高通技術(shù)公司重磅推出了全新的第三代驍龍?7+移動(dòng)平臺(tái)，這一創(chuàng)新成果成功將終端側(cè)生成式AI技術(shù)引入至驍龍7系，開啟了全新的智能時(shí)代。這款移動(dòng)平臺(tái)不僅兼容眾多AI模型，如Baichuan-7B、Gemini Nano、Llama 2以及智譜ChatGLM等大語言模型，讓AI的應(yīng)用更加廣泛和深入。
2024-03-22 14:13:56
118 高通技術(shù)公司宣布震撼發(fā)布第三代驍龍?8s移動(dòng)平臺(tái)，為高端Android智能手機(jī)市場注入新的活力。這款旗艦級(jí)平臺(tái)不僅繼承了驍龍8系平臺(tái)一貫的卓越品質(zhì)，更將諸多廣受好評(píng)的特性進(jìn)行了全面升級(jí)，為用戶帶來前所未有的頂級(jí)移動(dòng)體驗(yàn)。
2024-03-19 10:50:03126 雙脈沖測試是一個(gè)用于測試高壓設(shè)備的重要方法，而高壓差分探頭在雙脈沖測試中扮演著重要的角色。它能夠測量高壓系統(tǒng)中的電位差，并幫助人們?cè)\斷系統(tǒng)中的問題。不過，在高壓差分探頭的使用過程中，也會(huì)遇到一些問題
2024-03-19 09:55:0654 
公司發(fā)展，掌握國際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微產(chǎn)品包括二極管三極管、功率器件、電源管理芯片等集成電路三大系列，可以替換英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體、富士、三菱、科銳cree等品牌的產(chǎn)品
2024-03-18 11:39:25
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來自清華大學(xué)和韓國延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
將大幅調(diào)整，將有一連串人事新布局，兩位資深副總米玉杰、侯永清將增加不同領(lǐng)域歷練，第三代接班梯隊(duì)正式成軍。 魏哲家未來接任董事長兼總裁，成為繼創(chuàng)辦人張忠謀后，臺(tái)積電擁有參與公司決策方針和統(tǒng)帥三軍大權(quán)的第二人。 據(jù)調(diào)查，臺(tái)積電首波
2024-03-04 08:56:47294 2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用，由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“重投天科”）建設(shè)運(yùn)營，預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬片
2024-02-29 14:09:14234 總計(jì)投資32.7億元人民幣的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地是中共廣東省委和深圳市委重點(diǎn)關(guān)注的項(xiàng)目之一，同時(shí)也是深圳全球招商大會(huì)的重點(diǎn)簽約項(xiàng)目。
2024-02-28 16:33:34336 Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）針對(duì)云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個(gè)強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級(jí)別
2024-02-27 11:58:54
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
近日，中國證監(jiān)會(huì)正式披露了芯三代半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司（以下簡稱“芯三代”）首次公開發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案報(bào)告。這標(biāo)志著這家尖端半導(dǎo)體芯片制造設(shè)備公司正式踏上了資本市場的發(fā)展之路，將為中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起注入新的活力。
2024-02-25 17:57:40720 今日，小米召開主題為“新層次”的新品發(fā)布會(huì)，正式推出了小米14 Ultra手機(jī)。新機(jī)搭載第三代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)，集小米領(lǐng)先技術(shù)于一身，帶來全方位跨越的新一代專業(yè)影像旗艦，讓真實(shí)有層次。
2024-02-23 09:17:36352 在清潔能源、電動(dòng)汽車的發(fā)展趨勢(shì)下，近年來第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵受到了史無前例的關(guān)注，市場以及資本都在半導(dǎo)體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度，擴(kuò)張規(guī)模不斷擴(kuò)大。在過去的2023年，全球第三代半導(dǎo)體
2024-02-18 00:03:002542 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時(shí)，我們也開展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
2024-01-24 16:42:04843 
示波器電源的地線插針和示波器通道同軸電纜頭的地端是相通的，這就說明探頭的負(fù)極始終被下拉到地電位，這樣就在使用時(shí)要求探頭的負(fù)極接到電源的地，多個(gè)探頭同時(shí)測量時(shí)負(fù)極要接到同一個(gè)地，示波器為什么在設(shè)計(jì)時(shí)各通道不進(jìn)行通道隔離？還有就是使用示波器要注意一些什么有關(guān)電方面的？
2024-01-23 15:08:16
第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁帶寬度較大，又被 稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2024-01-23 10:06:04258 
據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)暨實(shí)施方案論證會(huì)在云塔科技（安努奇）舉行。
2024-01-23 09:56:16448 今日（1月18日），意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:16254 
在今日舉辦的CES 2024 ROG新品發(fā)布會(huì)上，ROG游戲手機(jī)8系列正式亮相。新機(jī)全系搭載第三代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)，并在屏幕、設(shè)計(jì)、性能及影像等方面帶來全新升級(jí)，打造體驗(yàn)更全面的游戲旗艦手機(jī)。
