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應(yīng)用:
DC-DC轉(zhuǎn)換
SMPS中的同步整流
硬開關(guān)和高速電路
電動工具
電機控制
概述：
PL1303N04是寶礫微推出的4開關(guān)N溝道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封裝。產(chǎn)品具有較強的體二極管dv/dt能力和雪崩強度，經(jīng)過100％的UIS測試和Rg測試，適用于DC-DC轉(zhuǎn)換等。
最大額定值方面，漏源電壓為40V，具有一定的耐壓性能。連續(xù)漏*電流(@25℃)高達2**。脈沖漏*電流高達90A，電流耐受性較好。耗散功率為2.5W。工作溫度和存儲溫度范圍為-55℃~150℃，溫度適應(yīng)性較好。結(jié)殼熱阻為2.5℃/W，結(jié)至環(huán)境的熱阻為50℃/W，散熱性能較好。25℃下，漏源導通電阻的典型值為9.6mΩ(@VGS=10V，ID=9A)或14.5mΩ(@VGS=4.5V，ID=6A)，產(chǎn)品導通損耗較低?？倴?電荷的典型值為24nC。
特點：
高速功率開關(guān)，邏輯電平
較強的體二極管dv/dt能力
較強的雪崩強度
經(jīng)過100％UIS測試，100％Rg測試
無鉛，無鹵素
QFN6*6-40L封裝
深圳市芯美力科技有限公司
寶礫微原廠代理商，可提供樣品測試，原廠技術(shù)支持，歡迎聯(lián)系咨詢
審核編輯?黃宇
寶礫微 PL1303N04 QFN6*6-40L 40V/25.0A N溝道功率MOSFET
- MOSFET(209664)
- 封裝(140858)
- DC-DC(80052)
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用運放實現(xiàn)1~-40V的脈沖電源，使用LT1010可以實現(xiàn)嗎？
想用運放實現(xiàn)1~-40V的脈沖電源，1到-40V的時間為2us，計算SR至少要求63V/us，看了下幾款車規(guī)級高壓運放，請問下使用LT1010可以實現(xiàn)嗎？能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型？
謝謝！
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30N06L-VB-TO252封裝N溝道MOSFET
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2023-11-08 11:43:26
RSQ045N03TR-VB-SOT23-6封裝N溝道MOSFET
額定電流 6A 開態(tài)電阻(RDS(ON)) 30mΩ@10V, 40mΩ@4.5V 門壓(Vgs) 20
2023-11-07 11:59:39
SIR422DP-T1-GE3-VB-DFN8(5X6)封裝N溝道MOSFET
SIR422DPT1GE詳細參數(shù)說明 極性 N溝道 額定電壓 40V 額定電流 75A 導通電阻 4.7mΩ @ 10V, 6mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓
2023-11-03 13:55:28
50N04-VB-TO252封裝N溝道MOSFET
型號 50N04絲印 VBE1405品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 85A 導通電阻 4mΩ @10V, 5mΩ @4.5V 門源
2023-10-30 10:47:29
AO6400-VB-SOT23-6封裝溝道MOSFET
型號 AO6400絲印 VB7322品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 6A 導通電阻 30mΩ @10V, 40mΩ @4.5V 門源
2023-10-28 11:17:26
FDC5661N-VB-SOT23-6封裝N溝道MOSFET
)- 閾值電壓 1~3Vth (V)- 封裝類型 SOT23-6應(yīng)用簡介 FDC5661N是一款N溝道MOSFET，具有較高的額定電壓和額定電流，適合在各種電源管理
2023-10-27 17:10:05
ZXMN6A07ZTA-VB-SOT89-3封裝N溝道mosfet
：ZXMN6A07ZTA適用于中功率N溝道MOSFET，常見于電源開關(guān)、穩(wěn)壓和電機控制等領(lǐng)域模塊。其中等功率承載能力適合中功率應(yīng)用場景。優(yōu)勢與適用領(lǐng)域：適用于中功率
2023-10-27 10:30:17
AON6884，AOS/萬代，40V雙N溝道MOSFET
AON6884，規(guī)格書， 設(shè)計方案，使用方法，AOS/萬代，40V雙N溝道MOSFET 一般說明,AON6884采用先進的溝槽技術(shù)以低柵極電荷提供優(yōu)異的RDS（ON）。這是一個適用于大范圍
2023-10-24 15:03:33
ZXGD3006E6Q 40V、8A、柵極驅(qū)動器 晶體管
ZXGD3006E6Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的ZXGD3006E6Q這是一款用于開關(guān) IGBT 和 SiC MOSFET 的 40V 柵極驅(qū)動器 。它可以將高達 10A
2023-10-19 11:28:50
LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數(shù)據(jù)表 ADI
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數(shù)據(jù)表的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2023-10-08 16:47:10
P溝道增強模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2023-09-19 17:29:110
0500V N溝道超級結(jié)功率MOSFET
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
650V N溝道超級結(jié)功率MOSFET
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
600V N溝道超級結(jié)功率MOSFET
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
DMP4047LFDE 40V P 溝道增強型 MOSFET 晶體管
DMP4047LFDE 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP4047LFDE 這款新一代 40V P 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時保持卓越的開關(guān)性能
2023-09-14 19:46:59
安建半導體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)全部測試
安建半導體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45
474
474東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600
600
寶礫微 PL8311 SOP-8 4.5~36V/1.5A單片式降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器
PL8311是寶礫微電子推出的一款36V，1.5A單片式降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。 PL8311集成了36V 250mΩ高側(cè)和36V，140mΩ低側(cè)MOSFET，可在4.5V至36V寬工作輸入電壓范圍內(nèi)提供
2023-08-23 17:07:49
東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET，有助于汽車設(shè)備實現(xiàn)高散熱和小型化
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557
557
STF140N6F7 N 溝道功率 MOSFET
