Kioxia（原東芝存儲(chǔ)），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開(kāi)發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)
2019-12-13 10:46:07
11441 資料來(lái)源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲(chǔ)）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于周四宣布的新技術(shù)允許存儲(chǔ)芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222 7月24日國(guó)外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:23988 據(jù)業(yè)內(nèi)人士稱，由于高端智能手機(jī)的銷(xiāo)量疲軟，導(dǎo)致第三季度對(duì)NAND閃存的需求可能會(huì)弱于預(yù)期。 7月份NAND的價(jià)格下降了5%左右，并可能在8到9月份繼續(xù)下降。
2013-07-30 10:37:56965 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個(gè)禮拜的時(shí)間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤(pán)。
2013-08-15 09:11:161205 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包括讀寫(xiě)速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
2013-08-29 10:46:512064 
256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:436006 2022年4月25日，中國(guó)上海 — 20世紀(jì)90年代的MP3播放器與如今的智能手機(jī)有什么共同之處？如果沒(méi)有NAND閃存這一影響力貫穿幾十年的創(chuàng)新技術(shù)，這兩者都將不會(huì)存在。全球存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者
2022-04-25 18:26:212196 
本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開(kāi)放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開(kāi)放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
重大突破，可能會(huì)推動(dòng)氧基電池技術(shù)的重大發(fā)展。鋰空氣電池，被認(rèn)為是鋰離子電池的終極形態(tài)，而這個(gè)新型鋰氧電池更是鋰空氣電池的升級(jí)版，更加強(qiáng)大、更加方便、還更加安全。希望這項(xiàng)技術(shù)能夠快點(diǎn)成熟，走上市場(chǎng)！突破七
2016-12-30 19:16:12
3月25日，科技之巔·麻省理工科技評(píng)論全球十大突破性技術(shù)峰會(huì)在北京召開(kāi)，該峰會(huì)是全球最為著名的技術(shù)榜單之一，峰會(huì)圍繞十大突破性技術(shù)在中國(guó)落地性最強(qiáng)，并對(duì)目前最受關(guān)注的領(lǐng)域進(jìn)行深入解讀。2018年
2018-03-27 16:07:53
2020年全球十大突破技術(shù)，2018-12-28 08:11:39盤(pán)點(diǎn)這一年的核心技術(shù)：22納米光刻機(jī)、450公斤人造藍(lán)寶石、0.12毫米玻璃、大型航天器回收、盾構(gòu)機(jī)“棄殼返回”、遠(yuǎn)距離虹膜識(shí)別
2021-07-28 09:17:55
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
IBM Aspera采用了一種不同的方法來(lái)應(yīng)對(duì)全球廣域網(wǎng)上大數(shù)據(jù)移動(dòng)的挑戰(zhàn)。Aspera沒(méi)有優(yōu)化或加速數(shù)據(jù)傳輸，而是使用突破性的傳輸技術(shù)消除了潛在的瓶頸，充分利用可用的網(wǎng)絡(luò)帶寬來(lái)最大限度地提高速度，并在沒(méi)有理論限制的情況下快速擴(kuò)展。
2023-08-11 06:51:46
POWER架構(gòu)已經(jīng)發(fā)展了27年，而從第一顆POWER處理器的誕生到現(xiàn)在也已經(jīng)過(guò)了18年?，F(xiàn)在，我們來(lái)簡(jiǎn)單地回顧一下從1997年開(kāi)始到現(xiàn)在IBM所采用的十大新技術(shù)。1.銅芯片(Copper)，1997
2019-06-24 08:28:32
質(zhì)量較高，CCD技術(shù)主宰著傳感器市場(chǎng)。而與CCD技術(shù)相比，CMOS技術(shù)具有低能耗、高集成度和低生產(chǎn)成本等對(duì)客戶來(lái)說(shuō)極其重要的優(yōu)勢(shì)。特別是，IBM的制造技術(shù)路線圖能夠生產(chǎn)其尺寸和性能規(guī)格接近當(dāng)今CCD的CMOS圖像傳感器。 :
2018-11-19 17:04:15
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
速度。現(xiàn)在，F(xiàn)PGA已經(jīng)從最初主要應(yīng)用于原型設(shè)計(jì)逐漸延伸到最終產(chǎn)品的整個(gè)生命周期。業(yè)界共識(shí)：可編程技術(shù)勢(shì)在必行。FPGA的下一個(gè)技術(shù)突破點(diǎn)是什么？
2019-08-13 07:48:48
為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說(shuō)，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
LED背光照明的工作原理是什么？LED背照系統(tǒng)的架構(gòu)怎樣去選擇？LED驅(qū)動(dòng)技術(shù)是怎樣降低電視機(jī)的能耗的？
2021-05-10 06:41:05
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問(wèn)： XIP 是否通過(guò) QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺(tái)閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺(tái)，我當(dāng)時(shí)
2019-05-21 06:43:17
皇家飛利浦電子公司宣布在超薄無(wú)鉛封裝技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，推出針對(duì)邏輯和 RF 應(yīng)用的兩款新封裝：MicroPak?II 和 SOD882T。MicroPakII 是世界上最小的無(wú)鉛邏輯封裝，僅 1.0mm2，管腳間距為 0.35mm。
