：***，謝謝！
2016-10-12 10:11:16
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯
北京飛特馳科技有限公司對外提供6英寸半導(dǎo)體工藝代工服務(wù)和工藝加工服務(wù)，包括：產(chǎn)品代工、短流程加工、單項工藝加工等
2015-01-07 16:15:47
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
半導(dǎo)體晶片怎么定位？有傳感器可以定位嗎？
2013-06-08 21:18:01
(carrier channel)，影響半導(dǎo)體組件的工作特性。去離子水以電阻率 (resistivity) 來定義好壞，一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格；為此需動用多重離子交換樹脂、RO逆
2011-08-28 11:55:49
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有
2021-09-15 07:24:56
特性進行更精確的分析氬離子拋光機可以實現(xiàn)平面拋光和截面研磨拋光這兩種形式：半導(dǎo)體芯片氬離子截面切割拋光后效果圖： 聚焦離子束FIB切割+SEM分析聚焦離子束FIB測試原理：聚焦離子束(FIB)系統(tǒng)
2024-01-02 17:08:51
water)。一則防止水中粉粒污染晶圓，二則防止水中重金屬離子，如鉀、鈉離子污染金氧半 (MOS) 晶體管結(jié)構(gòu)之帶電載子信道 (carrier channel)，影響半導(dǎo)體組件的工作特性。去離子水以
2012-09-28 14:01:04
(carrier channel)，影響半導(dǎo)體組件的工作特性。去離子水以電阻率 (resistively) 來定義好壞，一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格；為此需動用多重離子交換樹脂、RO逆滲透、與UV
2011-09-23 14:41:42
摘要：介紹了氧化物半導(dǎo)體甲烷氣體敏感元件的工作機理，論述了改善氧化物半導(dǎo)體甲烷氣敏傳感器性能的幾種途徑。采用加入催化劑、控制材料的微細結(jié)構(gòu)、利用新制備工藝和表面修飾等新方法、新技術(shù)可提高氧化物半導(dǎo)體
2018-10-24 14:21:10
我在做一個臭氧發(fā)生器和負離子發(fā)生器，電路圖如左，上面大部分電阻沒標(biāo)功率，請問是1/4W嗎？急急急，313185070@qq.com
2012-08-27 08:22:59
的EBSD試樣首選電解拋光。電解拋光可以非常有效的去除表面的氧化層和應(yīng)力層。不同材質(zhì)電解拋光工藝不同，需要摸索合適的拋光劑，原始的拋光劑可以在文獻和一些工具書中找到，然后需要進行大量的試驗，才能找到
2014-04-17 15:50:10
MACOM科技解決方案控股有限公司(納斯達克證交所代碼: MTSI) (簡稱“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化鎵GaN 合作開發(fā)協(xié)議。據(jù)此協(xié)議，意法半導(dǎo)體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻晶片。除擴大
2018-02-12 15:11:38
一臺松下TK7715電子離子水機，交流工作電壓110V，誤接220V上，初步檢查保險絲斷，交流變壓器可能也有問題了。請問二次變壓電壓是多少？誰有相關(guān)資料提供一下。謝謝。[此貼子已經(jīng)被作者于2009-12-11 11:47:06編輯過]
2009-12-11 11:45:53
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
，但顯然值得更多的關(guān)注用于商業(yè)利用和實施。本文綜述了臭氧化去離子水（DI-O3 水）在硅片表面制備中的應(yīng)用，包括去除有機雜質(zhì)、金屬污染物和顆粒以及光刻膠剝離。 介紹自半導(dǎo)體技術(shù)起源以來，清潔襯底表面在
2021-07-06 09:36:27
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html關(guān)鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
。 濕法腐蝕 SIC：由于其硬度(H=9+)，碳化硅是金屬、金屬部件和半導(dǎo)體晶片最廣泛使用的研磨和拋光磨料之一。然而，這種特性使得在典型的酸或堿溶液中很難蝕刻。在室溫下，碳化硅以單晶的形式不會受到單一
2021-10-14 11:48:31
