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標簽 > F-RAM
F-RAM芯片包含一個鋯鈦酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]的薄鐵電薄膜,通常被稱為PZT。PZT 中的Zr/Ti原子在電場中改變極性,從而產(chǎn)生一個二進制開關。與RAM器件不同,F(xiàn)-RAM在電源被關閉或中斷時,由于PZT晶體保持極性能保留其數(shù)據(jù)記憶。這種獨特的性質讓F-RAM成為一個低功耗、非易失性存儲器。
鐵電隨機存儲器(F-RAM),相對于其它類型的半導體技術而言,鐵電隨機存儲器(F-RAM)具有一些獨一無二的特性。已經(jīng)確定的半導體存儲器可以分為兩類:易失性和非易失性。易失性存儲器包括靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)以及其他類型存儲器。RAM類型存儲器易于使用,高性能,但它們有著共同的弱點:在掉電的情況下會失去所保存的數(shù)據(jù)。
未來幾年,汽車的安全系統(tǒng)將會變得更加復雜。推動該趨勢的一個主要動力是預期的監(jiān)管措施,它們將對汽車安全氣囊和穩(wěn)定控制系統(tǒng)的配售率和成熟度產(chǎn)生影響。
什么是F-RAM? F-RAM:鐵電隨機存儲器。相對于其它類型的半導體技術而言,鐵電隨機存儲器(F-RAM)具有一些獨一無二的特性。已經(jīng)確定的半導體存儲...
鐵電隨機存儲器F-RAM對電池管理系統(tǒng)的作用分析
隨著電動汽車技術的發(fā)展,以及政府的政策鼓勵與扶持,電動汽車(混動+純電動)以每年超過50%的速度高速增長,電池以及電池管理系統(tǒng)作為電動汽車的核心組件,其...
ramtron international corporation宣布推出新型f-ram系列中的首款產(chǎn)品,具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。
賽普拉斯為其領先業(yè)界的F-RAM和nvSRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷售支持
賽普拉斯的F-RAM是業(yè)內能效最高的NVRAM技術,具有近乎無限的100萬億次讀寫耐久性。F-RAM 存儲單元中的鐵電材料可抵御由輻射或磁場導致的數(shù)據(jù)...
Ramtron推出可與飛思卡爾Tower System共用的F-RAM存儲器模塊
世界領先隨機存取存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron宣布,現(xiàn)已提供可與飛思卡爾半導體公司廣受歡迎的Tower System開...
Ramtron和ROHM簽署F-RAM產(chǎn)品制造協(xié)定
低能耗半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron與日本ROHM簽署了製造和授權許可合作協(xié)定,根據(jù)這項長期協(xié)定,ROHM公司將在其成熟的F-RAM生產(chǎn)線上...
Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預認證樣片,新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國晶圓供應商的鐵電存儲器...
Ramtron推出最新鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) FM24C64C
Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布,現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器...
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