2019-10-16 06:23:44
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級(jí)別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
什么是SOI技術(shù)？在實(shí)現(xiàn)CAN收發(fā)器EMC優(yōu)化方面有哪些重大突破？
2021-05-10 06:42:44
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個(gè)鏈接器來(lái)構(gòu)建 .stldr？我走對(duì)路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無(wú)法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項(xiàng)目?jī)H限于Virtex 4平臺(tái)，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
至 2015 年之間， NAND的市場(chǎng)復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到 7%。技術(shù)方面，內(nèi)存密度因采用 25nm 及以下制程技術(shù)，讓制造商能進(jìn)一步擴(kuò)大優(yōu)勢(shì)。領(lǐng)先的 NAND 閃存制造商開(kāi)始用 20-30nm 范圍
2014-04-22 16:29:09
我們正處在汽車(chē)技術(shù)巨變的大門(mén)口。這次不是自動(dòng)化變革，雖然自動(dòng)化變革旋即到來(lái)。但這次變革是由現(xiàn)有的且快速發(fā)展的自動(dòng)化底層技術(shù)推動(dòng)。即高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)（簡(jiǎn)稱 ADAS）實(shí)現(xiàn)的防碰撞技術(shù)。
2020-05-01 06:45:20
在半導(dǎo)體技術(shù)中，與數(shù)字技術(shù)隨著摩爾定律延續(xù)神奇般快速更新迭代不同，模擬技術(shù)的進(jìn)步顯得緩慢，其中電源半導(dǎo)體技術(shù)尤其波瀾不驚，在十年前開(kāi)關(guān)電源就已經(jīng)達(dá)到90+%的效率下，似乎關(guān)鍵指標(biāo)難以有大的突破，永遠(yuǎn)離不開(kāi)的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪聲，少有見(jiàn)到一些突破性的新技術(shù)面市。
2019-07-16 06:06:05
`華爾街日?qǐng)?bào)發(fā)布文章稱，科技產(chǎn)品下一個(gè)重大突破將在芯片堆疊領(lǐng)域出現(xiàn)。Apple Watch采用了先進(jìn)的的3D芯片堆疊封裝技術(shù)作為幾乎所有日常電子產(chǎn)品最基礎(chǔ)的一個(gè)組件，微芯片正出現(xiàn)一種很有意思的現(xiàn)象
2017-11-23 08:51:12
藍(lán)牙低能耗無(wú)線技術(shù)利用許多智能手段最大限度地降低功耗。藍(lán)牙2.1+EDR/3.0+HS版本(通常指“標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)牙技術(shù)”)與藍(lán)牙低能耗(BLE)技術(shù)有許多共同點(diǎn)：它們都是低成本、短距離、可互操作的魯棒性無(wú)線技術(shù)，工作在免許可的2.4GHz ISM射頻頻段。
2020-03-10 07:00:39
藍(lán)牙低能耗無(wú)線技術(shù)利用許多智能手段最大限度地降低功耗。藍(lán)牙2.1+EDR/3.0+HS版本(通常指“標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)牙技術(shù)”)與藍(lán)牙低能耗(BLE)技術(shù)有許多共同點(diǎn)：它們都是低成本、短距離、可互操作的魯棒性無(wú)線技術(shù)，工作在免許可的2.4GHz ISM射頻頻段。
2020-03-09 07:11:38
視頻監(jiān)控技術(shù)在火災(zāi)報(bào)警領(lǐng)域有哪些新突破？
2021-06-01 06:47:05
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01
183 技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無(wú)所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽
在最近舉辦的一次會(huì)議上，Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個(gè)驚人規(guī)劃，
2010-02-09 10:50:09497 天合光能在開(kāi)發(fā)單結(jié)晶矽電池技術(shù)方面有重大突破
天合光能(Trina Solar)宣布，在開(kāi)發(fā)單結(jié)晶矽電池技術(shù)方面有重大突破，配合公司
2010-02-11 08:29:33765 IBM宣布芯片實(shí)現(xiàn)重大突破 可建百萬(wàn)萬(wàn)億次電腦
網(wǎng)易科技訊 北京時(shí)間3月4日消息 據(jù)《自然》雜志報(bào)道，IBM的科學(xué)家當(dāng)日宣布，他們用微型硅電路取代銅線實(shí)現(xiàn)了芯片間
2010-03-04 08:50:13463 IBM芯片技術(shù)獲突破 光信號(hào)超級(jí)PC將成現(xiàn)實(shí)
IBM科學(xué)家周三表示，已經(jīng)研發(fā)出一種使用光的設(shè)備，而非使用銅線，它可以使電腦芯片進(jìn)行通信。該研發(fā)可以結(jié)束電腦芯片電
2010-03-05 11:48:12548 IBM宣布半導(dǎo)體技術(shù)重大突破 耗能少傳輸快
IBM研究人員宣布，在半導(dǎo)體傳輸技術(shù)上有了重大突破，可大幅提高傳輸速度，并同時(shí)減少能源損耗。
此項(xiàng)技術(shù)目
2010-03-08 09:34:36556 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類(lèi)型，其中NAND型是專(zhuān)為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類(lèi)型的
2010-05-20 09:26:23770 
美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業(yè)領(lǐng)先的50納米(nil])制程技術(shù)的NAND閃存，這兌現(xiàn)了它們對(duì)快速提升技術(shù)領(lǐng)先曲線的承諾。樣品通
2010-05-30 11:08:09632 存儲(chǔ)行業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)將是技術(shù)開(kāi)發(fā)，尤其是NAND閃存的技術(shù)開(kāi)發(fā)。