STF140N6F7內(nèi)容簡介STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET電子元器件，為廣泛的電壓范圍（30V至350V）應(yīng)用提供了卓越的解決方案。采用TO-220FP封裝，以其N溝道結(jié)構(gòu)
2023-08-21 16:34:33
STD4NK60ZT4一款N溝道600 V，1.7 Ω 內(nèi)阻，4A超級MESH功率MOS管
（Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應(yīng)用場景：適用于高效率開關(guān)電源、電機驅(qū)動器和照明應(yīng)用等，可用于電源因數(shù)校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
寶礫微PWM控制器PL83081 QFN5x5-32封裝 100% 負載
原廠代理寶礫微
PL83081是一款 PWM 控制器，專為高性能同步 Buck DC/DC 應(yīng)用設(shè)計，輸入電壓為3.0 V 至24 V。PL83081采用恒開時間控制。根據(jù) FREQ 引腳和 GND
2023-08-16 11:33:09
NP75N04VUK40 V-75A -N溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
NP75N04VUK40 V - 75 A - N 溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
2023-07-07 18:42:040
0NP60N04VLK40 V-60A -N溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
NP60N04VLK40 V - 60 A - N 溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
2023-07-07 18:41:410
0NP90N04VLK40 V-90A -N溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
NP90N04VLK40 V - 90 A - N 溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
2023-07-07 18:41:240
0NP30N04QUK40 V-30A-雙N溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
NP30N04QUK40 V - 30 A - 雙 N 溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
2023-07-07 18:41:080
0NP29N04QUK40 V-30A-雙N溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
NP29N04QUK40 V - 30 A - 雙 N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-07-07 18:40:360
0DA14581 DEVKT -Pro 子板 QFN40 Electrical 原理圖s
DA14581 DEVKT -Pro 子板 QFN40 Electrical 原理圖s
2023-07-06 19:42:130
0RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A –N溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-07-04 20:37:050
0英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列
采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678
678
英飛凌推出新一代面向汽車應(yīng)用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列
英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302
302
CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET：高速開關(guān)和改進的dv/it能力
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:28663
663
英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進導通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計魯棒性
最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026
1026
怎么判斷MRFE6VS25N壞了沒有？
我在網(wǎng)上讀到 LDMOS 晶體管需要具有高電阻才能有效，他們提到 MegaOhms，我在 gs 上的讀數(shù)是 1.9 KOhms，在 ds 上是 137KOhms，mosfet 在板上。假設(shè)您了解什么是 MRFE6VS25N 的電阻。
2023-06-05 09:02:14
具有負載斷開控制的20V同步升壓轉(zhuǎn)換器PL30502
PL30502是寶礫微電子推出的20V同步升壓轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置柵極驅(qū)動器，可斷開負載。 PL30502集成了兩個低導通電阻功率FET：一個7mΩ的開關(guān)FET和一個7mΩ的整流FET。PL
2023-05-30 14:54:09
輸入3.6-5V輸出6-8.4V 1A電流升壓IC
USB充電數(shù)據(jù)線專用升壓恒壓驅(qū)動芯片
一般說明
輸入3.6-5V輸出6-8.4V 1A電流升壓IC
AP8660是一種電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。內(nèi)置0.25Ω的PWM電路
功率MOSFET
2023-05-18 11:23:50
BL6N120-A N溝道功率MOSFET 6A 1200V 貝嶺 絲印6N120
描述BL6N120，硅N溝道增強MOSFET，由先進的MOSFET獲得降低傳導損耗的技術(shù)，提高開關(guān)性能并增強雪崩能量。晶體管適合用于開關(guān)電源、高速開關(guān)和通用應(yīng)用程序。特點? 快速切換? 低Crss
2023-05-16 16:28:47
STM32F765IIT6芯片、 STM32F765IIK6 、S912ZVCA19AMLFR
SAK-TC275T-64F200W DC
SAK-TC264D-40F200N BC
SAL-TC277T-64F200S DC
STM32F765IIT6
STM32F765IIK6
2023-05-15 18:01:49
A2T27S020N有大功率型號嗎？
我想用A2T27S020N實現(xiàn)1420M-1530M的功率放大，需要線性達到6W功率。目前這款功放還沒有大功率型號。沒有模型嗎？
2023-04-26 06:18:02
寶礫微的PL1201 鋰電充電芯片
PL1201 鋰電充電芯片產(chǎn)品型號供貨狀態(tài)模式串數(shù)(s)鋰離子（V）磷酸鐵鋰輸入電壓(V)充電電流(A)靜態(tài)電流（uA）指示燈輸入過壓(V)輸入欠壓(V)封裝PL1201量產(chǎn)Linear Charger14.20/4.35N4.5-241.22Y6.53.9ESOP8DFN3x3-10
2023-04-07 14:11:45
輸入3.6-5V輸出6-8.4V 1A電流升壓IC
輸入3.6-5V輸出6-8.4V 1A電流升壓ICAP8660是一種電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。內(nèi)置0.25Ω的PWM電路功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器具有很高的功率效率。內(nèi)部補償網(wǎng)絡(luò)大限度地減少多達
2023-03-23 09:01:15
工商網(wǎng)監(jiān)
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