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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>關(guān)于臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒的研究報(bào)告

關(guān)于臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒的研究報(bào)告

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氧化碳雪清洗技術(shù)在芯片制造中的關(guān)鍵突破

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怎么清洗焊接后的PCBA線路板電路板

清洗步驟: 1. 準(zhǔn)備清洗設(shè)備:根據(jù)PCB的大小和清洗要求選擇合適的清洗設(shè)備。選擇適合的清洗設(shè)備,如PCBA噴淋清洗機(jī)PBT 800P等。 PBT 800P 線路板助焊劑清洗機(jī) 2. 選擇清洗劑:根據(jù)PCB上使用的焊膏類型和清洗要求選擇合適的清洗劑。常用的清洗劑包括去離子水、水基清洗劑等。
2024-02-27 11:04:26141

颯特紅外推出紅外熱成像VOCs氣體泄漏檢測(cè)新方案

最新的科學(xué)研究發(fā)現(xiàn),VOCs是如今空氣污染中最主要的物質(zhì)——可吸入顆粒物PM2.5和臭氧O3的前體物,也是造成霧霾天氣和臭氧污染的重要元兇。
2024-02-26 10:49:30900

混合動(dòng)力汽車研究:電動(dòng)化計(jì)劃推遲 PHEV&增程式占比將抬升至40%

佐思汽研發(fā)布《2023-2024年全球和中國(guó)混合動(dòng)力汽車研究報(bào)告》。
2024-01-25 13:54:501270

碳化硅晶片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究

為實(shí)現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光,提高碳化硅拋光的成品率,降低加工成本,對(duì)現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光 技術(shù)進(jìn)行了總結(jié)和研究。針對(duì)碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微觀晶格結(jié)構(gòu)特點(diǎn),簡(jiǎn)述了化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)對(duì)碳化硅
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半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)

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半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)分析

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SK海力士研發(fā)可重復(fù)使用CMP拋光墊技術(shù),降低成本并加強(qiáng)ESG管理

CMP技術(shù)指的是在化學(xué)和機(jī)械的協(xié)同作用下,使得待拋光原料表面達(dá)到指定平面度的過(guò)程?;瘜W(xué)藥水與原料接觸后,生成易于拋光的軟化層,隨后利用拋光墊以及研磨顆粒進(jìn)行物理機(jī)械拋光,以清除軟化層。
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SK海力士研發(fā)可重復(fù)使用CMP拋光墊技術(shù)

需要指出的是,CMP 技術(shù)通過(guò)化學(xué)與機(jī)械作用使得待拋光材料表面達(dá)到所需平滑程度。其中,拋光液中化學(xué)物質(zhì)與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成易于拋光的軟化層。拋光墊和研磨顆粒則負(fù)責(zé)物理機(jī)械拋光,清除這一軟化層。
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一圖讀懂《分布式融合存儲(chǔ)研究報(bào)告(2023)》

轉(zhuǎn)自:存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 2023年11月30日, 存 儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院聯(lián)合發(fā)布《分布式融合存儲(chǔ)研究報(bào)告(2023)》,詳細(xì)闡釋分布式融合存儲(chǔ)概念和技術(shù)要求
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微型發(fā)光二極管(MicroLED)技術(shù)普及研究報(bào)告

這份報(bào)告由業(yè)內(nèi)知名研究機(jī)構(gòu)——MicroLED產(chǎn)業(yè)聯(lián)合會(huì)公布。事實(shí)上,早在2000年,業(yè)界便開(kāi)始關(guān)注MicroLED技術(shù)。該技術(shù)以其出色的亮度、豐富的色彩展現(xiàn)力以及超長(zhǎng)的使用壽命引起了轟動(dòng)。
2023-12-20 14:35:07333

6G總體愿景、技術(shù)趨勢(shì)、網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)研究報(bào)告

世界各國(guó)不僅把6G作為構(gòu)筑未來(lái)數(shù)字經(jīng)濟(jì)與社會(huì)發(fā)展的重要基石,也將其視為國(guó)家間前沿科技競(jìng)爭(zhēng)的制高點(diǎn)。全球主要國(guó)家的多。個(gè)研究機(jī)構(gòu)和聯(lián)盟組織相繼發(fā)布了6G總體愿景、技術(shù)趨勢(shì)、網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)等方面的白皮書(shū)和研究報(bào)告,陳述各國(guó)發(fā)展6G的宏偉愿景與技術(shù)思考。
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CMP拋光墊有哪些重要指標(biāo)?