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：IC制造工藝編號：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學(xué)機械拋光工藝開發(fā)編號：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
下的光電流與三等效反應(yīng)下的半導(dǎo)體氧化有關(guān)，導(dǎo)致表面的溶解和粗糙化。在1.2M的鹽酸溶液中，由于氯氣離子的競爭氧化，n-GaN被穩(wěn)定為陽極分解。在草酸和檸檬酸的存在下，觀察到陽極光電流的增殖。在黑暗
2021-10-13 14:43:35
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
μm 的 3''、4'' 和 6''硅晶片進行了 KOH 和 TMAH 溶液的蝕刻實驗分別是納米制造中心。3''晶片被雙面拋光并在熱氧化層上分別在60/40nm的兩側(cè)具有氮化層以獲得掩模窗口。4 英寸
2021-07-19 11:03:23
BOE 浴清洗 1 分鐘，然后用去離子水沖洗。將 100 nm 厚的聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA) 膜（正性電子束抗蝕劑）以 1500 rpm 的速度旋涂 45 秒，然后在熱板上在 180 ℃下烘烤
2021-07-06 09:33:58
同一硅襯底上并排制造 nMOS 和 pMOS 晶體管。 制造方法概述 制作工藝順序硅制造（詳細內(nèi)容略）晶圓加工（詳細內(nèi)容略）光刻（詳細內(nèi)容略）氧化物生長和去除（詳細內(nèi)容略）擴散和離子注入（詳細內(nèi)容略
2021-07-09 10:26:01
半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負（N）型半導(dǎo)體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片，因為硅
2021-07-23 08:11:27
拋光工藝是指激光切割好鋼片后，對鋼片表面進行毛刺處理的一個工藝。電解拋光處理后的效果要優(yōu)于打磨拋光，因此電解拋光工藝常用于有密腳元件的鋼網(wǎng)上。建議IC引腳中心間距在0.5及以下的（包括BGA）推薦用電解拋光。
2018-09-22 14:02:28
1．一般的混合組裝工藝流程 在半導(dǎo)體后端組裝工廠中，現(xiàn)在有兩種模塊組裝方法。在兩次回流焊工藝中，先在單獨的SMT生產(chǎn)線上組裝SMT 元件，該生產(chǎn)線由絲網(wǎng)印刷機、芯片貼裝機和第一個回流焊爐組成
2018-11-23 16:00:22
1.大學(xué)本科以上學(xué)歷，機械或電氣專業(yè)2.有5年以上在半導(dǎo)體芯片工廠基礎(chǔ)設(shè)施配置及維修經(jīng)驗3.有真空、壓縮空氣、氮氣及去離子水容量計算及設(shè)備選型方面的知識和經(jīng)驗4.氣體管線配置及設(shè)計的知識和經(jīng)驗，有
2012-12-19 22:44:42
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
眾所周知，半導(dǎo)體（IC）芯片是在一顆晶片上，歷經(jīng)數(shù)道及其細微的加工程序制造出來的，而這個過程就叫做工藝流程（Process Flow）。下列我們就來簡單介紹芯片生產(chǎn)工藝流程：芯片工藝流程目錄：一
2016-07-13 11:53:44
問個菜的問題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來個人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
淮安德科碼半導(dǎo)體有限公司圖像感測器晶片CIS專案，由淮安高新區(qū)管委會和區(qū)***招商引資入駐淮安。專案占地總面積350畝，總投資150億元。專案分兩期建設(shè)，一期為12吋晶圓廠，總投資120億元，年產(chǎn)
2016-11-25 14:35:58
半導(dǎo)體致冷晶片在環(huán)境溫度45度時，是否還可以繼續(xù)進行熱冷轉(zhuǎn)換，對工作電源有哪些嚴(yán)格要求？
2017-06-08 17:29:09
water)。一則防止水中粉粒污染晶圓，二則防止水中重金屬離子，如鉀、鈉離子污染金氧半 (MOS) 晶體管結(jié)構(gòu)之帶電載子信道 (carrier channel)，影響半導(dǎo)體組件的工作特性。去離子水以
2020-09-23 14:55:06