2024-01-17 10:09:18262 第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域的需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體市場近幾年高速增長。盡管今年半導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)不景氣，機(jī)構(gòu)投資整體更理性下，第三代半導(dǎo)體企業(yè)的融資仍加速狂飆
2024-01-09 09:14:331408 
光隔離探頭相對(duì)差分探頭的優(yōu)勢(shì)? 光隔離探頭與差分探頭是兩種常用的檢測技術(shù)，它們?cè)诓煌膽?yīng)用中有著各自的優(yōu)勢(shì)。在下面的文章中，將詳細(xì)介紹光隔離探頭相對(duì)于差分探頭的優(yōu)勢(shì)，并闡述其在實(shí)際應(yīng)用中的重要性
2024-01-08 11:42:19191 第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢(shì)，在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月，第三代半導(dǎo)體被寫入“十四五”規(guī)劃，在技術(shù)、市場與政策的三力驅(qū)動(dòng)下，近年來國內(nèi)涌現(xiàn)出多家第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36430 近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實(shí)力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523 石金科技近日宣布將募集3.5億元資金，用于多個(gè)關(guān)鍵項(xiàng)目的發(fā)展。這些項(xiàng)目涵蓋了補(bǔ)充公司流動(dòng)資金、建設(shè)石金（西安）研發(fā)中心及生產(chǎn)基地、光伏關(guān)鍵輔材集成服務(wù)生產(chǎn)以及第三代半導(dǎo)體熱場及材料的生產(chǎn)。
2024-01-03 16:09:22456 近期，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說三代半”主辦的“2023年行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開帷幕，數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代表參加，共同見證第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)采。
2023-12-27 10:47:55225 
又到歲末年初時(shí)，電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題，收到了數(shù)十位國內(nèi)外創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次電子發(fā)燒友網(wǎng)特別采訪了CGD亞太區(qū)FAE經(jīng)理徐維利，以下是他對(duì)2024年半導(dǎo)體市場
2023-12-26 14:15:215610 
芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間，芯聯(lián)集成便已成功實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍，器件性能與國際頂級(jí)企業(yè)齊肩，并且已穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。
2023-12-26 10:02:38247 領(lǐng)先的測試與測量解決方案提供商泰克科技，5系列B MSO混合信號(hào)示波器榮獲年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)。 本屆行家極光獎(jiǎng)特別設(shè)立了【年度企業(yè)】、【年度優(yōu)秀產(chǎn)品】、【十強(qiáng)榜單】三大獎(jiǎng)項(xiàng)，力圖為第三代半導(dǎo)體行業(yè)樹立標(biāo)桿，提升企業(yè)品牌認(rèn)知度和影響力，為行業(yè)發(fā)展注入
2023-12-21 17:40:02266 
半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:20820 
12月14日，第三代半導(dǎo)體行家極光獎(jiǎng)在深圳重磅揭曉，派恩杰半導(dǎo)體榮膺“中國SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。
2023-12-15 10:57:45466 2023年11月29日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)和“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會(huì)”成功召開，是德科技參加第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)，并重磅展出第三代半導(dǎo)體動(dòng)靜態(tài)測試方案
2023-12-13 16:15:03241 
快科技11月21日消息,今天星紀(jì)魅族集團(tuán)董事長兼CEO沈子瑜發(fā)文正式宣布,魅族21將首批搭載行業(yè)最強(qiáng)的第三代驍龍8。 新機(jī)發(fā)布會(huì)此前已經(jīng)官宣,將會(huì)在11月30日揭曉。 值得注意的是,這次魅族表示將會(huì)
2023-11-21 11:48:12453 —AMD加強(qiáng)廣受好評(píng)的第三代EPYC CPU產(chǎn)品組合，為支持主要業(yè)務(wù)基礎(chǔ)設(shè)施的服務(wù)器提供性能和能效— —包括Cisco、Dell Technologies、Gigabyte、HPE、Lenovo
2023-11-11 10:37:54934 2023年10月25日 - 2023全國第三代半導(dǎo)體大會(huì)今日在深圳寶安格蘭云天國際酒店四樓會(huì)議廳隆重開幕。本屆大會(huì)由今日半導(dǎo)體主辦，吸引了來自全國各地的400多家企業(yè)參與，共同探討第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用前景。
2023-11-06 09:45:31234 氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來簡單了解一下，這個(gè)材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