CMP(Chemical Mechanical Polishing)即“化學(xué)機(jī)械拋光”,是為了克服化學(xué)拋光和機(jī)械拋光的缺點(diǎn)
2023-12-05 09:35:19416

基于瑞薩RA6M4單片機(jī)的智能臭氧消毒系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本項(xiàng)目由RA6M4單片機(jī)作為主控,搭載藍(lán)牙通訊模塊、人體雷達(dá)傳感器、狀態(tài)指示lamp、繼電器模塊、臭氧發(fā)生器模組而成。該項(xiàng)目通過(guò)手機(jī)控制臭氧產(chǎn)生與關(guān)閉,在檢測(cè)到人體運(yùn)動(dòng)存在能夠停止臭氧的產(chǎn)生,避免
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離子電池研究現(xiàn)狀

電池技術(shù),其研究背景主要源于對(duì)鋰離子電池的改進(jìn)和發(fā)展需求。鋰離子電池作為目前廣泛應(yīng)用于移動(dòng)電子設(shè)備和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的主流電池技術(shù),具有高能量密度和長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn)。然而,鋰資源有限且分布不均,導(dǎo)致鋰離子
2023-12-03 16:08:27906

極限測(cè)試10個(gè)月后,OLED燒屏報(bào)告正式發(fā)布

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)近日,專業(yè)評(píng)測(cè)機(jī)構(gòu) RTINGS.com發(fā)布了關(guān)于 OLED 屏幕燒屏的相關(guān)研究報(bào)告。報(bào)告發(fā)布之前,該機(jī)構(gòu)對(duì)所有測(cè)試的OLED面板,進(jìn)行了長(zhǎng)達(dá)10個(gè)月的極限測(cè)試。最終
2023-12-01 00:16:001879

業(yè)界首個(gè)《分布式融合存儲(chǔ)研究報(bào)告》發(fā)布,探索智算時(shí)代新存儲(chǔ)底座

存儲(chǔ)研究報(bào)告》(以下簡(jiǎn)稱:《報(bào)告》)正式發(fā)布?!?b class="flag-6" style="color: red">報(bào)告》首次系統(tǒng)梳理并深入分析了分布式融合存儲(chǔ)的概念、技術(shù)架構(gòu)和應(yīng)用場(chǎng)景,為融合存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供參考和指引。 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院領(lǐng)導(dǎo)表示,“數(shù)據(jù)成為重要的生產(chǎn)要素,數(shù)據(jù)
2023-11-30 16:25:01172

芯秦微獲A+輪融資,用于化學(xué)機(jī)械拋光液產(chǎn)線建設(shè)

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是目前最主流的晶圓拋光技術(shù),拋光過(guò)程中,晶圓廠會(huì)根據(jù)每一步晶圓芯片平坦度的加工要求,選擇符合去除率(MRR)和表面粗糙度(Ra)等指標(biāo)要求的拋光液,來(lái)提高拋光效率和產(chǎn)品良率。
2023-11-16 16:16:35212

工業(yè)控制系統(tǒng)及其安全性研究報(bào)告

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2023-11-16 14:29:130

用于研究單個(gè)納米顆粒表面的顯微光譜

背景 András Deák博士的研究重點(diǎn)是了解分子如何相互作用并附著在納米顆粒表面背后的物理學(xué)。許多應(yīng)用依賴于以預(yù)定方式附著在納米顆粒表面的引入分子。然而,如果納米顆粒已經(jīng)有分子附著在其表面,則不
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2023年中國(guó)家用智能照明行業(yè)研究報(bào)告

艾瑞咨詢:2023年中國(guó)家用智能照明行業(yè)研究報(bào)告
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一種用醋酸刻蝕氧化銅的新方法