2011-01-12 10:12:55407 “第三代”光伏發(fā)電技術(shù)，也就是綠色光伏發(fā)電技術(shù)，特點(diǎn)是綠色、高效、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)。中國(guó)第三代光伏發(fā)電技術(shù)又取得了重大突破。
2011-11-30 09:34:38977 介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù),它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫(xiě)頻率限制,提供更好的讀寫(xiě)速度,以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法
2011-12-15 17:11:3151 美光在NAND閃存市場(chǎng)的份額首次超過(guò)20%， 營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)，使得排名第三的美光縮小與第二名東芝之間的差距。
2012-09-14 09:34:32877 
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，IBM推出全Flash閃存產(chǎn)品線FlashSystem，之前早在去年10月收購(gòu)了Flash閃存廠商Texas Memory Systems（TMS），歷經(jīng)約半年時(shí)間完成產(chǎn)品技術(shù)整合
2013-05-16 15:48:19930 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開(kāi)始量產(chǎn)），除了TLC類(lèi)型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40709 東芝日前發(fā)布世界首個(gè)基于QLC（四比特單元） BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片。對(duì)于閃存技術(shù)的未來(lái)發(fā)展而言，這可謂是相當(dāng)重大的消息。
2017-07-04 16:30:52740 
引言 NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Flash因?yàn)榫哂蟹且资约翱刹脸裕跀?shù)碼相機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理（ PDA）、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備
2017-10-19 11:32:527 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-06-30 14:34:00362 DVEVM可以啟動(dòng)或（默認(rèn)），與非門(mén)，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問(wèn)和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問(wèn)；然而，由于它的價(jià)格低，速度快，壽命長(zhǎng)，許多客戶想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開(kāi)了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:394625 作為NAND行業(yè)的新晉者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱：長(zhǎng)江存儲(chǔ)）昨日公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:001665 從NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì) 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來(lái)越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤(pán)無(wú)法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01485 10 月 29 日，云從科技宣布在語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)上取得重大突破，該技術(shù)在全球最大的開(kāi)源語(yǔ)音識(shí)別數(shù)據(jù)集 Librispeech 上刷新了世界紀(jì)錄，錯(cuò)詞率低至 2.97%，指標(biāo)提升了 25%，超過(guò)微軟、谷歌、阿里、約翰霍普金斯大學(xué)等企業(yè)及高校 。
2018-11-01 15:13:403604 據(jù)悉，近日，漢能砷化鎵（GaAs）技術(shù)再獲重大突破。據(jù)世界三大再生能源研究機(jī)構(gòu)之一的德國(guó)弗勞恩霍夫太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）認(rèn)證，漢能阿爾塔砷化鎵薄膜單結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到29.1%，再次刷新世界紀(jì)錄。
2018-11-19 15:31:477041 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類(lèi)型：?jiǎn)螌訂卧⊿LC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類(lèi)型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 英特爾透露,2019年第四季度將會(huì)推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)的144層QLC(四級(jí)單元)NAND,預(yù)計(jì)將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074 有關(guān)國(guó)產(chǎn)閃存技術(shù)的發(fā)展與突破，相信很多人都在翹首期待，希望我們能夠擁有自己的先進(jìn)閃存產(chǎn)品，而當(dāng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功發(fā)展出來(lái)3D NAND存儲(chǔ)Xtacking架構(gòu)技術(shù)的時(shí)候，我們知道，真正的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)即將出現(xiàn)了！
