源極

源極跟隨器電路參數(shù)講解(2)

針對(duì)上一篇提到的當(dāng)負(fù)載值減小，導(dǎo)致輸出波形失真的問題。還有一個(gè)辦法是用P溝道JFET替代源極跟隨器電路中的Rs。這也被稱為推挽源極跟隨器。

2023-08-31 標(biāo)簽：二極管跟隨器源極 1539 0

源極跟隨器電路參數(shù)講解(1)

源極跟隨器電路輸入阻抗的確定方法，與之前源極接地放大電路輸入阻抗確定方法類似。

2023-08-31 標(biāo)簽：跟隨器源極輸入阻抗 2987 0

源極跟隨器電路設(shè)計(jì)

在之前章節(jié)的源極接地放大電路中，輸出是從FET的漏極得到，因此源極電阻Rs的壓降，對(duì)于輸出而言是無異議的，屬于無功損耗。

2023-08-31 標(biāo)簽：MOSFET放大電路電路設(shè)計(jì) 1448 0

源極跟隨器電路分析

源極跟隨器就是源極跟隨輸入信號(hào)（柵極電位）動(dòng)作的電路。它的輸出阻抗很低，可以用于電動(dòng)機(jī)、揚(yáng)聲器等重負(fù)載/低阻抗負(fù)載的驅(qū)動(dòng)，

2023-08-31 標(biāo)簽：電路分析跟隨器電動(dòng)機(jī) 2565 0

漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌

開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能（電流能量）。當(dāng)該能量與開關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí)，就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來...

2023-06-29 標(biāo)簽：MOSFET源極漏極 826 0

源極接地放大電路設(shè)計(jì)(2)

電壓電源V1由最大輸出電壓決定。例如為了得到Vpp=3V的輸出電壓，電源電壓必須在3V以上，否則輸出信號(hào)會(huì)失真（削波）。為了確保源極偏置電流，在R4上需...

2023-06-23 標(biāo)簽：放大電路電路設(shè)計(jì)輸出電壓 423 0

源極接地放大電路設(shè)計(jì)(1)

下圖是源極接地放大電路。分析它的直流點(diǎn)位是多少？此時(shí)交流信號(hào)是不存在的，即V2=0V。

2023-06-23 標(biāo)簽：MOSFET放大電路接地 334 0

電路中VCC、VDD、VEE和VSS的區(qū)別

畫電路板的小伙伴可能經(jīng)常遇到各種標(biāo)號(hào)，今天就來分享一下電源相關(guān)標(biāo)號(hào)的內(nèi)容。

2023-05-25 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管電路板電源電壓 9823 0

關(guān)于MOSFET功率損耗的三個(gè)誤解

數(shù)據(jù)手冊(cè)就是電子元件的使用說明書，在電路設(shè)計(jì)之前，十分有必要通讀數(shù)據(jù)手冊(cè)，并了解產(chǎn)品的重要性能參數(shù)。在MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中極限值表格中的總功率損耗P...

2023-05-15 標(biāo)簽：MOSFET電子元件參數(shù) 1043 0

邏輯電平轉(zhuǎn)換電路原理講解

當(dāng)LV連接器的TXI-1為3V3高電平信號(hào)(LV排針接3V3，HV排針接5V)時(shí)，Q1 mos管的柵極和源極之間的壓降為0V(TXI-1與LV排針之間的...

2023-03-16 標(biāo)簽：連接器MOS管轉(zhuǎn)換電路 4375 0

如何判斷NMOS管和PMOS管

　MOS管的管腳有三個(gè)：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)，但是實(shí)際工程應(yīng)用中，經(jīng)常無法區(qū)分PMOS管和NMOS管、各管腳的...

2023-02-28 標(biāo)簽：MOS管源極管腳 6813 0

MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判定方法

　　MOS管有三個(gè)引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個(gè)腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過改變引腳的電平，我們可以直接控制這個(gè)MO...

2023-02-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器MOS管柵極 1.2萬 0

PMOS管的工作原理

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。全稱：positive channel Metal Oxide Semiconductor...

2023-02-21 標(biāo)簽：MOS管工作原理源極 4.7萬 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

　　功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。

2023-02-16 標(biāo)簽：電阻MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1963 0

為什么MOSFET柵極與源極之間要加一個(gè)電阻？

為MOSFET提供一個(gè)供電，經(jīng)過電阻分壓從而得到分壓值，也即所謂的提供一個(gè)偏置電壓。

2023-02-16 標(biāo)簽：電阻ESDMOSFET 3680 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌？

MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFETIGBT源極 495 0

深入探討MOS管的工作原理

　　以Ntype MOS晶體管為例，探討MOS管的工作原理。

2023-02-03 標(biāo)簽：MOS管晶體管MOS 1905 0