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標(biāo)簽 > F-RAM

F-RAM

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  F-RAM芯片包含一個(gè)鋯鈦酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]的薄鐵電薄膜,通常被稱為PZT。PZT 中的Zr/Ti原子在電場(chǎng)中改變極性,從而產(chǎn)生一個(gè)二進(jìn)制開(kāi)關(guān)。與RAM器件不同,F(xiàn)-RAM在電源被關(guān)閉或中斷時(shí),由于PZT晶體保持極性能保留其數(shù)據(jù)記憶。這種獨(dú)特的性質(zhì)讓F-RAM成為一個(gè)低功耗、非易失性存儲(chǔ)器。

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F-RAM簡(jiǎn)介

  鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(F-RAM),相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言,鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(F-RAM)具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類:易失性和非易失性。易失性存儲(chǔ)器包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)以及其他類型存儲(chǔ)器。RAM類型存儲(chǔ)器易于使用,高性能,但它們有著共同的弱點(diǎn):在掉電的情況下會(huì)失去所保存的數(shù)據(jù)。

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f-ram知識(shí)

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f-ram技術(shù)

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什么是F-RAM? F-RAM:鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言,鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(F-RAM)具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲(chǔ)...

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