2019-10-31 11:37:07882 四級(jí)單元（QLC）NAND正在進(jìn)入企業(yè)領(lǐng)域，它可幫助降低價(jià)格，低于目前領(lǐng)先的三級(jí)單元（TLC）NAND。四級(jí)單元應(yīng)該會(huì)讓NAND閃存在未來(lái)幾年保持主流地位，盡管有人預(yù)測(cè)，存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）和持久內(nèi)存技術(shù)最終將取代NAND。SCM和持久內(nèi)存可彌合NAND與更快更昂貴的DRAM之間的價(jià)格和性能差距。
2020-03-06 15:50:003353 12月18日，IBM在其官網(wǎng)上了宣布了一項(xiàng)技術(shù)突破。IBM研發(fā)部門(mén)在歷史悠久的材料科學(xué)創(chuàng)新基礎(chǔ)上，成功開(kāi)發(fā)出了新的電池技術(shù)。
2019-12-19 16:38:563781 追求存儲(chǔ)密度以降低存儲(chǔ)成本不斷推動(dòng)著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展。NAND閃存技術(shù)已經(jīng)從最初的SLC時(shí)代，跨越MLC、TLC向QLC時(shí)代快速演進(jìn)，并且從最初的2D平面技術(shù)全面切換到3D堆疊技術(shù)。而3D NAND閃存技術(shù)也從最初的32層堆疊，發(fā)展到了目前最新一代的高達(dá)128層堆疊。
2020-04-14 15:28:031730 
無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講，NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤(pán)的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤(pán)的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類(lèi)。
2020-09-18 14:34:527052 IBM Research在其紐約奧爾巴尼技術(shù)中心宣布其突破性的2nm技術(shù)的消息。 據(jù)IBM官方表示，核心指標(biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬(wàn)顆晶體管
2021-05-19 17:38:153689 
美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599 提升。美光全新的176層工藝與先進(jìn)架構(gòu)共同促成了此項(xiàng)突破，使數(shù)據(jù)中心、智能邊緣平臺(tái)和移動(dòng)設(shè)備等一系列存儲(chǔ)應(yīng)用得以受益，實(shí)現(xiàn)性能上的大幅提升。 美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁Scott DeBoer表示：美光的176層NAND樹(shù)立了閃存行業(yè)的新標(biāo)桿，與最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手同類(lèi)產(chǎn)品相比，堆疊層
2020-11-13 17:42:261872 日前，TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。
2020-11-19 16:11:182910 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫(xiě)次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:492766 從96層NAND閃存芯片開(kāi)始，海力士一直在推動(dòng)4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片，已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來(lái)說(shuō)，其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。
2020-12-15 17:55:342755 本周在IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議上，IBM研究院（IBM Research）公布了在“計(jì)算內(nèi)存架構(gòu)”方面所取得的一項(xiàng)突破性成果，該架構(gòu)可以為混合云平臺(tái)中的人工智能計(jì)算工作負(fù)載實(shí)現(xiàn)卓越的性能水平。
2020-12-18 16:06:201762 eMMC模塊因?yàn)槭且?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存技術(shù)為基礎(chǔ)而具有預(yù)定的使用壽命。它們具備有限的程序/擦除（P/E）周期，即使公司最初按照這些規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)，他們也必須預(yù)見(jiàn)到同一系統(tǒng)隨著時(shí)間的推移必須應(yīng)對(duì)不斷增加的工作負(fù)載挑戰(zhàn)。
2021-01-18 16:21:041831 在2021 IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上，IBM和三星聯(lián)合宣布，他們?cè)诎雽?dǎo)體設(shè)計(jì)方面取得一項(xiàng)重大突破。
2022-03-16 09:56:02338 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
IBM提出了一種稱為納米片的技術(shù)，可以像堆疊閃存cell一樣堆疊晶體管。
2022-07-01 14:48:05647 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡(jiǎn)單地說(shuō)，沒(méi)有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類(lèi)似硬盤(pán)的扇區(qū)，硬盤(pán)的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲(chǔ)容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729 
隨著密度和成本的飛速進(jìn)步，數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此，與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351206 
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久的將來(lái)達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間，新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會(huì)變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26244 
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