英思特研究了在低溫下用乙酸去除氧化銅。乙酸去除各種氧化銅,包括氧化亞銅、氧化銅和氫氧化銅,而不會(huì)侵蝕下面的銅膜。
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通過(guò)檢測(cè)金剛石線鋸硅片表面顆粒負(fù)荷來(lái)評(píng)價(jià)清洗工藝的新方法

高效硅太陽(yáng)能電池的加工在很大程度上取決于高幾何質(zhì)量和較低污染的硅晶片的可用性。在晶圓加工結(jié)束時(shí),有必要去除晶圓表面的潛在污染物,例如有機(jī)物、金屬和顆粒。當(dāng)前的工業(yè)晶圓加工過(guò)程包括兩個(gè)清潔步驟。第一個(gè)
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CPLD在臭氧電源中的應(yīng)用

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《零信任發(fā)展研究報(bào)告(2023年)》發(fā)布丨零信任蓬勃發(fā)展,多場(chǎng)景加速落地

近日,中國(guó)信息通信研究院在“2023 SecGo云和軟件安全大會(huì)”上發(fā)布了 《零信任發(fā)展研究報(bào)告(2023年)》 (以下簡(jiǎn)稱“報(bào)告”),全面介紹了在數(shù)字化轉(zhuǎn)型深化背景下,零信任如何解決企業(yè)面臨的安全
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切割工藝參數(shù)對(duì)6英寸N型碳化硅晶片的影響

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紫外線TOC純水處理技術(shù)助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“芯”發(fā)展

超純水是經(jīng)過(guò)深度純化的水,除去水中所有礦物質(zhì)、顆粒、細(xì)菌、微生物和溶解的氣體。在芯片制造中也被稱為去離子水(DI Water),但實(shí)際上超純水和去離子水的標(biāo)準(zhǔn)并不完全相同,超純水是具有更高純度標(biāo)準(zhǔn)的去離子水。
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2023年汽車車內(nèi)通信及網(wǎng)絡(luò)接口芯片行業(yè)研究報(bào)告

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預(yù)登記展會(huì)領(lǐng)取門票還可以獲得由AIoT星圖研究院出品2023行業(yè)報(bào)告之《蜂窩物聯(lián)網(wǎng)系列之LTE Cat.1市場(chǎng)跟蹤調(diào)研報(bào)告》、《中國(guó)光伏物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告》、《2023中國(guó)智慧工地行業(yè)市場(chǎng)研究報(bào)告
2023-07-31 11:14:32525

微弧氧化電源_單脈沖陽(yáng)極氧化電源_雙脈沖陽(yáng)極氧化電源

行業(yè)簡(jiǎn)介:微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽(yáng)極火花沉積(ASD)或火花放電陽(yáng)極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是:在普通
2023-07-21 16:01:32

微弧氧化脈沖電源

行業(yè)簡(jiǎn)介:微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽(yáng)極火花沉積(ASD)或火花放電陽(yáng)極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是:在普通
2023-07-21 13:09:52

雙極性(雙脈沖微弧氧化)正度脈沖電源

行業(yè)簡(jiǎn)介:微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽(yáng)極火花沉積(ASD)或火花放電陽(yáng)極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是:在普通
2023-07-19 17:09:05

出于意料!電化學(xué)拋光過(guò)程出現(xiàn)馬氏體相變

電化學(xué)拋光(EP)通過(guò)選擇性地去除工件表面區(qū)域中的特定零件(如粗糙度和氧化物)形成鏡面狀表面。
2023-07-18 17:24:43550

研究報(bào)告丨容、感、阻被動(dòng)元器件市場(chǎng)報(bào)告

自己的模板 研究 報(bào)告《 容、感、阻被動(dòng)元器件市場(chǎng)報(bào)告》,如需領(lǐng)取報(bào)告,請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ? 元器件? 即可領(lǐng)??! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交流 ,請(qǐng)?zhí)砑?/div>
2023-07-17 17:15:04246