高通第三代驍龍8采用4納米工藝 支持在終端側(cè)運(yùn)行超100億參數(shù)的生成式AI 前兩天高通公司在驍龍峰會(huì)發(fā)布了針對(duì)筆記本電腦的驍龍X Elite和針對(duì)手機(jī)移動(dòng)端的第三代驍龍8。 高通第三代驍龍8處理器
2023-10-26 19:29:281170 
10月25日，一加宣布下一代旗艦產(chǎn)品一加 12 將首批搭載第三代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)。一加中國區(qū)總裁李杰表示：“一加 12 作為一加十年旗艦之作，將會(huì)把這顆芯片的實(shí)力發(fā)揮到極致，一加 12 的產(chǎn)品力在同檔
2023-10-25 13:04:47354 
要點(diǎn) — ?? 第三代驍龍8是高通技術(shù)公司首個(gè)專為生成式AI而精心打造的移動(dòng)平臺(tái)。 ?? 該平臺(tái)將帶來行業(yè)領(lǐng)先的AI、卓越影像特性、主機(jī)級(jí)游戲體驗(yàn)以及專業(yè)品質(zhì)音頻，再結(jié)合全球最快的連接，賦能消費(fèi)者
2023-10-25 10:30:02262 
SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造 而成的晶圓片。襯底可以直接進(jìn)入 晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也 可以經(jīng)過外延加工，即在襯底上生 長一層新的單晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:39
4 近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06694 隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子領(lǐng)域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個(gè)變化中，第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）技術(shù)成為了焦點(diǎn)，其對(duì)于充電器的性能和效率都帶來了革命性的影響。
在傳統(tǒng)的硅基材料中，電力電子器件
2023-10-11 16:30:48250 第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì)，這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
西安電子科技大學(xué)表示，該項(xiàng)目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長、工程準(zhǔn)備、密封測試等整個(gè)工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共服務(wù)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)，圍繞國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略需求為中心，5g通信、新能源汽車等領(lǐng)域的、芯片和微系統(tǒng)模塊的開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。
2023-09-25 11:20:56840 行業(yè)協(xié)會(huì)指導(dǎo)，深圳市人民政府聯(lián)合中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)、“核高基”國家科技重大專項(xiàng)總體專家組主辦。繼21日上午的高峰論壇成功舉辦后，汽車芯片與第三代半導(dǎo)體應(yīng)用論壇作為本屆峰會(huì)亮點(diǎn)正式開啟。 ? 當(dāng)前，隨著汽車四化時(shí)代來臨，汽車產(chǎn)業(yè)迎來更大風(fēng)口，
2023-09-25 09:09:35521 
隨著全球進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動(dòng)汽車時(shí)代，能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當(dāng)前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導(dǎo)體高能量轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體材料開始成為市場寵兒，開啟了第三代半導(dǎo)體的新紀(jì)元。
2023-09-22 15:40:41476 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893 
? 新能源汽車和光伏、儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及，為第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。 長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿，多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件
2023-09-19 10:20:38379 9月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。圖左為袁方書
2023-09-19 10:07:33452 
已廣泛應(yīng)用于PD快充、電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心以及充電樁等領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)材料，近年來越來越受到半導(dǎo)體各行業(yè)的關(guān)注。目前，領(lǐng)先器件供應(yīng)商在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域做了什么?有什么技術(shù)難點(diǎn)?如何平衡性
2023-09-18 16:48:02365 新能源汽車和光伏,儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件開發(fā)
2023-09-18 16:11:25261 材料領(lǐng)域中，第一代、第二代、
第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶
半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物
半導(dǎo)體，或?qū)⒌?、砷化鎵、磷化銦制?/div>
2023-09-12 16:19:271932 
意法半導(dǎo)體的第三代BlueNRG2.4 GHz Radio IP符合藍(lán)牙SIG核心規(guī)范5.2版本要求，兼具出色的射頻性能和極長的電池壽命。BlueNRG-LP SoC適用于點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)連接和藍(lán)牙SIG