工藝流程 半導(dǎo)體純水的工藝大致分成以下幾種： 1、采用離子交換方式，其流程如下：自來水→電動閥→多介質(zhì)過濾器→活性炭過濾器→軟化水器→中間水箱→低壓泵→精密過濾器→陽樹脂床→陰樹脂床→陰陽樹脂混合床
2013-08-12 16:52:42
各位同仁好！我最近在芯片清洗上遇到一個問題，自己沒辦法解決，所以想請教下。一個剛從氮氣包裝袋拿出來的晶圓片經(jīng)過去離子水洗過后，在強光照射下或者顯微鏡下觀察，片子表面出現(xiàn)一些顆粒殘留，無論怎么洗都
2021-10-22 15:31:35
波紋1% -2%強迫風(fēng)冷或者水冷冷卻水質(zhì)：普通自來水即可，推薦去離子水；PH值：7-8，水壓0.1-0.25MP水溫3-33攝氏度負荷運行：滿負荷24小時運行，海拔1000米以上，降容使用。工作環(huán)境：環(huán)境溫度-10~40攝氏度，空氣相對溫度不大于90%`
2013-08-10 10:10:13
效果對比：拋光前：由于是用剪刀剪出來的鋰電池材料極片，所以截面上損傷層太大，根本無法看清鋰電池材料真實的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。拋光后：鋰電池材料極片經(jīng)過氬離子拋光后，截面上損傷層被去除，鋰電池材料真實的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2020-12-16 15:39:08
產(chǎn)品簡介：PMT-2液體激光粒子計數(shù)器去離子水粒子計數(shù)器，采用英國普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對清洗劑、半導(dǎo)體
2023-06-08 15:44:25
雙面拋光已成為硅晶片的主要后續(xù)加工方法，但由于需要嚴(yán)格的加工條件，很難獲得理想的超光滑表面。設(shè)計了硅片雙面拋光加工工藝新路線，并在新研制的雙面拋光機上對硅晶
2010-09-16 15:48:23
0 鋁拋光磨料是一般鋼鐵試樣常用的拋光磨料。但它不宜用于拋光鋁及鋁合金，因為氧化鋁磨料容易使鋁表面晦暗且產(chǎn)生腐蝕坑。蕞后是氧化鉻：等離子拋光機所用的氧化鋁，它的拋光能力是會弱于氧化鋁的，可以用作鋼鐵試樣的最終
2019-02-25 11:44:29576 下面和贏智能等離子拋光設(shè)備生產(chǎn)廠家來和大家聊聊等離子拋光工藝的優(yōu)勢：優(yōu)勢一、為客戶減輕環(huán)保壓力。本公司所使用的拋光溶液非常環(huán)保，其廢液可以直接排放而不會造成污染，也可以稍作處理回收利用。優(yōu)勢二、降低
2019-03-13 15:16:19493 是借助于從單晶硅綻切割出薄的晶片而得到的。在切割之后，對晶片執(zhí)行研磨工序，以便使之具有均勻的厚度。然后對晶片進行腐蝕以清除損傷并得到光滑的表面。常規(guī)半導(dǎo)體晶片成形工藝中的最終步驟是拋光步驟，以便在至少晶片的一個
2020-12-29 14:45:211999 通過對 Si ， CaAs ， Ge 等半導(dǎo)體材料單晶拋光片清洗工藝技術(shù)的研究 ， 分析得出了半導(dǎo)體材料單晶拋光片的清洗關(guān)鍵技術(shù)條件。首先用氧化性溶液將晶片表面氧化 ， 然后用一定的方法將晶片表面
2021-04-08 14:05:3949 在半導(dǎo)體行業(yè)，清潔度是一個絕對的要求。即使是很小的污染物痕跡也會導(dǎo)致晶圓表面區(qū)域結(jié)構(gòu)的改變。自80年代末以來，在芯片生產(chǎn)中采用臭氧的清潔工藝已經(jīng)被使用。隨著修改和新方法的開發(fā)，人們的興趣繼續(xù)增長
2021-09-27 17:40:401303 近年來，在半導(dǎo)體工業(yè)中，逐漸確立了將臭氧運用于晶圓清洗工藝中，這主要是利用了臭氧在水相中氧化有機污染物和金屬污染物的性能。
2021-09-27 17:39:032292 在半導(dǎo)體工業(yè)中， “絕對清潔”的要求擴展到設(shè)備（臭氧發(fā)生器，接觸到的設(shè)備），這意味著不會產(chǎn)生顆粒，沒有金屬，離子或有機污染物。目前德國ANSEROS安索羅斯的臭氧發(fā)生器以及其他的臭氧處理系統(tǒng)已經(jīng)可以“絕對清潔”的要求。
2021-09-27 17:37:09489 很多化學(xué)物質(zhì)氧化后會腐蝕自己但晶圓氧化生成的膜層卻能保護自己“守護”晶圓的氧化工程是什么樣的？解鎖半導(dǎo)體8大工藝第二篇讓芯君來滿足你的好奇心 編輯：jq
2021-05-28 14:26:3710082 氮化鎵晶片的化學(xué)機械拋光工藝綜述
2021-07-02 11:23:3644 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：金屬氧化物半導(dǎo)體的制造 編號：JFKJ-21-207 作者：炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設(shè)計規(guī)則 ? 互補金屬氧化
