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標(biāo)簽 > 3d芯片
3D芯片是采用3D Tri-Gate晶體設(shè)計(jì)制造工藝技術(shù),依靠3D三門晶體管生產(chǎn)的處理器芯片。3D芯片仍采用多核,不同的是,多個(gè)處理器不再并排相連,而是上下平行地連在一起。這樣,線纜的分布面積就擴(kuò)大至整個(gè)處理器的表面,而且平行結(jié)構(gòu)也有效縮短了各個(gè)處理器之間纜線的長度。
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什么是3D芯片堆疊技術(shù)3D芯片堆疊技術(shù)的發(fā)展歷程和詳細(xì)資料簡介
近日,武漢新芯研發(fā)成功的三片晶圓堆疊技術(shù)備受關(guān)注。有人說,該技術(shù)在國際上都處于先進(jìn)水平,還有人說能夠“延續(xù)”摩爾定律。既然3D芯片堆疊技術(shù)有如此大的作用...
先進(jìn)3D芯片堆疊的精細(xì)節(jié)距微凸點(diǎn)互連
本文研究主要考慮基于CuSn金屬互化物的微凸點(diǎn)(bump)作為芯片堆疊的手段。系統(tǒng)研究了形成金屬互化物凸點(diǎn)連接的兩種方法。一:瞬時(shí)液相(TLP)鍵合,在...
3D芯片的處理對象是多邊形表示的物體。用多邊形表示物體有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn):首先是直接(盡管繁瑣),多邊形表示的物體其表面的分段線性特征除輪廓外可以通過明暗處理(...
3D IC制造技術(shù)已成主流,異構(gòu)3D IC還有待進(jìn)步
多年來,3D IC技術(shù)已從初始階段發(fā)展成為一種成熟的主流制造技術(shù)。EDA行業(yè)引入了許多工具和技術(shù)來幫助設(shè)計(jì)采用3D IC路徑的產(chǎn)品。最近,復(fù)雜的SoC實(shí)...
2022-09-16 標(biāo)簽:集成電路IC設(shè)計(jì)eda 1236 0
AMD硅芯片設(shè)計(jì)中112G PAM4串?dāng)_優(yōu)化分析
在當(dāng)前高速設(shè)計(jì)中,主流的還是PAM4的設(shè)計(jì),包括當(dāng)前的56G,112G以及接下來的224G依然還是這樣。突破摩爾定律2.5D和3D芯片的設(shè)計(jì)又給高密度高...
2024-03-11 標(biāo)簽:amd摩爾定律芯片設(shè)計(jì) 912 0
Infineon芯片是一種多集成的無線基帶SoC芯片。功能(GPS、調(diào)頻收音機(jī)、BT.)同樣的eWLB產(chǎn)品也有自2010年以來,諾基亞一直在生產(chǎn)手機(jī)。
《先進(jìn)半導(dǎo)體封裝材料及工藝-2023版》
從封裝的角度來看,要提高帶寬,需要考慮兩個(gè)關(guān)鍵因素:I/O(輸入/輸出)總數(shù)和每個(gè)I/O的比特率。增加I/O總數(shù)需要在每個(gè)布線層/再分布層(RDL)中實(shí)...
2023-07-05 標(biāo)簽:光刻半導(dǎo)體封裝3D芯片 657 0
Lge(無線基帶)、Samsung(基帶調(diào)制解調(diào)器)和Nokia(基帶調(diào)制解調(diào)器和射頻收發(fā)器)使用了Infineon的eWLB他們的手機(jī)產(chǎn)品。
2023-03-27 標(biāo)簽:調(diào)制解調(diào)器封裝技術(shù)3D芯片 654 0
納米片晶體管并不能拯救摩爾定律,也不能解決代工廠在最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問題,代工廠正在尋求各種創(chuàng)新,例如背面供電(BSPD),以...
為什么選擇3D,3D芯片設(shè)計(jì)要點(diǎn)分析
然已經(jīng)有很多關(guān)于 3D 設(shè)計(jì)的討論,但對于 3D 的含義有多種解釋。然而,這不僅僅是語義,因?yàn)槊總€(gè)封裝選項(xiàng)都需要不同的設(shè)計(jì)方法和技術(shù)。
Moldex3D芯片封裝模塊,能協(xié)助設(shè)計(jì)師分析不同的芯片封裝成型制程。在轉(zhuǎn)注成型分析(TransferMolding)與成型底部填膠分析(MoldedU...
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