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      標(biāo)簽　>　氮化硅

      氮化硅

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      氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。氮化硅（SI3N4）陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機(jī)械和電性能。

      文章：62個(gè) 瀏覽：274次 帖子：0個(gè)

      氮化硅技術(shù)

      靶材的種類及制備工藝 靶材在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

      選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。

      2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaAs 1305 0

      光子集成芯片需要的材料有哪些

      光子集成芯片所需的材料多種多樣，主要包括硅、氮化硅、磷化銦、砷化鎵、鈮酸鋰等。這些材料各有其特性和應(yīng)用領(lǐng)域，適用于不同的光子器件和集成芯片設(shè)計(jì)。

      2024-03-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料集成芯片氮化硅 1280 0

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      晶圓是制作硅半導(dǎo)體IC所用之硅晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是「硅」， IC（Integrated Circuit）廠用的硅晶片即為硅晶體，因?yàn)檎墓?..

      2023-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IC晶圓 1244 0

      一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

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      本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻...

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      多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？又是怎樣制造出來的呢？

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      硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應(yīng)用？又是怎樣制造...

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      相較于本征應(yīng)力，熱應(yīng)力在某些方面是可以化敵為友的。在MEMS熱敏感執(zhí)行器中，基于膜層之間的熱膨脹系數(shù)差來實(shí)現(xiàn)懸臂梁的驅(qū)動(dòng)。在雙層膜形成的MEMS熱驅(qū)動(dòng)器...

      2024-01-02 標(biāo)簽：mems熱應(yīng)力氮化硅 1159 0

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      摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫...

      2022-02-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅電沉積 1094 0

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      氮化硅（Si3N4） 基板在各項(xiàng)性能方面表現(xiàn)最佳，可以提供最佳的可靠性和高功率密度，例如在高級(jí)電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)逆變器中的應(yīng)用。

      2023-10-23 標(biāo)簽：逆變器基板功率模塊 949 0

      基于微諧振器的耗散克爾孤子DKS光頻梳OFC

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      研究還表明，重復(fù)率的穩(wěn)定性，通過期望的分頻因子與參考激光器的重復(fù)率的穩(wěn)定性相聯(lián)系。最后，跨倍頻程耗散克爾孤子DKS的克爾誘導(dǎo)同步KIS，表現(xiàn)出了相反色散...

      2023-12-27 標(biāo)簽：激光器諧振器OFC 722 0

      介紹一種高導(dǎo)熱率PCB基板材料的制造方法

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      熱性能一直是PCB設(shè)計(jì)和制造工程師最關(guān)心的問題，而具有高導(dǎo)熱率的PCB基板材料在改善PCB的熱性能方面起著重要作用。

      2023-08-27 標(biāo)簽：PCB設(shè)計(jì)PCB基板氮化硅 688 0

      Science：石墨烯，再破一個(gè)新紀(jì)錄！

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      超材料完美吸收器層堆疊提供共振增強(qiáng)，同時(shí)充當(dāng)電接觸，誘導(dǎo)pn摻雜，從而實(shí)現(xiàn)高效快速的載流子提取。直接自由空間耦合可實(shí)現(xiàn)光功率的分布，導(dǎo)致超過100 mW...

      2023-07-04 標(biāo)簽：石墨烯光電探測(cè)器氮化硅 484 0

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