2023-04-20 11:16:00248 
引言 隨著集成電路結(jié)構(gòu)尺寸的縮小，顆粒對器件成品率的影響變得越來越重要。為了確保高器件產(chǎn)量，在半導(dǎo)體制造過程中，必須在幾個點監(jiān)控和控制晶片表面污染和缺陷。刷子洗滌器是用于實現(xiàn)這種控制的工具之一，并且
2022-01-18 15:55:30449 
摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機蠟?zāi)ず?b class="flag-6" style="color: red">顆粒。僅經(jīng)過商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過200的蠟殘留物。由于臭氧的擴散限制反應(yīng)，代替脫蠟
2022-01-26 16:02:02321 
化學(xué)機械拋光最初用于玻璃和硅片拋光。隨著其功能的增加，化學(xué)機械拋光被引入到平面化層間電介質(zhì)(ILD)、淺溝槽隔離(STI)和用于片上多級互連的鑲嵌金屬布線中。該工藝適用于半導(dǎo)體加工
2022-01-27 11:39:13662 
能抵抗臭氧水和其他濕化學(xué)物質(zhì)的去除。電子自旋共振實驗也在不受嚴(yán)重金屬污染影響的情況下進行了，表明存在羥基自由基，這被認為是由臭氧與微氣泡坍塌時吸附在氣-水界面的氫氧化物離子相互作用形成的。
2022-01-27 15:55:14448 能抵抗臭氧水和其他濕化學(xué)物質(zhì)的去除。電子自旋共振實驗也在不受嚴(yán)重金屬污染影響的情況下進行了，表明存在羥基自由基，這被認為是由臭氧與微氣泡坍塌時吸附在氣-水界面的氫氧化物離子相互作用形成的。
2022-02-11 15:24:33419 
半導(dǎo)體晶片上的粒子沉積是集成電路制造中的一個重要問題。隨著集成電路的特征尺寸接近亞微米的尺寸，晶片上的顆粒沉積是造成產(chǎn)品損失的主要原因。我們開發(fā)了一種用于檢測半導(dǎo)體晶片上顆粒沉積的靈敏方法。該方法
2022-02-22 15:17:09905 
摘要 在許多半導(dǎo)體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導(dǎo)體材料。在半導(dǎo)體器件制造中，各種加工步驟可分為文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。在每一步中，晶片
2022-02-23 17:44:201427 工藝使臭氧成為可能溶于去離子水或純水，無需使用硫酸或二氫氯酸，并顯著減少 RCA 清潔的步驟數(shù)。 實現(xiàn)單晶片濕法清潔的漸進步驟 ? 如果要求是高濃度和高流動性，該技術(shù)可以應(yīng)對未來的挑戰(zhàn) 然而，當(dāng)考慮單晶片應(yīng)用時，可能不需要這樣的靈活性
2022-02-28 14:55:30374 
)和第二槽(138)中；晶片在第二槽(138)中處理后，將晶片從第二槽(138)中取出，文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁使晶片保持濕潤狀態(tài)。在將晶片之一轉(zhuǎn)移到單個晶片清潔模塊150中的夾盤上的同時旋轉(zhuǎn)夾盤，同時將化學(xué)溶液施加到晶片上；將去離子水涂
2022-02-28 14:56:03927 
摘要 研究了泵送方法對晶片清洗的影響。兩種類型的泵，例如隔膜泵和離心泵，用于在濕浴和單晶片工具中循環(huán)和供應(yīng)用于晶片清潔的去離子水。清洗研究表明，泵送方法對清洗性能有很大影響。實驗研究表明，在 MLC
2022-03-02 13:56:46521 
摘要 本文介紹了半導(dǎo)體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評估而制備的受污染測試晶片老化的實驗研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù)，其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中，然后干燥；另一種
2022-03-04 15:03:502588 
介紹了半導(dǎo)體晶片制造設(shè)備濺射機和濺射工藝對晶片碎片的影響，給出了如何減少晶片應(yīng)力以達到少碎片的目的。
2022-03-10 14:45:082 在半導(dǎo)體器件的制造過程中，兆聲波已經(jīng)被廣泛用于從硅晶片上去除污染物顆粒。在這個過程中，平面硅片被浸入水基溶液中，并受到頻率在600千赫-1兆赫范圍內(nèi)的聲能束的作用。聲波通常沿著平行于晶片/流體界面