2023-09-08 06:57:13
。面對(duì)新材料、新器件和新特性在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和使用中的全新挑戰(zhàn)， 泰克結(jié)合多年在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的豐富經(jīng)驗(yàn)和領(lǐng)先的功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)為客戶提供支持服務(wù) ，同時(shí)在北京成立第三代半導(dǎo)體測試實(shí)驗(yàn)室，幫助行業(yè)內(nèi)客戶、合作
2023-09-04 12:20:01234 據(jù)錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)消息，芯動(dòng)第三代半導(dǎo)體模塊將在測試項(xiàng)目主體上蓋屋頂，10月土木工程竣工，12月底投產(chǎn)。凱威特斯半導(dǎo)體設(shè)備配件再制造事業(yè)已經(jīng)完成了第一次竣工和第二次主體屋頂工程，計(jì)劃于今年12月竣工，2024年3月批量生產(chǎn)。
2023-08-31 09:25:07447 據(jù)融合資產(chǎn)消息，此次融資后融合資產(chǎn)將在芯片生產(chǎn)線、家具用、工商能源儲(chǔ)存、充電包、新能源汽車等多個(gè)領(lǐng)域展開合作，幫助建設(shè)第三代半導(dǎo)體智能電力模塊生產(chǎn)線。
2023-08-30 09:24:55228 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）根據(jù)IT桔子的數(shù)據(jù)，2022年集成電路行業(yè)發(fā)生了33起收購，其中國內(nèi)24起，海外9起。在經(jīng)歷2022艱難的一年后，人們并沒有在2023年看到預(yù)期的增長，半導(dǎo)體市場依舊持續(xù)
2023-08-27 10:28:222154 
隨著科技的不斷進(jìn)步，新的半導(dǎo)體材料正在為整個(gè)電子行業(yè)帶來深刻的變革。在這場技術(shù)革命的前沿，第三代半導(dǎo)體材料嶄露頭角。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體在高溫、高壓、高頻等應(yīng)用環(huán)境中展現(xiàn)出了更為出色的性能。從材料分類的角度來看，第三代半導(dǎo)體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:071580 
第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915 
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技
2023-08-04 11:28:56920 
如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 來源：內(nèi)容轉(zhuǎn)自公眾號(hào)21tech（News-21），作者：李強(qiáng)。于代輝英飛凌科技高級(jí)副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人減碳趨勢(shì)下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導(dǎo)體的登場搭好了舞臺(tái)。過去
2023-07-06 10:07:54367 
半導(dǎo)體是當(dāng)今世界的基石，幾乎每一項(xiàng)科技創(chuàng)新都離不開半導(dǎo)體的貢獻(xiàn)。過去幾十年，硅一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主流材料。然而，隨著科技的發(fā)展和應(yīng)用需求的增加，硅材料在一些方面已經(jīng)無法滿足需求，這促使第三代半導(dǎo)體
2023-07-05 10:26:131322 
? 點(diǎn)擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國” ， 關(guān)注我們 ???????? ? ?雙方將合作研發(fā)先進(jìn)功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)航空業(yè)向混動(dòng)和純電動(dòng)系統(tǒng)轉(zhuǎn)型 ? ?合作研發(fā)的半導(dǎo)體器件將助力未來的混動(dòng)直升機(jī)、飛機(jī)
2023-06-29 08:10:02343 
光隔離探頭主要用于開關(guān)電源、逆變器、充電樁、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等由功率半導(dǎo)體組成的高壓高頻電路的測試，尤其是寬禁帶半導(dǎo)體器件包括氮化鎵、碳化硅器件組成的半/全橋電路的測試。
2023-06-27 17:32:33555 
據(jù)藍(lán)色空港消息，先進(jìn)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項(xiàng)目總投資8億元，分三期建設(shè)，一期投資2億元，計(jì)劃建設(shè)6條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602 據(jù)公告，此次建設(shè)的第三代半導(dǎo)體輸出配件生產(chǎn)項(xiàng)目位于湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)，總投資額約為60億元，包括36億元股權(quán)融資和24億元銀行貸款。構(gòu)筑第3代半導(dǎo)體外延、晶片制造、組裝測試等生產(chǎn)線的該事業(yè)，將具備能夠生產(chǎn)6英寸硅晶片及外延36萬個(gè)、輸出配件模塊6100萬個(gè)的能力。
2023-06-27 09:54:38539 因具備高頻、高效、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)越性能特點(diǎn)，氮化鎵是時(shí)下最熱門的第三代半導(dǎo)體材料之一；因可幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗的特性，SIP（System in Package
2023-06-26 09:52:52362 繼第一代和第二代半導(dǎo)體技術(shù)之后發(fā)展起來的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件，是發(fā)展大功率、高頻高溫、抗強(qiáng)輻射和藍(lán)光激光器等技術(shù)的關(guān)鍵核心。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">第三代半導(dǎo)體的優(yōu)良特性，該半導(dǎo)體技術(shù)逐漸成為了近年來半導(dǎo)體研究