國(guó)內(nèi)無(wú)線頻譜分析:電磁波及無(wú)線電波段劃分

前不久,國(guó)家無(wú)線電監(jiān)測(cè)中心與全球移動(dòng)通信系統(tǒng)協(xié)會(huì)(GSMA)共同發(fā)布了關(guān)于未來(lái)寬帶移動(dòng)通信與頻譜高效利用的合作研究報(bào)告
2023-07-17 09:56:00976

智能監(jiān)控離子風(fēng)機(jī)和風(fēng)棒的應(yīng)用

傳感器檢測(cè)室內(nèi)空氣的質(zhì)量,并實(shí)時(shí)監(jiān)控室內(nèi)空氣的污染程度和質(zhì)量指標(biāo),如顆粒物濃度、VOC含量等。 2. 空氣凈化:利用離子發(fā)生器產(chǎn)生的負(fù)離子吸附并去除空氣中的有害物質(zhì),例如灰塵、花粉、細(xì)菌等,提供潔凈的室內(nèi)空氣環(huán)境。 3. 溫度調(diào)
2023-07-14 10:11:17287

微弧氧化電源_單脈沖陽(yáng)極氧化電源_雙脈沖陽(yáng)極氧化電源

行業(yè)簡(jiǎn)介:微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽(yáng)極火花沉積(ASD)或火花放電陽(yáng)極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是:在普通
2023-07-11 14:28:29

離子體微弧氧化雙向脈沖電源穩(wěn)流穩(wěn)壓

行業(yè)簡(jiǎn)介:微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽(yáng)極火花沉積(ASD)或火花放電陽(yáng)極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是:在普通
2023-07-11 14:27:42

750V微弧氧化電源,高壓脈沖電源,脈沖氧化電源設(shè)備

行業(yè)簡(jiǎn)介:微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽(yáng)極火花沉積(ASD)或火花放電陽(yáng)極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是:在普通
2023-07-11 12:18:07

鈦鎂合金微弧氧化電源設(shè)備,雙脈沖微弧氧化電源

行業(yè)簡(jiǎn)介:微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽(yáng)極火花沉積(ASD)或火花放電陽(yáng)極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是:在普通
2023-07-11 12:17:17

微弧氧化脈沖電源,雙向脈沖電源,雙極性脈沖氧化電源設(shè)備

行業(yè)簡(jiǎn)介:微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽(yáng)極火花沉積(ASD)或火花放電陽(yáng)極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是:在普通
2023-07-11 12:15:57

什么是臭氧去離子水工藝

臭氧-去離子水 (O3 -DI) 工藝可以集成到臭氧 (O3) 具有工藝優(yōu)勢(shì)的各種水性應(yīng)用中。 溶解在水中的臭氧也可用作 HCl 過(guò)氧化物混合物中過(guò)氧化氫的替代品,從而降低所用化學(xué)品的成本,同時(shí)
2023-07-07 17:25:07162

斑馬技術(shù)發(fā)布2023年汽車生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報(bào)告

年7月6日 作為致力于助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進(jìn)數(shù)字解決方案提供商,斑馬技術(shù)公司(納斯達(dá)克股票代碼:ZBRA)今日發(fā)布2023年《汽車生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報(bào)告》。報(bào)告結(jié)果表明,汽車制造商正面對(duì)著來(lái)自各方面的壓力,他們需要滿足消費(fèi)者對(duì)整體制造過(guò)
2023-07-07 16:07:24321

氧化鋁導(dǎo)電性能如何 檢測(cè)氧化鋁最簡(jiǎn)單的方法

氧化鋁本身具有較低的導(dǎo)電性能。純凈的氧化鋁是一種絕緣材料,不具備良好的電導(dǎo)性。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氧化鋁在晶體結(jié)構(gòu)中具有高度的離子性,其結(jié)構(gòu)中的氧離子和鋁離子之間形成了穩(wěn)定的離子鍵,使得電子難以自由傳導(dǎo)。
2023-07-05 16:33:292025

單極性微弧氧化脈沖電源

行業(yè)簡(jiǎn)介:     微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽(yáng)極火花沉積(ASD)或火花放電陽(yáng)極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化
2023-07-03 18:22:50