2022-03-15 11:28:22460 
采用化學(xué)機械拋光(CMP)工藝，在半導(dǎo)體工業(yè)中已被廣泛接受氧化物電介質(zhì)和金屬層平面化。使用它以確保多層芯片之間的互連是實現(xiàn)了介質(zhì)材料的可靠和厚度是一致且充分的。在CMP過程中，晶圓是當(dāng)被載體
2022-03-23 14:17:511643 
本研究利用臭氧去離子水（DIO3）開發(fā)了擁有成本低的新型清洗工藝(氧化亞鈷），臭氧濃度為40ppm，用于去除有機蠟?zāi)ず?b class="flag-6" style="color: red">顆粒，僅經(jīng)過商業(yè)除蠟處理后，蠟渣仍超過200A。
2022-03-24 14:54:45329 
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎(chǔ)，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-03-24 16:02:56733 
面損傷有負面影響。近年來，它已被修改為加入更稀的溶液，以減少由氫氧化銨引起的表面微觀粗糙度。在本文中，提出了一種新思路，即使用去離子水快速傾倒沖洗 (QDR) 模式從對話設(shè)置轉(zhuǎn)變?yōu)楦倪M模式。使用 DIW 進行修改的修改配方可以在加工過程中完全去除顆粒。
2022-03-30 14:29:42311 
在許多半導(dǎo)體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導(dǎo)體材料。 在半導(dǎo)體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是開發(fā)半導(dǎo)體電子器件的首要和基本步驟。 清洗過程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學(xué)物質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。
2022-04-01 14:25:332949 
過程的內(nèi)在能力和局限性。已經(jīng)確定了三種顆粒去除過程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過程，甚至來自圖案晶片，具有相同理論能力但實際上受到粒子可及性的限制，最后是無法去除所有顆粒尺寸的清洗。 通過計算施加給細顆粒的
2022-04-08 17:22:531231 
能力和局限性。已經(jīng)確定了三種顆粒去除過程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過程，甚至來自圖案晶片，具有相同理論能力但實際上受到粒子可及性的限制，最后是無法去除所有顆粒尺寸的清洗。
2022-04-11 16:48:42520 
通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟；將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟；和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:43783 
本發(fā)明涉及一種感光膜去除方法，通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟； 將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟； 和RCA清洗步驟。
2022-04-12 16:30:26356 
硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對所有種類的硅晶片進行蝕刻預(yù)處理，特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:46852 
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細地說，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過程中進行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:42872 
本研究利用臭氧去離子水（DIO3）開發(fā)了擁有低成本的新型清洗工藝(氧化亞鈷），臭氧濃度為40ppm，用于去除有機蠟?zāi)ず?b class="flag-6" style="color: red">顆粒，僅經(jīng)過商業(yè)除蠟處理后，蠟渣仍超過200A。 DIO3代替脫蠟劑在8000a