2023-06-25 15:59:21
近年來，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和計(jì)算機(jī)應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，半導(dǎo)體技術(shù)變得愈加重要。在半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程中，第三代半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展帶來了新的變革。
2023-06-20 16:55:22611 
國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）獲批建設(shè)兩年以來，瞄準(zhǔn)國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，進(jìn)一步推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，形成立足長三角、輻射全國的技術(shù)融合點(diǎn)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451660 隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，值此之際，TrendForce集邦咨詢于6月15日在在深圳舉辦了“2023第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)”，匯聚
2023-06-16 15:37:32964 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件，在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。面對(duì)當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357 
日前，2023中關(guān)村論壇“北京（國際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上，科技部黨組成員、副部長相里斌表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能，在信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域有巨大的市場。
2023-06-15 11:14:08313 為期四天的2023廣州國際照明展覽會(huì)（簡稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會(huì)，國星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū)，鮮明的主題，引來了行業(yè)的高度關(guān)注。 其中，在第三代半導(dǎo)體
2023-06-14 10:02:14437 
元旭半導(dǎo)體天津生產(chǎn)基地有新的第三代半導(dǎo)體光電芯片研發(fā)中心和裝備了生產(chǎn)線晶片材料、芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片包裝以及測試等多個(gè)重要產(chǎn)業(yè)鏈鏈接積聚著，新一代Micro-LED半導(dǎo)體集成顯示器垂直整合制造重點(diǎn)開展的。
2023-06-09 11:29:15903 第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長爐、MOCVD外延設(shè)備等。
2023-06-03 09:57:01787 
2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對(duì)比，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正在形成，競爭格局逐步確立，產(chǎn)業(yè)步入快速
2023-05-30 14:15:56534 
前言 ??????? 2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終結(jié)連續(xù)高增長，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對(duì)比，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正在形成，競爭格局逐步
2023-05-30 09:40:59568 
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 旋轉(zhuǎn)傳感器的作用是檢測轉(zhuǎn)子位置信號(hào)，將信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)傳輸，解碼控制器以獲得轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速。旋轉(zhuǎn)傳感器因其適應(yīng)性強(qiáng)、可靠性好，被廣泛應(yīng)用于電機(jī)中，尤其是在新能源汽車中。隨著第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用，電機(jī)中的高頻
2023-05-18 09:39:40410 
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461675 
第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226173 
當(dāng)今 WBG 為代表的第三代功率器件、功率轉(zhuǎn)換器或電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路的測試，示波器需要搭載帶寬高、負(fù)載效應(yīng)低、高共模抑制比(CMRR)的探頭，來精確測量現(xiàn)代開關(guān)電源中最快上升邊沿達(dá) 1.2 ns、電壓
2023-04-06 08:15:05677 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-04-04 14:46:2912684 1200V高速開關(guān)系列第三代
2023-03-28 14:59:26
，芯片支撐系統(tǒng)”模式布局第三代半導(dǎo)體 SiC 功率模塊以及系統(tǒng)應(yīng)用，基于STPAK 封裝的SiC 模塊取得了非常不錯(cuò)的市場成績。而且中科意創(chuàng)成功研發(fā)了國內(nèi)首臺(tái)ASIL-D最高功能安全等級(jí)的SiC電機(jī)控制器，并獲得了國內(nèi)首張ASIL-D產(chǎn)品認(rèn)證證書。 對(duì)
2023-03-24 18:24:394106 已全部加載完成
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