研究報(bào)告丨虛擬人產(chǎn)業(yè)鏈及市場(chǎng)前景報(bào)告

自己的模板 研究 報(bào)告《 虛擬人產(chǎn)業(yè)鏈及市場(chǎng)前景報(bào)告》,如需領(lǐng)取報(bào)告,請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ? 虛擬人? 即可領(lǐng)??! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交流 ,請(qǐng)?zhí)砑?/div>
2023-07-03 17:25:02283

漲知識(shí)!半導(dǎo)體材料的分類

根據(jù)制造工藝分類,半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過(guò)切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)形成外延片,拋光片經(jīng)過(guò)氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。
2023-06-27 14:34:383725

鋁等離子體蝕刻率的限制

都使用Cl基蝕刻化學(xué)物質(zhì)。當(dāng)在等離子體放電中分解時(shí),CCl為還原物質(zhì)提供了來(lái)源,并用于去除表面氧化物和Cl,與下面的Al反應(yīng)。
2023-06-27 13:24:11318

臭氧檢測(cè)儀的原理與應(yīng)用

一、臭氧檢測(cè)儀的工作原理 臭氧檢測(cè)儀主要是通過(guò)檢測(cè)空氣中的臭氧濃度,以評(píng)估環(huán)境中的臭氧污染程度。根據(jù)檢測(cè)原理的不同,臭氧檢測(cè)儀可分為幾種類型,如紫外吸收法、化學(xué)發(fā)光法和電化學(xué)法等。其中,紫外吸收
2023-06-26 16:48:24547

油液顆粒計(jì)數(shù)器檢測(cè)報(bào)告中的微分和積分分別對(duì)應(yīng)哪個(gè)標(biāo)準(zhǔn)

綜上所述,油液顆粒計(jì)數(shù)器檢測(cè)報(bào)告中的微分和積分分別對(duì)應(yīng)了NAS1638和ISO4406標(biāo)準(zhǔn)的不同方面,微分對(duì)應(yīng)了污染等級(jí),而積分對(duì)應(yīng)了顆粒濃度等級(jí)。
2023-06-25 16:10:13307

一系列芳香族小分子鋅離子電池電解液添加劑的應(yīng)用研究

金屬鋅作為鋅離子電池研究的圣杯陽(yáng)極,具有理論比容量高(820 mAh g?1)和Zn/Zn2+ (-0.76 V vs標(biāo)準(zhǔn)氫電極)氧化還原電位低的優(yōu)點(diǎn)。
2023-06-14 17:21:28853

清華大學(xué)AIGC發(fā)展研究報(bào)告1.0版震撼發(fā)布!192頁(yè)P(yáng)PT

研究報(bào)告1.0版》,總計(jì)192頁(yè),分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評(píng)測(cè)篇、職業(yè)篇、風(fēng)險(xiǎn)篇、哲理篇、未來(lái)篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個(gè)篇章,對(duì)AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)進(jìn)行了詳盡研究和分析
2023-06-09 10:32:36550

上海和晟 HS-CY-225 臭氧老化試驗(yàn)箱

產(chǎn)品用途:本系列試驗(yàn)箱由臭氧發(fā)生器產(chǎn)生高濃度的臭氧,模擬臭氧環(huán)境, 由電加熱絲加熱模擬自然界溫度, 由電加熱管加熱 純凈水模擬大自然濕度,主要適用于非金屬材料,有機(jī)材料 (涂料、橡膠、塑料、油漆
2023-06-08 17:13:00

擦拭布液體顆粒計(jì)數(shù)器

棉簽濕態(tài)發(fā)塵量、擦拭材料、防靜電無(wú)塵布、潔凈室擦拭布、清潔擦拭布、清洗劑、半導(dǎo)體、超純水、電子產(chǎn)品、平板玻璃、硅晶片等產(chǎn)品的在線或離線顆粒監(jiān)測(cè)和分析,目前是英國(guó)普洛
2023-06-08 15:56:10

清洗劑液體顆粒計(jì)數(shù)器

、硅晶片等產(chǎn)品的在線或離線顆粒監(jiān)測(cè)和分析,目前是英國(guó)普洛帝分析測(cè)試集團(tuán)向水質(zhì)領(lǐng)域及微納米檢測(cè)領(lǐng)域的重要產(chǎn)品。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):應(yīng)用:創(chuàng)新性油水雙系型、多用途、多模塊條件;
2023-06-08 15:50:31