2022-05-05 16:38:33834 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測量，確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率，通過
2022-05-06 15:50:39366 
化學(xué)機械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒，或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸?？紤]了直徑
2022-05-07 15:48:381575 
摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機蠟?zāi)ず?b class="flag-6" style="color: red">顆粒。僅經(jīng)過商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過200的蠟殘留物。由于臭氧的擴散限制反應(yīng)，代替脫蠟
2022-05-07 15:49:26920 
引言 我們?nèi)A林科納描述了一種與去離子水中銅的蝕刻相關(guān)的新的成品率損失機制。在預(yù)金屬化濕法清洗過程中，含有高濃度溶解氧的水會蝕刻通孔底部的銅。蝕刻在金屬化后殘留的Cu中產(chǎn)生空隙，導(dǎo)致受影響的陣列電路
2022-06-16 16:51:101809 
在半導(dǎo)體和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度變薄，以及拋光以使表面成為鏡面。在半導(dǎo)體器件的制造中，半導(dǎo)體制造
工藝包括:（1）從晶體生長開始切割和拋光硅等，并將其加工成晶片形狀的工藝（晶片制造
2023-02-20 16:13:411 半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過了。而往往身為使用者的我們都不太會去關(guān)注它成品之前的過程，接下來我們就聊聊其工藝流程。今天我們來聊聊如何從原材料到拋光晶片的那些事兒。
2023-04-14 14:37:502035 
本文涉及一種用于制造半導(dǎo)體元件的滴氣室及利用其的滴氣工藝；晶片內(nèi)側(cè)加載的腔室，安裝在艙內(nèi)側(cè)，包括通過加熱晶片激活晶片上殘存雜質(zhì)的加熱手段、通過將晶片上激活的雜質(zhì)吸入真空以使晶片上激活的雜質(zhì)排出外部的真空吸入部、以及通過向通過加熱手段加熱的艙提供氫氣以去除晶片上金屬氧化膜的氫氣供給部
2023-04-23 10:22:02337 
使用化學(xué)機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
在半導(dǎo)體和太陽能電池制造過程中，清洗晶圓的技術(shù)的提升是為了制造高質(zhì)量產(chǎn)品。目前已經(jīng)有多種濕法清洗晶圓的技術(shù)，如離子水清洗、超聲波清洗、低壓等離子和機械方法。由于濕法工藝一般需要使用含有有害化學(xué)物質(zhì)的酸和堿溶液，會產(chǎn)生大量廢水，因此存在廢物處理成本和環(huán)境監(jiān)管等問題。
2023-06-02 13:33:211021 
隨著半導(dǎo)體科技的發(fā)展，在固態(tài)微電子器件制造中，人們對清潔基底表面越來越重視。濕法清洗一般使用無機酸、堿和氧化劑，以達到去除光阻劑、顆粒、輕有機物、金屬污染物以及硅片表面上的天然氧化物的目的。然而，隨著硅電路和器件結(jié)構(gòu)規(guī)模的不斷減小，英思特仍在專注于探索有效可靠的清潔方法以實現(xiàn)更好的清潔晶圓表面。
2023-06-05 17:18:50437 
根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。
2023-06-27 14:34:383731 
臭氧-去離子水 (O3 -DI) 工藝可以集成到臭氧 (O3) 具有工藝優(yōu)勢的各種水性應(yīng)用中。 溶解在水中的臭氧也可用作 HCl 過氧化物混合物中過氧化氫的替代品，從而降低所用化學(xué)品的成本，同時
2023-07-07 17:25:07163 超純水是經(jīng)過深度純化的水，除去水中所有礦物質(zhì)、顆粒、細菌、微生物和溶解的氣體。在芯片制造中也被稱為去離子水（DI Water），但實際上超純水和去離子水的標(biāo)準(zhǔn)并不完全相同，超純水是具有更高純度標(biāo)準(zhǔn)的去離子水。
2023-08-02 15:01:46801 [半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34541 
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