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標(biāo)簽 > DFT算法
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基于ICL的可擴(kuò)展性和靈活性可以抽取設(shè)計中的IEEE 1687結(jié)構(gòu)
隨著SoC芯片逐漸復(fù)雜化,其DFT(Design for Test)架構(gòu)也由單層向多層網(wǎng)絡(luò)發(fā)展。IEEE 1687是DFT多層網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的通用標(biāo)準(zhǔn)
SoC芯片設(shè)計中的可測試性設(shè)計(DFT)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計已成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的主流。在SoC設(shè)計中,可測試性設(shè)計(DFT)已成為不可或缺的環(huán)節(jié)。DFT旨在提高...
2023-09-02 標(biāo)簽:功率放大器SoC設(shè)計半導(dǎo)體芯片 2921 0
“一石三鳥”固相燒結(jié)策略!廢舊鋰離子電池直接再生研究獲進(jìn)展
近期,中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體物理研究所在廢舊鈷酸鋰電池直接再生為電化學(xué)性能優(yōu)異的正極材料研究中取得新進(jìn)展。
作為一種能量密度高、使用壽命長、成本低、自放電能力低的具有高度代表性的前沿技術(shù),鋰離子電池(LIBs)廣泛應(yīng)用于便攜式電子設(shè)備、電動汽車和網(wǎng)格級儲能系統(tǒng)
氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強(qiáng)、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點。
2023-08-17 標(biāo)簽:接觸器半導(dǎo)體芯片DFT算法 928 0
為什么會造成頻譜泄露?如何理解FFT中的頻譜泄露效應(yīng)?
為什么會造成頻譜泄露?如何理解FFT中的頻譜泄露效應(yīng)?如何采用時間窗抑制頻譜泄露效應(yīng)? 頻譜泄露是指在進(jìn)行傅里葉變換時,信號的譜被非目標(biāo)頻率“污染”的一...
多模態(tài)神經(jīng)電信號如何監(jiān)測MXene電子紋身呢
縱觀人類科學(xué)的發(fā)展史,歷代的科學(xué)家們一直嘗試在混亂無序的無機(jī)世界與生命體之間搭建溝通的橋梁。
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