液體激光粒子計(jì)數(shù)器去離子水粒子計(jì)數(shù)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介:PMT-2液體激光粒子計(jì)數(shù)器去離子水粒子計(jì)數(shù)器,采用英國(guó)普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)傳感器,雙精準(zhǔn)流量控制-精密計(jì)量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng),可以對(duì)清洗劑、半導(dǎo)體
2023-06-08 15:44:25

清華北大等《Nature Commun》:迄今為止最抗結(jié)垢的材料!

然而,關(guān)于電荷和表面疏水性的影響的研究結(jié)果并不一致。例如,一些研究發(fā)現(xiàn)表面電荷通過(guò)靜電相互作用或與礦物離子的絡(luò)合反應(yīng)影響非均相成核,而另一些研究報(bào)告了不同電荷表面的成核速率相似。
2023-06-07 16:22:05206

針對(duì)去離子水晶片表面處理的應(yīng)用的研究

隨著半導(dǎo)體科技的發(fā)展,在固態(tài)微電子器件制造中,人們對(duì)清潔基底表面越來(lái)越重視。濕法清洗一般使用無(wú)機(jī)酸、堿和氧化劑,以達(dá)到去除光阻劑、顆粒、輕有機(jī)物、金屬污染物以及硅片表面上的天然氧化物的目的。然而,隨著硅電路和器件結(jié)構(gòu)規(guī)模的不斷減小,英思特仍在專注于探索有效可靠的清潔方法以實(shí)現(xiàn)更好的清潔晶圓表面。
2023-06-05 17:18:50437

晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597

清華大學(xué)AIGC發(fā)展研究報(bào)告1.0版震撼發(fā)布!192頁(yè)P(yáng)PT

發(fā)展研究報(bào)告1.0版》,總計(jì)192頁(yè),分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評(píng)測(cè)篇、職業(yè)篇、風(fēng)險(xiǎn)篇、哲理篇、未來(lái)篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個(gè)篇章,對(duì)AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)進(jìn)行了詳盡研究和分析。 以下為報(bào)告內(nèi)容 受篇幅限制,以上僅為部分報(bào)告預(yù)覽 后臺(tái)回復(fù)【 AIG
2023-06-04 16:15:01503

藍(lán)寶石在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中的材料去除機(jī)理

在化學(xué)腐蝕點(diǎn)處的濃度越高,腐蝕速率越快。在拋光過(guò)程中拋光液持續(xù)流動(dòng),我們假設(shè)在腐蝕點(diǎn)處的濃度可以保持初始時(shí)的濃度,腐蝕率以最快的速度發(fā)生,則拋光液不同的PH值對(duì)應(yīng)一個(gè)腐蝕率,由此可見(jiàn),去除速率與PH值有關(guān),PH越高,速率越快。
2023-06-02 15:24:06347

臭氧清洗系統(tǒng)的制備及其在硅晶片清洗中的應(yīng)用

在半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中,清洗晶圓的技術(shù)的提升是為了制造高質(zhì)量產(chǎn)品。目前已經(jīng)有多種濕法清洗晶圓的技術(shù),如離子水清洗、超聲波清洗、低壓等離子和機(jī)械方法。由于濕法工藝一般需要使用含有有害化學(xué)物質(zhì)的酸和堿溶液,會(huì)產(chǎn)生大量廢水,因此存在廢物處理成本和環(huán)境監(jiān)管等問(wèn)題。
2023-06-02 13:33:211020

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn),探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響,并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片
2023-05-31 10:30:062215

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過(guò)去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻,這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀(KOH)為蝕刻劑,研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過(guò)程,測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率,用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù),提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

PCBA線路板清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)、功能和清洗方式

全自動(dòng)水清洗機(jī)工作方式:配比后的清洗液通過(guò)清洗腔內(nèi)噴嘴以一定的壓力和流量噴射在待洗的PCBA上,以軟化和沖刷PCBA表面的松香等助焊劑殘留液,然后通過(guò)去離子水對(duì)PCBA漂洗,最后對(duì)PCBA沖洗去除
2023-05-25 11:48:341460

KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用

上海伯東代理美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對(duì)基材表面有機(jī)物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等!
2023-05-25 10:10:31378

綜述:二維材料Bi?O?Se的制備與光學(xué)表征研究進(jìn)展

在厚度上分布更為均勻。當(dāng)在溶液1中使用4種不同溶劑:去離子水(DI)、加HNO?的DI、加甘露醇的DI以及加乙二醇的DI
2023-05-22 15:28:59474

北京林業(yè)大學(xué):研究多功能MXene導(dǎo)電兩性離子水凝膠應(yīng)用于柔性可穿戴傳感器陣列

傳感新品 【北京林業(yè)大學(xué):研究多功能MXene導(dǎo)電兩性離子水凝膠應(yīng)用于柔性可穿戴傳感器陣列】 近年來(lái),受人類皮膚的啟發(fā),具有可拉伸性、導(dǎo)電性、靈活性和觸覺(jué)感應(yīng)能力的柔性電子傳感器因其在電子皮膚
2023-05-19 08:45:11751

晶片的酸基蝕刻:傳質(zhì)和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

拋光晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(晶片),然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過(guò)程,包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584

開(kāi)關(guān)電源如何去除mos管開(kāi)通時(shí)采樣電阻的紋波?

開(kāi)關(guān)電源如何去除mos管開(kāi)通時(shí)采樣電阻的紋波?
2023-05-09 14:53:06

功率放大器在磁性微納米顆粒微流體操控研究中的應(yīng)用

實(shí)驗(yàn)名稱: 功率放大器在磁性微納米顆粒微流體操控研究中的應(yīng)用 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容: 設(shè)計(jì)一套精準(zhǔn)的磁場(chǎng)操控平臺(tái),并制備兩種不同類型磁性顆粒;研究了均勻型磁性顆粒在磁場(chǎng)下的成鏈的機(jī)理,給出成鏈模型,通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究
2023-05-08 11:35:01265

如何讓自動(dòng)拋光設(shè)備達(dá)到理想的拋光效果

一、自動(dòng)拋光機(jī)的拋光效果因素自動(dòng)拋光機(jī)的拋光效果取決于多個(gè)因素,除了自動(dòng)拋光機(jī)本身的質(zhì)量以外,還包括使用工藝、選用什么樣的拋光輔料,要拋光物件材質(zhì),操作者的經(jīng)驗(yàn)技術(shù)等,在條件都合適的情況下,自動(dòng)
2023-05-05 09:57:03535

顆粒人造石墨負(fù)極的制備及性能研究

這一問(wèn)題,從表面形貌、粒度分布、首次庫(kù)倫效率和充放電比容量、循環(huán)測(cè)試幾個(gè)方面,對(duì)單顆粒人造石墨的顆粒大小對(duì)儲(chǔ)能特性的影響進(jìn)行研究,所得研究成果具有一定的理論和實(shí)踐價(jià)值。
2023-04-23 14:31:001506

用于制造半導(dǎo)體晶體的脫氣室和使用其的脫氣工藝

本文涉及一種用于制造半導(dǎo)體元件的滴氣室及利用其的滴氣工藝;晶片內(nèi)側(cè)加載的腔室,安裝在艙內(nèi)側(cè),包括通過(guò)加熱晶片激活晶片上殘存雜質(zhì)的加熱手段、通過(guò)將晶片上激活的雜質(zhì)吸入真空以使晶片上激活的雜質(zhì)排出外部的真空吸入部、以及通過(guò)向通過(guò)加熱手段加熱的艙提供氫氣以去除晶片上金屬氧化膜的氫氣供給部
2023-04-23 10:22:02337

PCB熱設(shè)計(jì)之x和z間隙對(duì)Tj的影響

不可避免地影響安裝在PCB的MOSFET器件的溫度?! 榱?b class="flag-6" style="color: red">研究PCB周圍空氣間隙的影響,我們重新操作了之前的模型,但是這次的x和z間隙分別為5mm和10mm。參見(jiàn)圖8所示?! D8:PCB板周圍的間隙
2023-04-21 15:00:28

從半導(dǎo)體原材料到拋光晶片的基本工藝流程

 半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過(guò)了。而往往身為使用者的我們都不太會(huì)去關(guān)注它成品之前的過(guò)程,接下來(lái)我們就聊聊其工藝流程。今天我們來(lái)聊聊如何從原材料到拋光晶片的那些事兒。
2023-04-14 14:37:502034

通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)關(guān)實(shí)現(xiàn)拋光設(shè)備數(shù)據(jù)采集遠(yuǎn)程監(jiān)控

拋光工作在電鍍、涂裝、陽(yáng)極氧化等表面處理過(guò)程中發(fā)揮重要作用。早期的拋光工作由工人手動(dòng)操作,通過(guò)經(jīng)驗(yàn)和觀察進(jìn)行打磨拋光。此種作業(yè)方式既損害環(huán)境和身體健康,也具備較大的安全風(fēng)險(xiǎn)和人力成本,逐漸被自動(dòng)拋光
2023-04-14 10:21:59338

超精密拋光技術(shù),不簡(jiǎn)單!

是世界上最圓的球了。我們通過(guò)短片了解一下。1、研磨與拋光的區(qū)別研磨:利用涂敷或壓嵌在研具上的磨料顆粒,通過(guò)研具與工件在一定壓力下的相對(duì)運(yùn)動(dòng)對(duì)加工表面進(jìn)行的精整加工。
2023-04-13 14:24:341685

研究報(bào)告丨汽車MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析報(bào)告

自己的模板 研究 報(bào)告《 汽車MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析報(bào)告》,如需領(lǐng)取報(bào)告,請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ? MCU? 即可領(lǐng)??! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交流 ,請(qǐng)?zhí)砑?/div>
2023-04-12 15:10:02390

【新聞】全國(guó)普通高校大學(xué)生計(jì)算機(jī)類競(jìng)賽研究報(bào)告正式發(fā)布

全國(guó)普通高校大學(xué)生計(jì)算機(jī)類競(jìng)賽研究報(bào)告鏈接:https://mp.weixin.qq.com/s/bdcp-wGqvXY_8DPzn8dhKw各高校在計(jì)算機(jī)類競(jìng)賽中的表現(xiàn)情況是評(píng)估相關(guān)高校計(jì)算機(jī)
2023-04-10 10:16:15

臭氧變壓器的選購(gòu)

臭氧變壓器是一種利用電磁感應(yīng)原理,把交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)椴煌妷骸㈦娏鞯葏?shù)的電力設(shè)備。當(dāng)臭氧變壓器內(nèi)部出現(xiàn)嚴(yán)重過(guò)載、短路、絕緣損壞等故障時(shí),絕緣材料受到高溫或電弧作用,受熱使變壓器內(nèi)部的壓力急劇上升,然后導(dǎo)致變壓器損壞。
2023-04-03 13:05:1578

浪潮云洲入選IDC《中國(guó)工業(yè)邊緣市場(chǎng)分析》研究報(bào)告

濟(jì)南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日,國(guó)際數(shù)據(jù)公司(IDC)發(fā)布了《中國(guó)工業(yè)邊緣市場(chǎng)分析》研究報(bào)告(以下簡(jiǎn)稱《報(bào)告》)。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機(jī)器視覺(jué)等特色解決方案布局,入選工業(yè)邊緣
2023-04-01 08:03:30540

濕清洗過(guò)程中硅晶片表面顆粒去除

在整個(gè)晶圓加工過(guò)程中,仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此,濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用最重復(fù)的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940

離子電池負(fù)極衰減機(jī)理研究進(jìn)展

碳材料,尤其石墨材料,是鋰離子電池中應(yīng)用最廣泛的負(fù)極材料。 雖然其他負(fù)極材料,如合金類材料、硬碳材料等,也在被廣泛研究,但研究重點(diǎn)主要集中于活性材料的形貌控制和性能改進(jìn),關(guān)于其容量衰減的機(jī)理分析較少
2023-03-27 10:40:52538

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